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GaAlAs的T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 514L3是GaAlAs的红外发光二极管

在砷化镓铝成型技术在水的透明塑料

封装。

7.62

(.300)

MIE-514L3

包装尺寸

φ5.05

(.200)

团结：毫米（英寸）

5.47

(.215)

5.90

(.230)

特点

l

1.00

(.040)

见注2

FLAT为负极

适用于DC和高脉冲电流操作

标准T - 1 3/4 （

φ

5mm）封装

峰值波长

λ

p

= 880 nm的

良好的光谱匹配Si -光电探测器

辐射角度： 16 °

2.54NOM.

(.100)

见注3

1.00MIN.

(.040)

0.50典型。

(.020)

23.40 MIN

(.920)

l

l

l

l

A

C

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

绝对最大额定值

'@ T

A

=25

o

C

参数

功耗

峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

1

100

5

-55

o

C至+100

o

C

-55

o

C至+100

o

C

o

260℃持续5秒

单位

mW

A

mA

V

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

MIE-514L3

光电特性

@ T

A

=25 C

参数

辐射强度

正向电压

反向电流

峰值波长

光谱带宽

半视角

相对辐射强度

1

o

测试条件

I

F

=20mA

I

F

=50mA

V

R

=5V

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=20mA

符号

Ie

V

F

I

R

λp

λ

2θ

1/2

分钟。

典型值。

4.5

1.4

880

80

16

正向电流I

F

（MA ）

60

50

40

30

20

10

0

-55 -25

马克斯。

1.8

100

单位

毫瓦/ SR

V

A

nm

nm

度。

典型的光 - 电特性曲线

0.5

0

780

880

980

0

25 50

75 100 125

100

输出功率值I

F

=20mA

波长（nm ）

图1的光谱分布

正向电流（mA ）

环境温度T

A

(

o

C)

图2正向电流与

环境温度

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

-40

-20

0

20

40

60

80

60

40

20

0

0.8

1.2

1.6

2

2.4

2.8

正向电压（ V）

图3正向电流与

正向电压

输出功率相对于

在我的价值

F

=20mA

5

4

3

2

1

0

0

20

40

60

80

100

环境温度T

A

(

o

C)

图4相对辐射强度

- 环境温度

0° 10° 20°

相对辐射强度

30°

40°

1.0

0.9

0.8

0.5 0.3 0.1 0.2 0.4 0.6

50°

60°

70°

80°

90°

正向电流（mA ）

图5相对辐射强度

与正向电流

图5辐射方向图

11/17/2000

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