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MIG200Q2CSB1X
三菱半导体<Intelligent电源Module>
MIG200Q2CSB1X
（ 1200V / 200A二合一）
高功率开关应用
电机控制应用
集成逆变电源电路和控制电路（ IGBT驱动单元，保护单元短路
电流，过电流，在一个封装欠压和过温） 。
所述电极从壳体分离。
V
CE （SAT）
= 2.2 V （典型值）。
UL认证文件号E87989
重量278克（典型值）。
等效电路
1
2
3
4
5
6
7
8
FO GND IN V
D
FO GND IN V
D
GND
V
S
OUT
GND
V
S
OUT
E2
C2/E1
C1
1.
5.
FO （L）的
FO （H）的
2.
6.
GND （L）的
GND （H）的
3.
7.
IN（L ）
在（H）的
4.
8.
V
D
(L)
V
D
(H)
2005-04-01
1/10
MIG200Q2CSB1X
包装尺寸
单位：mm
1.
7.
FO （L）的
在（H）的
2.
8.
GND （L）的
V
D
(H)
3.
IN（L ）
4.
V
D
(L)
5.
FO （H）的
6.
GND （H）的
2005-04-01
2/10
MIG200Q2CSB1X
信号端子布局
单位：mm
1.
7.
FO （L）的
在（H）的
2.
8.
GND （L）的
V
D
(H)
3.
IN（L ）
4.
V
D
(L)
5.
FO （H）的
6.
GND （H）的
2005-04-01
3/10
MIG200Q2CSB1X
最大额定值
(T
j
=
25°C)
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
输入电压
控制
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
存储温度范围
模块
隔离电压
螺丝扭矩（端子/安装）
AC 1分钟
M5
FO - GND （ L）端子
FO吸收电流
Tc
=
25 ° C， DC
Tc
=
25 ° C， DC
Tc
=
25°C
V
D
-GND终端
在GND端子
条件
P -N电源端子
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
Tc
T
英镑
V
ISO
评级
900
1200
200
200
2010
150
20
20
20
14
20~+100
40~+125
2500
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
N·m的
电气特性
1.变频器阶段
特征
集电极截止电流
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
=
1200 V
V
D
=
15 V,
I
C
=
200 A,
V
IN
=
15 V
→
0 V
T
j
=
25°C
T
j
=
125°C
T
j
=
25°C
T
j
=
125°C
民
V
CC
=
600 V，I
C
=
200 A,
V
D
=
15 V, V
IN
=
15 V
0 V,
T
j
=
25 ° C，电感性负载
（注1 ）
典型值。
2.2
2.4
2.0
0.3
0.3
1.5
0.3
最大
1
10
2.6
V
3.0
2.8
3.0
2.5
s
V
单位
mA
集电极 - 发射极饱和电压
正向电压
V
CE （SAT）
V
F
t
on
t
C（ ON）
I
F
=
200 A，T
j
=
25°C
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C（ OFF）
注1 ：开关时间测试电路和时序图。
2005-04-01
4/10
MIG200Q2CSB1X
2.控制阶段
(T
j
=
25°C)
特征
控制电路的电流
输入上的信号电压
输入关闭信号电压
保护
故障输出电流
正常
过流保护跳闸水平
短路电流保护跳闸水平
过电流截止时间
过温
保护
在控制电源
电压保护
故障输出脉冲宽度
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
HIGH SIDE
LOW SIDE
符号
I
D（高）
I
D（ L）的
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
FO （上）
I
FO （关闭）
OC
SC
t
关（ OC ）
OT
外壳温度
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V ，T
j
＆ LT ;
125°C
=
V
D
=
15 V ，T
j
＆ LT ;
125°C
=
V
D
=
15 V
测试条件
民
1.4
2.2
8
320
320
110
11.0
12.0
1
典型值。
13
13
1.6
2.5
10
5
118
98
12.0
12.5
2
最大
17
17
1.8
2.8
12
mA
0.1
125
12.5
V
13.0
3
ms
°C
A
A
s
V
V
单位
mA
3.热电阻
（ TC
=
25°C)
特征
结到外壳热阻
案例鳍热阻
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
IGBT
FRD
化合物被施加
测试条件
民
典型值。
0.017
最大
0.062
0.136
° C / W
单位
° C / W
2005-04-01
5/10
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