MIC5841/5842
8位串行输入锁存驱动器
概述
采用BiCMOS工艺技术， MIC5841 / 5842集成
电路被制造在各种各样的情况下使用
外围功率驱动器应用。每个器件
有一个8位CMOS移位寄存器， CMOS控制
电路8的CMOS数据锁存和8双极
电流宿达林顿输出驱动器。
只有在最高额定电压这两种设备不同。
该MIC5842提供了优异的性能与
80V的最小输出额定击穿电压（ 50V
维持） 。该驱动器可以用一个分开进行供电
其中，负电源下降到-20V 。
500mA的输出，整体瞬态抑制
二极管，适于与灯，继电器，螺线管的使用
等感性负载。
这些设备提高了速度快的特点。同
一个5V逻辑电源，他们通常会运行速度比
5兆赫。与12V电源，显著较高的速度是
获得。该CMOS输入与标准兼容
的CMOS ， PMOS和NMOS的逻辑电平。 TTL或DTL
电路可能需要使用适当的上拉
电阻器。通过使用串行数据输出，驱动器可以
可级联需要额外的应用程序接口
驱动线路。
该MIC5840系列有DIP ， PLCC可用， SOIC
包。因为封装的功率限制
耗散，所有驱动程序在同时运行
最大额定电流，可能需要在税降低
周期。的铜合金引线框架提供用于最大
封装功耗。
特点
3.3 MHz的最小数据输入速率
CMOS ， PMOS ， NMOS ， TTL兼容
内部上拉/下拉电阻
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
高压电流吸收输出
输出瞬态保护二极管
单或分割电源供电
订购信息
产品型号
标准
MIC5841BN
MIC5841BV
MIC5841BWM
MIC5842BN
MIC5842BV
MIC5842BWM
无铅
MIC5841YN
MIC5841YV
MIC5841YWM
MIC5842YN
MIC5842YV
MIC5842YWM
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
18引脚塑料DIP
20引脚PLCC
18引脚宽体SOIC
18引脚塑料DIP
20引脚PLCC
18引脚宽体SOIC
温度范围
包
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （
408
） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2006年5月
M9999-050506
(408) 955-1690
麦克雷尔INC 。
MIC5841/42
工作原理图
CLK
1
串行
DATA IN
3
6
8 - B IT SER IA L - PARALLELSH IFT RE GIS TER
串行
数据输出
V
DD
5
V
S S
4
L A TC ^ h （E S）
7
频闪
OUTPUT ENABLE
（低电平有效）
8
MOS
双极
子
1
V
E E
9
K
10
出出出出出出出出
1
2
3
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
13
12
11
2006年5月
2
M9999-050506
(408) 955-1690
麦克雷尔INC 。
MIC5841/42
绝对最大额定值
(1,2,3)
在25℃下自由空气温度和Ⅴ
SS
................... 0V
输出电压V
CE
（ MIC5841 ） ............................. 50V
（ MIC5842 ） .............................. 80V
输出电压V
CE （ SUS）
(MIC5841)
(1)..................................
35V
（ MIC5842 ） ........................ 50V
逻辑电源电压，V
DD
....................................... 15V
VDD与参考V
EE
..................................... 25V
发射器电源电压，V
EE
...................................–20V
输入电压范围，V
IN
............... -0.3V到V
DD
+ 0.3V
连续输出电流，I
OUT
.........................500mA
封装功耗，P
D
(2)
........................1.82W
工作温度范围，T
A
.......- 55 ° C至+ 85°C
存储温度范围，T
S
........- 65 ° C至+ 150°C
电气特性
在T
A
= 25°C V
DD
= 5V, V
SS
= V
EE
= 0V （除非另有说明）
范围
特征
输出漏电流
符号
I
CEX
适用设备
MIC5841
MIC5842
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
两
测试条件
V
OUT
= 50V
V
OUT
= 50V ，T
A
= +70C
V
OUT
= 80V
V
OUT
= 80V ，T
A
= +70C
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 200毫安
I
OUT
= 350mA，可V
DD
= 7.0V
I
OUT
= 350mA电流L = 2MH
I
OUT
= 350mA电流L = 2MH
V
DD
= 12V
V
DD
= 10V
V
DD
= 5.0V(4)
V
DD
= 12V
V
DD
= 10V
V
DD
= 5.0V
所有驱动器ON ，V
DD
= 12V
所有驱动器ON ，V
DD
= 10V
所有驱动器ON ，V
DD
= 5.0V
所有驱动程序关，V
DD
= 12V
所有驱动程序关，V
DD
= 10V
所有驱动程序关，V
DD
