MIC94030/94031
TinyFET
P沟道MOSFET
概述
该MIC94030和MIC94031是4-末端硅栅
P沟道MOSFET，可提供低导通电阻的
非常小的封装。
设计用于高侧开关应用在空间
关键的， MIC94030 / 1显示出一个导通电阻的
通常0.75Ω在4.5V栅极 - 源极电压。该
MIC94030 / 1也操作以仅2.7V的栅极 - 源极
电压。
该MIC94030是基本4-引线P沟道MOSFET 。
该MIC94031是一个变化，其中包括一个内部栅极
上拉电阻，可以降低系统的部件在计数
许多应用程序。
四终端的SOT- 143封装允许在衬底
从源头上连接的连接分离。此4-
终端的配置提高了
θ
JA
（提高热
散热） ，使模拟开关的应用
实用。
小尺寸，低阈值和低R
DS （ ON）
使
MIC94030 / 1的PCMCIA卡休眠模式下的理想选择
或分布式功率管理的应用程序。
特点
13.5V最小漏极 - 源极击穿
0.75Ω典型导通电阻
- 在4.5V的栅极 - 源极电压
0.45Ω典型导通电阻
- 在10V的栅 - 源电压
工作在2.7V的栅极 - 源极电压
为增加单独的控制基板的连接
业内最小的表面贴装封装
应用
分布式电源管理
PCMCIA卡电源管理
电池供电的电脑，外设
手持式条形码扫描仪
便携式通信设备
订购信息
产品型号
标准
MIC94030BM4
MIC94031BM4
记号
P30
P31
无铅
MIC94030YM4
MIC94031YM4
记号
P30
P31
结温。范围
-55 °至+ 150°C
-55 °至+ 150°C
包
SOT-143
SOT-143
引脚配置
漏
部分
鉴定
基板
典型的PCB布局
D
PCB散热片
面提高
散热
SS
P3x
P3x
门
来源
G
S
PCB走线
SOT -143 （ M4 ）
TinyFET是麦克雷尔公司的注册商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （
408
） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2006年7月
M9999-071106
麦克雷尔INC 。
MIC94030/MIC94031
绝对最大额定值
(1)
电压和电流值是负的。没有迹象显示更清晰。
漏极至源极电压（脉冲） ..................................... 16V
栅极 - 源极电压（脉冲） 。 .................................... 16V
连续漏电流
T
A
= 25°C .............................................. ..................... 1A
T
A
= 100℃ .............................................. ................ 0.5A
工作结温..............- 55 ° C至+ 150°C
存储温度................................- 55 ° C至+ 150°C
总功耗
T
A
= 25°C .............................................. ............. 568mW
T
A
= 100℃ .............................................. ........... 227mW
热阻
θ
JA
....................................................................220°C/W
θ
JC
....................................................................130°C/W
焊接温度
1/16“的情况下， 10秒.......................................... + 300℃
电气特性
电压和电流值是负的。没有迹象显示更清晰。
符号
V
BDSS
V
GS
I
GSS
R
GS
C
国际空间站
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
栅极 - 源极电阻
输入电容
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通状态抗性
条件（注1 ）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V,
注2 ，注3
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V,
注2 ，注4
V
GS
= 0V, V
DS
= 12V
V
DS
= 12V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V,
注5
V
GS
= 10V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 100毫安
V
DS
= 10V ，我
D
=的200mA，
注5
民
13.5
0.6
500
典型值
1.0
750
100
最大
1.4
1
1000
25
单位
V
V
A
k
pF
A
A
A
mS
0.010
6.3
0.45
0.75
1.20
480
250
1.00
g
FS
注意事项：
正向跨导
1. T
A
= 25°C ，除非另有说明。衬底连接到源的所有条件。
在正栅极 - 源极电压偏移2的ESD栅极保护二极管导通。
3. MIC94030只。
4. MIC94031只。
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
80μsec ，占空比
≤
0.5%.
