【砷化镓高功率侧面看包装红外发光二极管描述在MIE - 114A2是一种砷化镓红外发光二极管模压在透明】,IC型号MIE-114A2,MIE-114A2 PDF资料,MIE-114A2经销商,ic,电子元器件-51电子网

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砷化镓高功率侧面看包装

红外发光二极管

描述

在MIE - 114A2是一种砷化镓红外发光二极管

模压在透明，带透镜侧视包。

在MIE - 114A2提供了一个广泛的

强度选择。

5.72±0.2

(.225±.008)

MIE-114A2

单位：mm （英寸）

包装尺寸

4.45±0.20

(.175±.008)

2.22

(.087)

(.087)

1.22±0.10

(.048±.004)

1.55±0.02

(.061±.008)

0.76±0.10

(.030±.008)

12.7分钟。

(.500)

特点

l

阴极

0.5 TYP 。

(.020)

1.0分钟。

(.040)

2.54喃。

(.100)

见注3

选择为特定的在线强度和

辐射强度范围

l

成本低，塑料边找包

机械和光谱匹配

在MID - 11422光电晶体管。

C

A

l

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

绝对最大额定值

@ T

A

=25

o

C

参数

功耗

最大正向电流

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

75

1

50

5

-55

o

C至+100

o

C

-55

o

C至+100

o

C

260

o

下5秒

单位

mW

A

mA

V

东贝光电科技有限公司

02/04/2002

MIE-114A2

光电特性

@ T

A

=25℃

参数

辐射Incidance

正向电压

反向电流

峰值波长

光谱带宽

半视角

测试条件

I

F

=20mA

I

F

=20mA

V

R

=5V

I

F

=20mA

I

F

=20mA

I

F

=20mA

符号

Ee

V

F

I

R

λp

λ

2θ

1/2

分钟。

-

典型值。

0.8

1.2

马克斯。

单位

毫瓦/平方厘米

2

V

A

nm

nm

度。

-

1.35

100

-

-

-

-

-

-

940

50

80

-

-

-

典型的光 - 电特性曲线

相对辐射强度

1

0.5

0

840

880

920

960

1000

1040

波长（nm ）

图1的光谱分布

输出功率值I

F

=20mA

100

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-40

-20

0

20

40

60

正向电流（mA ）

80

60

40

20

0

0

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

正向电压（ V）

图2正向电流与

正向电压

输出功率相对于

在我的价值

F

=20mA

5

4

3

2

1

0

0

20

40

60

80

100

环境温度T

A

(℃)

图3相对辐射强度VS.

- 环境温度

0° 10°

20°

30°

40°

50°

60°

70°

80°

90°

0.5 0.3 0.1 0.2 0.4 0.6

相对辐射强度

1.0

0.9

0.8

正向电流（mA ）

图4相对辐射强度

与正向电流

图5辐射方向图

东贝光电科技有限公司

02/04/2002

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