= 5.0V
V
R
= 50V
V
R
= 80V
I
F
= 350毫安
民
最大
50
100
50
100
1.1
1.3
1.6
35
50
0.8
10.5
8.5
3.5
50
50
50
16
14
8.0
2.9
2.5
1.6
50
50
2.0
单位
A
V
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压
V
CE(SUS)(5)
V
IN(0)
V
IN(1)
MIC5841
MIC5842
两
两
V
V
输入阻抗
R
IN
两
k
电源电流
国际直拨电话
（上）
两
1.6
国际直拨电话
（关闭）
两
钳位二极管的泄漏电流
钳位二极管的正向电压
I
R
V
F
MIC5841
MIC5842
两
A
V
2006年5月
3
M9999-050506
(408) 955-1690
麦克雷尔INC 。
MIC5841/42
电气特性
在T
A
= -55°C V
DD
= 5V, V
SS
= V
EE
= 0V （除非另有说明）
范围
特征
输出漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CEX
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
OUT
= 80V
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 200毫安
I
OUT
= 350mA，可V
DD
= 7.0V
V
DD
= 12V
V
DD
= 5.0V
V
DD
= 12V
V
DD
= 10V
V
DD
= 5.0V
所有驱动器ON ，V
DD
= 12V
所有驱动器ON ，V
DD
= 10V
所有驱动器ON ，V
DD
= 5.0V
所有驱动程序关，V
DD
= 12V
所有驱动程序关，V
DD
= 5.0V
10.5
3.5
35
35
35
16
14
10
3.5
2.0
民
最大
50
1.3
1.5
1.8
0.8
单位
A
V
输入电压
V
IN(0)
V
IN(1)
R
IN
V
输入阻抗
k
电源电流
I
DD （ ON）
mA
I
DD （ OFF ）
电气特性
在T
A
= + 125°C V
DD
= 5V, V
SS
= V
EE
= 0V （除非另有说明）
范围
特征
输出漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CEX
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
OUT
= 80V
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 200毫安
I
OUT
= 350mA，可V
DD
= 7.0V
V
DD
= 12V
V
DD
= 5.0V
V
DD
= 12V
V
DD
= 10V
V
DD
= 5.0V
所有驱动器ON ，V
DD
= 12V
所有驱动器ON ，V
DD
= 10V
所有驱动器ON ，V
DD
= 5.0V
所有驱动程序关，V
DD
= 12V
所有驱动程序关，V
DD
= 5.0V
MIC5841A V
R
= 50V
MIC5842A V
R
= 80V
10.5
3.5
50
50
50
16
14
8
2.9
2.1.6
1.6
100
民
最大
500
1.3
1.5
1.8
0.8
单位
A
V
输入电压
V
IN(0)
V
IN(1)
R
IN
V
输入阻抗
k
电源电流
I
DD （ ON）
mA
I
DD （ OFF ）
钳位二极管的泄漏电流
I
R
A
注意事项：
1.对于感性负载的应用。
2.减免在18.2mW / ° C以上TA = 25 ° C（塑料DIP ）的速度
3. CMOS器件具有输入静态保护，但容易暴露在极高的静电电荷损坏。
4.操作这些设备与标准TTL ，可能需要使用适当的上拉电阻，以确保输入逻辑高电平。
5.未经100％测试。通过设计保证。
2006年5月
4
M9999-050506
(408) 955-1690
麦克雷尔INC 。
MIC5841/42
时序条件
（ TA = 25 ℃的逻辑电平V
DD
和V
SS
)
V
DD
= 5V
A.最小数据有效时钟脉冲之前（数据建立时间） ................................. .................................... 75纳秒
B.最小数据有效时间时钟脉冲后（数据保持时间） .................................... ........................................ 75纳秒
C.最小数据脉冲宽度................................................................................................................................... 150纳秒
D.最小时钟脉冲Width................................................................................................................................... 150纳秒
E.最小时间之间的时钟激活和频闪......................................... .................................................. 300纳秒
F.最小选通脉冲Width.................................................................................................................................. 100纳秒