2006年7月
3
M9999-071106
MIC94030/94031
TinyFET
P沟道MOSFET
概述
该MIC94030和MIC94031是4-末端硅栅
P沟道MOSFET，可提供低导通电阻的
非常小的封装。
设计用于高侧开关应用在空间
关键的， MIC94030 / 1显示出一个导通电阻的
通常0.75Ω在4.5V栅极 - 源极电压。该
MIC94030 / 1也操作以仅2.7V的栅极 - 源极
电压。
该MIC94030是基本4-引线P沟道MOSFET 。
该MIC94031是一个变化，其中包括一个内部栅极
上拉电阻，可以降低系统的部件在计数
许多应用程序。
四终端的SOT- 143封装允许在衬底
从源头上连接的连接分离。此4-
终端的配置提高了
θ
JA
（提高热
散热） ，使模拟开关的应用
实用。
小尺寸，低阈值和低R
DS （ ON）
使
MIC94030 / 1的PCMCIA卡休眠模式下的理想选择
或分布式功率管理的应用程序。
特点
13.5V最小漏极 - 源极击穿
0.75Ω典型导通电阻
- 在4.5V的栅极 - 源极电压
0.45Ω典型导通电阻
- 在10V的栅 - 源电压
工作在2.7V的栅极 - 源极电压
为增加单独的控制基板的连接
业内最小的表面贴装封装
应用
分布式电源管理
PCMCIA卡电源管理
电池供电的电脑，外设
手持式条形码扫描仪
便携式通信设备
订购信息
产品型号
标准
MIC94030BM4
MIC94031BM4
记号
P30
P31
无铅
MIC94030YM4
MIC94031YM4
记号
P30
P31
结温。范围
-55 °至+ 150°C
-55 °至+ 150°C
包
SOT-143
SOT-143
引脚配置
漏
部分
鉴定
基板
典型的PCB布局
D
PCB散热片
面提高
散热
SS
P3x
P3x
门
来源
G
S
PCB走线
SOT -143 （ M4 ）
TinyFET是麦克雷尔公司的注册商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （
408
） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2006年7月
M9999-071106
麦克雷尔INC 。
MIC94030/MIC94031
绝对最大额定值
(1)
电压和电流值是负的。没有迹象显示更清晰。
漏极至源极电压（脉冲） ..................................... 16V
栅极 - 源极电压（脉冲） 。 .................................... 16V
连续漏电流
T
A
= 25°C .............................................. ..................... 1A
T
A
= 100℃ .............................................. ................ 0.5A
工作结温..............- 55 ° C至+ 150°C
存储温度................................- 55 ° C至+ 150°C
总功耗
T
A
= 25°C .............................................. ............. 568mW
T
A
= 100℃ .............................................. ........... 227mW
热阻
θ
JA
....................................................................220°C/W
θ
JC
....................................................................130°C/W
焊接温度
1/16“的情况下， 10秒.......................................... + 300℃
电气特性
电压和电流值是负的。没有迹象显示更清晰。
符号
V
BDSS
V
GS
I
GSS
R
GS
C
国际空间站
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
栅极 - 源极电阻
输入电容
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通状态抗性
条件（注1 ）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V,
注2 ，注3
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V,
注2 ，注4
V
GS
= 0V, V
DS
= 12V
V
DS
= 12V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V,
注5
V
GS
= 10V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 100毫安
V
DS
= 10V ，我
D
=的200mA，
注5
民
13.5
0.6
500
典型值
1.0
750
100
最大
1.4
1
1000
25
单位
V
V
A
k
pF
A
A
A
mS
0.010
6.3
0.45
0.75
1.20
480
250
1.00
g
FS
注意事项：
正向跨导
1. T
A
= 25°C ，除非另有说明。衬底连接到源的所有条件。
在正栅极 - 源极电压偏移2的ESD栅极保护二极管导通。
3. MIC94030只。
4. MIC94031只。
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
80μsec ，占空比
≤
0.5%.
