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GaAlAs的大功率T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 534H4是GaAlAs的LED红外线具有

峰值波长为850nm 。它具有超高的功率，

高的响应速度和模制封装的更高

辐射强度。除了提高了S / N比

在应用光学系统中， MIE- 534H4有着很大

改进的长距离特性以及点登录

ificantly增加的适用性范围。

见注2

1.00

(.040)

7.62

(.300)

φ5.05

(.200)

MIE-534H4

单位：mm （英寸）

包装尺寸

5.47

(.215)

5.90

(.230)

FLAT为负极

特点

l

超高辐射强度

高响应速度

标准T - 1 3/4 （

φ5mm)

包

峰值波长

λ

P

= 850 nm的

辐射角度： 30 °

0.50典型。

(.020)

23.40 MIN

(.920)

l

l

l

l

1.00MIN.

(.040)

2.54NOM.

(.100)

见注3

A

C

应用

l

数据通信

爵士

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

l

绝对最大额定值

'@ T

A

=25

o

C

参数

功耗

峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

1

100

5

-55℃至+ 100℃

o

o

-55℃至+ 100℃

o

o

单位

mW

A

mA

V

260

o

下5秒

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

MIE-534H4

光电特性

@ T

A

=25 C

参数

辐射强度

正向电压

反向电流

峰值波长

光谱带宽

视角

上升时间

下降时间

相对辐射强度

1

o

测试条件

I

F

=20mA

I

F

=50mA

V

R

=5V

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=50mA

I

F

=50mA

符号

Ie

V

F

I

R

λρ

λ

2

θ

1/2

Tr

Tf

分钟。

典型值。

4.2

1.5

850

30

30

20

30

马克斯。

1.8

100

单位

毫瓦/ SR

V

Α

nm

nm

度。

纳秒

纳秒

典型的光 - 电特性曲线

0.5

0

750

波长（nm ）

图1的光谱分布

3

850

950

100

正向电流（mA ）

输出功率值

I

F

=20mA

80

60

40

20

0

0.8

2.5

2

1.5

1

0.5

0

-40

-20

0

20

40

o

正向电压（ V）

图2正向电流与

正向电压

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

60

环境温度T

A

( C )

图3相对辐射强度

- 环境温度

0° 10° 20°

输出功率相对于

在我的价值

F

=20mA

5

相对辐射

强度

4

3

2

1

30°

40°

50°

60°

70°

80°

90°

0.5 0.3 0.1

0.2 0.4 0.6

1.0

0.9

0.8

0

0

20

40

60

80

100

正向电流（mA ）

图4相对辐射强度

与正向电流

图5辐射方向图

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

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