G.典型的选通之间的激活和输出转换时间........................................ .................................... 500纳秒
串行数据输入端存在被转移到在逻辑“0” ，移位寄存器的逻辑“1”的时钟的过渡
输入脉冲。在随后的时钟脉冲，寄存器转向串行数据输出的数据信息。该
串行数据必须先于时钟输入波形的上升沿出现在输入。
信息中存在的任何寄存器被转移到其相应的闩锁，当STROBE为高电平（串行 - 并行
转化率）。锁存器将继续，只要选通高举接受新的数据。应用场合
锁存器被旁路（频闪拉高）将要求ENABLE输入是串行数据输入过程中的高。
当使能输入为高电平时，所有的输出缓冲器被禁用（OFF ），而存储在影响信息
锁存器或移位寄存器。用ENABLE输入为低电平时，输出由锁存器的状态进行控制。
MIC5840系列真值表
串行
数据
输入
H
L
X
时钟
输入
移位寄存器的内容
I
1
H
L
R1
X
P1
I
2
R1
R1
R2
X
P2
I
3
R2
R2
R3
X
P3
…
…
…
…
…
…
I
8
R7
R7
R8
X
P8
串行
数据
产量
R7
R7
R8
X
P8
L
H
R1
P1
X
L =低逻辑电平
H =高逻辑电平
X =无关
P =现状
R =以前的状态
频闪
输入
锁存器的内容
I
1
I
2
I
3
…
I
8
产量
启用
输出内容
I
1
I
2
I
3
…
I
8
R2
P2
X
R3
P3
X
…
…
…
R8
P8
X
L
H
P1
H
P2
H
P3
H
…
…
P8
H
2006年5月
5
M9999-050506
(408) 955-1690
MIC5841/5842
麦克雷尔
MIC5841/5842
8位串行输入锁存驱动器
概述
采用BiCMOS工艺技术， MIC5841 / 5842集成
电路被制造在各种各样的情况下使用
外围功率驱动器应用。这些器件各有
一个8位CMOS移位寄存器， CMOS控制电路，
八个CMOS数据锁存器和八个双极电流吸收
达林顿输出驱动器。
只有在最高额定电压这两种设备不同。
该MIC5842提供了优异的性能与最低
的80V （ 50V持续）输出的额定击穿电压。该
驱动器可以用一个分离电源来操作，其中所述负
供应量下降到-20V 。
500 mA输出，带完整的瞬态抑制
二极管，适于与灯，继电器，螺线管和使用
其他感性负载。
这些设备提高了速度快的特点。有
5V逻辑电源，它们通常运行于5 MHz的速度更快。
与12V电源，显著更高的速度而异。
该CMOS输入与标准CMOS兼容，
PMOS和NMOS的逻辑电平。 TTL或DTL电路可
需要使用适当的上拉电阻。通过使用
串行数据输出端，所述驱动器可级联接口
应用程序需要附加驱动线路。
该MIC5840系列有DIP ， PLCC可用， SOIC
包。因为封装的功率耗散限制
化，所有的驱动程序在最大的同时操作
额定电流，可能需要在占空比的减小。一
铜合金引线框架提供了最大包
功耗。
特点
3.3 MHz的最小数据输入速率
CMOS ， PMOS ， NMOS ， TTL兼容
内部上拉/下拉电阻
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
高压电流吸收输出
输出瞬态保护二极管
单或分割电源供电
订购信息
产品型号
MIC5841BN
MIC5841BV
MIC5841BWM
MIC5842BN
MIC5842BV
MIC5842BWM
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
18引脚塑料DIP
20引脚PLCC
18引脚宽体SOIC
18引脚塑料DIP
20引脚PLCC
18引脚宽体SOIC
工作原理图
CLK
1
引脚配置
串行
DATA IN
6
8位串行 - 并行移位寄存器
3
5
串行
数据输出
V
DD
VEE
时钟
1
子
18
C
17
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
OUT5
OUT6
OUT7
OUT8
K
2
4
锁存器
7
频闪
VSS
VDD
4 VSS
5 VDD
锁存器
V
SS
移位寄存器
串行数据输入3
16
15
14
13
12
11
10
8
MOS
双极
OUTPUT ENABLE
（低电平有效）
串行数据输出6
频闪
7 ST
8 OE
9
子
子
1
9
OUTPUT ENABLE
VEE
V
EE
10
18
17
16
15
14
13
12
11
K
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
（ DIP ， SOIC ）
7-42
1998年10月
MIC5841/5842
在串行数据
麦克雷尔
引脚配置
（ 20引脚PLCC ）顶视图。
绝对最大额定值（注1 ， 2 ， 3 ）
时钟
在25℃下自由空气温度和Ⅴ
SS
= 0V
出1
输出2
VEE
3
2
1
20
19
18
17
NC
VSS
VDD
串行数据输出
NC
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
OUT 3
出4
5
出6
出7
MIC5842BV
16
15
14
输出电压V
CE
(MIC5841)
50V
(MIC5842)
80V
输出电压V
CE （ SUS）
（ MIC5841 ） （注1 ）
35V
(MIC5842)
50V
逻辑电源电压，V
DD
15V
V
DD
与参考V
EE
25V
发射器电源电压，V
EE
–20V
输入电压范围，V
IN
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
连续输出电流，I
OUT
500mA
封装功耗，P
D（注2）
1.82W
工作温度范围，T
A