2006年7月
3
M9999-071106
MIC94030/94031
麦克雷尔
MIC94030/94031
TinyFET P沟道MOSFET
初步信息
概述
该MIC94030和MIC94031是4-末端硅栅
P沟道MOSFET，可提供低导通电阻在一个非常
小包装。
设计用于高侧开关应用在空间
关键的， MIC94030 / 1展品通常的导通电阻
0.75Ω在4.5V的栅极 - 源极电压。该MIC94030 / 1还
操作只有2.7V的栅极 - 源极电压。
该MIC94030是基本4-引线P沟道MOSFET 。该
MIC94031是一个变化，它包括一个内部的栅极上拉
电阻器，从而减少了系统部件在许多数
应用程序。
四终端的SOT- 143封装允许在衬底CON-
nection分开的源极连接。这4端子
结构提高了
θ
JA
（改善散热）
并使得模拟开关的应用实践。
小尺寸，低阈值和低R
DS （ ON）
使
MIC94030 / 1的PCMCIA卡休眠模式下的理想选择，或
分布式电源管理应用。
特点
13.5V最小漏极 - 源极击穿
0.75Ω典型导通电阻
在4.5V的栅极 - 源极电压
0.45Ω典型导通电阻
在10V的栅 - 源电压
用2.7V的栅 - 源电压工作
为增加独立的控制基板的连接
业界最小的表面贴装封装
应用
分布式电源管理
PCMCIA卡电源管理
电池供电的电脑，外设
手持式条形码扫描仪
便携式通信设备
订购信息
产品型号
MIC94030BM4
MIC94031BM4
温度范围*
-55 ° C至+ 150°C
-55 ° C至+ 150°C
包
SOT-143
SOT-143
*工作结温
引脚配置
典型的PCB布局
D
6
PCB散热片
面提高
散热
SS
漏
基板
部分
鉴定
产品型号
鉴定
P30
P31
P3x
门
来源
MIC94030BM4
MIC94031BM4
SOT- 143封装（ M4 ）
G
S
PCB走线
原理图符号
功能图
S
S
来源
门
基板
漏
D
G
SS
~500k
G
国内
栅极 - 源
上拉电阻
SS
D
原理图符号
专利5355008 ; 5589702
MIC94030
MIC94031
1997
6-41
MIC94030/94031
麦克雷尔
绝对最大额定值
电压和电流值是负的。没有迹象显示更清晰。
漏极至源极电压（脉冲） .................................... 16V
栅极 - 源极电压（脉冲） .................................... 16V
连续漏电流
T
A
= 25°C .............................................. ...................... 1A
T
A
= 100℃ .............................................. ................. 0.5A
工作结点温度............... -55 ° C至+ 150 °
存储温度............................... -55 ° C至+ 150°C
总功耗
T
A
= 25°C .............................................. .............. 568mW
T
A
= 100℃ .............................................. ............ 227mW
热阻
θ
JA ................................................. .....................................
220°C/W
θ
JC ................................................. ....................................
130°C/W
焊接温度
16"分之1的情况下， 10秒........................................... + 300℃
电气特性
电压和电流值是负的。
符号
V
BDSS
V
GS
I
GSS
R
GS
C
国际空间站
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
栅极 - 源极电阻
输入电容
零栅极电压漏极电流
条件（注1 ）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
没有迹象显示更清晰。
民
13.5
0.6
1.0
1.4
1
500
750
100
25
0.010
6.3
0.45
0.75
1.20
480
1.00
250
1000
典型值
最大
单位
V
V
A
k
pF
A
A
A
mS
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V,
注2 ，注3
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V,
注2 ，注4
V
GS
= 0V, V
DS
= 12V
V
DS
= 12V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V,
注5
V
GS
= 10V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 100毫安
V
DS
= 10V ，我
D
=的200mA，
注5
通态漏电流
漏源导通状态抗性。
g
FS
注1
注2
注3
注4
注5
正向跨导
T
A
= 25°C ，除非另有说明。衬底连接到源所有条件
在正栅极 - 源极电压偏移的ESD栅极保护二极管导通。
只有MIC94030
只有MIC94031
脉冲测试：脉冲宽度
≤
80μsec ，占空比
≤
0.5%
6-42
1997
QQ：2880707522 复制
