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铝镓砷/砷化镓高功率T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 524A4是利用红外发光二极管

用砷化镓铝镓砷窗口涂层的芯片技术。

它在水中成型透明塑料包装。

7.62

(.300)

MIE-524A4

包装尺寸

φ

5.05

(.200)

单位：mm （英寸）

5.47

(.215)

5.90

(.230)

1.00

(.040)

FLAT为负极

特点

l

23.40 MIN 。

(.920)

0.50典型。

(.020)

高辐射功率高辐射强度

适用于DC和高脉冲电流操作

标准T - 1 3/4 （

φ

5mm）封装，辐射角：20°

峰值波长

λ

p

= 940纳米

良好的光谱匹配Si -光电探测器

l

l

1.00MIN

(.040)

2.54

(.100)

l

l

A

C

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

绝对最大额定值

'@ T

A

=25

o

C

参数

功耗

峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

1

100

5

-55℃至+ 100℃

o

o

-55℃至+ 100℃

o

o

单位

mW

A

mA

V

260

o

下5秒

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

MIE-524A4

光电特性

@ T

A

=25 C

参数

辐射强度

正向电压

反向电流

峰值波长

光谱带宽

视角

测试条件

I

F

=20mA

I

F

=50mA

V

R

=5V

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=20mA

符号

Ie

V

F

I

R

λp

λ

2θ

1/2

940

50

20

分钟。

典型值。

4.0

1.30

1.50

100

马克斯。

单位

毫瓦/ SR

V

A

nm

nm

度。

o

典型的光 - 电特性曲线

相对辐射强度

正向电流I

F

（MA ）

940

1040

1

100

90

80

70

60

50

0

-55 -25

0

25

50

75 100 125

0.5

0

840

波长（nm ）

图1的光谱分布

输出功率值，如果= 20mA下

100

3

环境温度T

A

(

o

C)

图2正向电流与

环境温度

2.5

2

1.5

1

0.5

0

-40

-20

0

20

40

o

正向电流（mA ）

80

60

40

20

0

0

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

60

正向电压（ V）

图3正向电流与

正向电压

输出功率相对于

在我的价值

F

=20mA

相对辐射强度

5

4

3

2

1

0

0

20

40

60

80

100

环境温度T

A

( C)

图4相对辐射强度

- 环境温度

0° 10°

20°

30°

40°

50°

60°

70°

80°

90°

1.0

0.9

0.8

正向电流（mA ）

图5相对辐射强度

与正向电流

0.5 0.3 0.1 0.2 0.4 0.6

图6辐射方向图

11/17/2000

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