MPD8021
麦克雷尔
订购信息
产品型号
MIC8021-xxxx*
MIC8021-0001
MIC8021-0002
TYPE
风俗
工具包的一部分
工具包的一部分
温度范围
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
包
客户指定
68引脚PLCC
68引脚PLCC
*自定义的部件号。包装标识客户specificed 。
MPD8021-0001工具包部件
高压PWM控制器
高压推挽输出级................................ 6
在CMOS高电压电平转换器
和交叉保护逻辑
高压电荷泵用于高侧驱动器
带有集成的高边电流镜
带隙基准................................................ ............ 1
与温度成正比的电压输出
（可用于热关断）
运算放大器................................................ ............................. 1
比较................................................. .................... 4
浮动逻辑输入
欠压锁定
MPD8021-0002工具包部件
高电压表征阵列
高压NPN晶体管............................................ 4
（包括对匹配）
高电压PNP晶体管............................................. 1
高压P沟道场效应晶体管........................................... 2
模拟和数字低电压的MOSFET ......................... 8
外延JFET ................................................ ................. 1
200Ω和10Ω的高电压DMOS晶体管................. 3
6V和12V齐纳二极管............................................. 2 ....
小的肖特基二极管............................................... .......... 1
输入ESD保护结构........................................ 2
高阻值电阻（ 100K） ........................................... ...... 1
低阻值电阻（ 7.6k ） .......................................... ......... 1
低价值的多晶硅电阻........................................... 1
数码电池及其他部件不能从访问
该设备的针。
此设备适合于曲线跟踪或台式表征
包括MPD8021阵列中不同类型的设备。该装置是一个
补充设计信息在互联网上提供的设计
套件。
绝对最大额定值
直流输入电压
消极的，任何引脚（V
IL
),
注1
.................. V
子
– 0.5V
直流输入电压
正ESD引脚（V
IH
),
注2
........................ V
+
+ 0.5V
低压电源差分，
注3
.................. +16.5V
DMOS输出器件击穿（ BV
DSS
),
注4
. +110V
DMOS漏电流
连续的（我
D（最大）
),
注5
.................................... 0.2A
脉冲（我
D（脉冲）
),
注6
.......................................... 0.5A
DMOS栅极驱动电压（V
GS （ MAX）
),
注7：
............
±20V
标准的ESD结构电压（V
ESD
),
注8
2kV的..........
存储温度（T
S
） ....................... -65 ° C至+ 150°C
一般注意事项：
器件的ESD保护;然而，搬运注意事
系统蒸发散建议。
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
V
子
是衬底偏置电压。
V
+
是正的ESD钳位潜力，用户specificed达
+100V.
整个低压模拟或数字MOS最大电压。
DMOS源到体短路到衬底在0V 。
V
GS
= 15V.
5μs的脉冲， 10 ％的占空比。
测得的相对于源 - 体短。
测量之间的任何两个引脚。
工作额定值
环境温度（T
A
） ....................... -55 ° C至+ 125°C
电气和物理摘要
焊盘................................................ .................. 67
2kV的ESD垫............................................... ................. 36
芯片尺寸............................................... 0.222英寸
×
0.182英寸
CMOS输出缓冲器瓷砖.............................................. 12
CMOS模拟瓷砖............................................... .......... 13
大功率DMOS .............................................. .. 12 @ 10Ω
双极型器件
分裂集电极PNP .............................................. ......... 14
NPN ................................................. ............................ 14
齐纳二极管................................................ ................ 10
CMOS逻辑器件
NMOS ................................................. ...................... 354
PMOS ................................................. ....................... 354
阻力
P阱............................................... ....................... 1MΩ
N + ................................................. ........................... 20kΩ的
多晶硅................................................. ......至50kΩ的
电容................................................. ............... 45pF
裁剪范围................................................ ......... 3位
11
1997
11-5
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