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铝镓砷/砷化镓T- 1包
红外发光二极管
描述
在MIE - 334A4是利用红外发光二极管
用砷化镓铝镓砷窗口涂层的芯片技术。
它在水中成型透明塑料包装。
ψ3.00
(.118)
MIE-334A4
包装尺寸
单位：mm （英寸）
4.00
(.157)
5.25
(.207)
1.00
(.040)
0.80 ±0.50
(.031±.020)
FLAT为负极
特点
l
l
l
l
l
l
23.40MIN.
(.920)
高辐射功率高辐射强度
适用于DC和高脉冲电流操作
标准的T -1（
φ
3mm）封装
峰值波长
λ
p
= 940纳米
良好的光谱匹配Si -光电探测器
辐射角度： ± 15 °
0.50 TYP 。
(.020)
1.00MIN.
(.040)
2.54
(.100)
A
C
注意事项：
1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。
下法兰2.出刃树脂为0.4毫米（ 0.0157" ）最大。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
绝对最大额定值
@ T
A
=25 C
参数
功耗
峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）
连续的正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
最大额定值
120
1
100
5
-55
o
C至+100
o
C
-55
o
C至+100
o
C
260
o
下5秒
单位
mW
A
mA
V
o
东贝光电科技有限公司
02/04/2002
MIE-334A4
光电特性
@ T
A
=25
o
C
参数
辐射强度
正向电压
反向电流
峰值波长
光谱带宽
视角
测试条件
I
F
=20mA
I
F
=50mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
符号
Ie
V
F
I
R
λp
λ
2θ
1/2
分钟。
典型值。
2.2
1.3
马克斯。
单位
毫瓦/ SR
V
A
nm
nm
度。
-
-
-
-
-
-
-
1.5
100
-
940
50
30
-
-
-
典型的光 - 电特性曲线
相对辐射强度
1
0.5
0
840
880
920
960
1000
1040
波长（nm ）
图1的光谱分布
100
输出功率值I
F
=20mA
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-40
-20
0
20
40
o
正向电流（mA ）
80
60
40
20
0
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
60
正向电压（ V）
图2正向电流与
正向电压
输出功率相对于
在我的价值
F
=20mA
相对辐射强度
5
4
3
2
1
0
0
环境温度T
A
( C)
图3相对辐射强度
- 环境温度
0°
10°
20°
30°
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80
90°
0.5 0.3 0.1
0.2 0.4 0.6
20 40 60 80 100
正向电流（mA ）
图4相对辐射强度
与正向电流
图5辐射方向图
东贝光电科技有限公司
02/04/2002
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