【铝镓砷/砷化镓T-1 3/4封装红外发光二极管描述在MIE - 516A4U是红外发光二极管砷化镓技】,IC型号MIE-516A4U,MIE-516A4U PDF资料,MIE-516A4U经销商,ic,电子元器件-51电子网

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铝镓砷/砷化镓T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 516A4U是红外发光二极管

砷化镓技术的AlGaAs窗口涂层

成型柔和的粉红色透明的包。

MIE-516A4U

φ5.05

(.200)

包装尺寸

团结：毫米（英寸）

5.47

(.215)

7.62

(.300)

5.90

(.230)

特点

l

l

l

l

l

高辐射功率高辐射强度

标准T - 1 3/4 （

φ

5mm）封装

峰值波长

λ

p

= 940纳米

良好的光谱匹配Si -光电探测器

辐射角度： 16 °

1.00

(.040)

FLAT为负极

23.4 0分钟。

(.920)

0.50 TYP 。

(.020)

1.00MIN

(.040)

2.54

(.100)

A

C

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从封装

绝对最大额定值

@ T

A

=25

o

C

参数

功耗

峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

1

100

5

-55

o

C至+100

o

C

-55

o

C至+100

o

C

260

o

下5秒

单位

mW

A

mA

V

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

MIE-516A4U

光电特性

参数

辐射强度

正向电压

反向电流

峰值波长

光谱带宽

视角

测试条件

I

F

=20mA

I

F

=50mA

I

F

=200mA

V

R

= 5V

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

R

λ

λ

2θ

1/2

-

940

50

16

符号

Ie

V

F

分钟。

典型值。

4

1.3

1.65

马克斯。

-

1.5

2.0

100

@ T

A

=25

o

C

单位

毫瓦/ SR

V

A

nm

nm

-

度。

典型的光 - 电特性曲线

相对辐射强度

正向电流I

F

（MA ）

840

940

1040

1

100

90

80

70

60

50

0

-55 -25

0

25 50

75 100 125

0.5

0

波长（nm ）

图1的光谱分布

输出功率值I

F

=20mA

100

环境温度T

A

(

o

C)

图2正向电流与

环境温度

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

-40

-20

0

20

40

60

o

正向电流（mA ）

80

60

40

20

0

0.8

1.2

1.6

2

2.4

2.8

正向电压（ V）

图3正向电流与

正向电压

5

4

3

2

1

0

0

20

40

60

80

100

环境温度T

A

( C)

图4相对辐射强度

vs.Ambient温度

0° 10° 20°

输出功率相对于

在我的价值

F

=20mA

相对辐射强度

30°

40°

1.0

0.9

0.8

0.5 0.3 0.1

0.2 0.4 0.6

50°

60°

70°

80°

90°

正向电流（mA ）

图5相对辐射强度

与正向电流

图6辐射方向图

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

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