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MIG150J6CSB1W
三菱半导体<Intelligent电源Module>
MIG150J6CSB1W
（ 600V / 150A 6in1 ）
高功率开关应用
电机控制应用
集成逆变器和控制电路（ IGBT驱动单元和单元用于防止短路电流，
过流，欠压和过热）到一个单一的封装。
所述电极从壳体分离。
低热阻
V
CE （SAT）
= 1.9 V （典型值）。
UL认证：文件编号E87989
等效电路
20
19
18
17
16
15
14
13
12 11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
FO IN V
D
GND
FO IN V
D
GND
FO IN V
D
GND
GND IN FO V
D
GND IN FO V
D
GND IN FO V
D
GND
V
S
OUT
GND
V
S
OUT
GND
V
S
OUT
GND
V
S
OUT
GND
V
S
OUT
GND
V
S
OUT
W
1.
8.
15.
V
D
(U)
GND （ V）
开放
2.
9.
16.
FO （ U）
V
D
(W)
开放
V
3.
10.
17.
IN（ U）
FO （W）的
IN（ X）
4.
11.
18.
U
GND （ U）
在（W）的
IN（ Y）
5.
12.
19.
B
V
D
(V)
GND （W）的
在（Z） -
6.
13.
20.
FO （ V）
V
D
(L)
GND （L）的
N
7.
14.
（V）中
FO （L）的
P
2004-10-01
1/10
MIG150J6CSB1W
包装尺寸
1.
7.
13.
19.
V
D
(U)
（V）中
V
D
(L)
在（Z） -
2.
8.
14.
20.
FO （ U）
GND （ V）
FO （L）的
GND （L）的
3.
9.
15.
IN（ U）
V
D
(W)
开放
4.
10.
16.
GND （ U）
FO （W）的
开放
5.
11.
17.
V
D
(V)
在（W）的
IN（ X）
6.
12.
18.
FO （ V）
GND （W）的
IN（ Y）
2004-10-01
2/10
MIG150J6CSB1W
信号端子布局
1.
7.
13.
19.
V
D
(U)
（V）中
V
D
(L)
在（Z） -
2.
8.
14.
20.
FO （ U）
GND （ V）
FO （L）的
GND （L）的
3.
9.
15.
IN（ U）
V
D
(W)
开放
4.
10.
16.
GND （ U）
FO （W）的
开放
5.
11.
17.
V
D
(V)
在（W）的
IN（ X）
6.
12.
18.
FO （ V）
GND （W）的
IN（ Y）
2004-10-01
3/10
MIG150J6CSB1W
最大额定值
(T
j
=
25°C)
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
控制
输入电压
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
存储温度范围
模块
隔离电压
螺丝扭矩（终端）
螺丝扭力（安装）
AC 1分钟
M4
M5
Tc
=
25 ° C， DC
Tc
=
25 ° C， DC
Tc
=
25 ° C， DC
V
D
-GND终端
在GND端子
FO- GND端子
FO吸收电流
条件
P -N电源端子
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
Tc
T
英镑
V
ISO
评级
450
600
150
150
740
150
20
20
20
14
20
to
+100
40
to
+125
2500
2
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
N½m
N½m
电气特性
1.变频器阶段
特征
集电极截止电流
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
=
600 V
V
D
=
15 V
I
C
=
150 A
V
IN
=
15 V
→
0 V
T
j
=
25°C
T
j
=
125°C
T
j
=
25°C
T
j
=
125°C
民
1.6
V
CC
=
300 V，I
C
=
150 A
V
D
=
15 V, V
IN
=
15 V
0 V
T
j
=
25 ° C，电感性负载
（注1 ）
典型值。
1.9
2.1
2.4
1.3
0.3
0.2
1.1
0.2
最大
1
10
2.3
2.8
2.2
2.1
s
V
V
单位
mA
集电极 - 发射极饱和电压
正向电压
V
CE （SAT）
V
F
t
on
t
C（ ON）
I
F
=
150 A，T
j
=
25°C
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C（ OFF）
注1 ：开关时间测试电路和时序图
2004-10-01
4/10
MIG150J6CSB1W
2.控制阶段
(T
j
=
25°C)
特征
控制电路的电流
对输入信号电压
关闭输入信号电压
保护
故障输出电流
正常
过电流保护
旅行等级
短路保护
旅行等级
过电流截止时间
过温
保护
在控制电源
电压保护
故障输出脉冲宽度
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
逆变器
逆变器
HIGH SIDE
LOW SIDE
符号
I
D（高）
I
D（ L）的
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
FO （上）
I
FO （关闭）
OC
SC
t
关（ OC ）
OT
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V
测试条件
民
1.4
2.2
240
240
110
11.0
12.0
1
典型值。
13
39
1.6
2.5
10
5
118
98
12.0
12.5
2
最大
17
51
1.8
2.8
12
mA
0.1
125
12.5
13.0
3
ms
A
A
s
°C
V
V
单位
mA
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V
V
D
=
15 V ，T
j
＆ LT ;
125°C
=
V
D
=
15 V ，T
j
＆ LT ;
125°C
=
V
D
=
15 V
外壳温度
V
3.热电阻
（ TC
=
25°C)
特征
结到外壳热阻
案例鳍热阻
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
逆变器的IGBT
逆变器FRD
化合物被施加
民
典型值。
0.017
最大
0.167
0.313
° C / W
单位
° C / W
2004-10-01
5/10
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MV2105
MI-QC61W-IVX
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