-55 ° C至+ 85°C
存储温度范围，T
S
-65 ° C至+ 150°C
注1 ：对于感性负载的应用。
注2 ：在减免的18.2mW /速率° C以上牛逼
A
= 25 ° C（塑料DIP ）
注3 ： CMOS器件具有输入静态保护，但很容易受到
损坏时，接触到非常高的静电
收费。
输出EN
频闪
K
电气特性
在T
A
= 25°C V
DD
= 5V, V
SS
= V
EE
= 0V （除非另有说明）
适用
特征
输出漏电流
符号
I
CEX
器件
MIC5841
MIC5842
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极 - 发射极
维持电压
输入电压
V
CE （ SUS）
（注5 ）
V
IN(0)
V
IN(1)
MIC5841
MIC5842
两
两
V
DD
= 12V
V
DD
= 10V
V
DD
= 5.0V （见注4 ）
输入阻抗
R
IN
两
V
DD
= 12V
V
DD
= 10V
V
DD
= 5.0V
电源电流
I
DD （ ON）
两
所有驱动器ON ，V
DD
= 12V
所有驱动器ON ，V
DD
= 10V
所有驱动器ON ，V
DD
= 5.0V
I
DD （ OFF ）
两
所有驱动程序关，V
DD
= 12V
所有驱动程序关，V
DD
= 10V
所有驱动程序关，V
DD
= 5.0V
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
V
F
I
R
MIC5841
MIC5842
两
V
R
= 50V
V
R
= 80V
I
F
= 350毫安
10.5
8.5
3.5
50
50
50
16
14
8.0
2.9
2.5
1.6
50
50
2.0
V
A
mA
k
V
CE （ SAT ）
两
测试条件
V
OUT
= 50V
V
OUT
= 50V ，T
A
= +70°C
V
OUT
= 80V
V
OUT
= 80V ，T
A
= +70°C
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 200毫安
I
OUT
= 350mA，可V
DD
= 7.0V
I
OUT
= 350mA电流L = 2MH
I
OUT
= 350mA电流L = 2MH
35
50
0.8
V
分钟。
范围
马克斯。
50
100
50
100
1.1
1.3
1.6
V
V
单位
A
OUT 8
VEE
7
注4 ：这些器件采用标准TTL的操作可能需要使用合适的上拉电阻，以保证一个
输入逻辑高电平。
注5 ：未经100％测试。通过设计保证。
1998年10月
7-43
MIC5841/5842
时钟
A
B
DATA IN
E
频闪
C
F
D
麦克雷尔
产量
启用
G
输出N
时序条件
(T
A
= 25°C逻辑电平V
DD
和V
SS
)
A.
B.
C.
D.
E.
F.
G.
V
DD
= 5V
最小数据有效时钟脉冲（数据建立时间）之前.................................... .................................... 75纳秒
最小数据有效时钟脉冲之后（数据保持时间） ..................................... ........................................ 75纳秒
最小数据脉冲宽度..................................................................................................................................... 150纳秒
最小时钟脉冲宽度.................................................................................................................................... 150纳秒
之间的时钟激活和频闪最短时间........................................... .................................................. 300纳秒
最小选通脉冲宽度................................................................................................................................... 100纳秒
间频闪激活和输出转换时间的典型.......................................... ................................... 500纳秒
串行数据输入端存在被转移到在逻辑“0” ，移位寄存器的逻辑“1”的时钟输入的过渡
脉搏。在随后的时钟脉冲，寄存器转向串行数据输出的数据信息。串行
数据必须先于时钟输入波形的上升沿出现在输入。
信息中存在的任何寄存器被转移到其相应的闩锁，当STROBE为高电平（串行到并行转换）。
锁存器将继续，只要选通高举接受新的数据。其中，锁存器绕过应用程序
（频闪拉高）将要求ENABLE输入是串行数据输入过程中的高。
当使能输入为高电平时，所有的输出缓冲器被禁用（OFF ），而存储在锁存器影响的信息
或移位寄存器。用ENABLE输入为低电平时，输出由锁存器的状态进行控制。
7
MIC5840系列真值表
串行
数据
输入
H
L
X
移位寄存器的内容
时钟
输入
I
1
H
L
R
1
X
P
1
L =低逻辑电平
H =高逻辑电平
X =无关
P =现状
R =以前的状态
I
2
R
1
R
1
R
2
X
P
2
I
3
……
I
8
串行
数据选通
输出输入
R
7
R
7
R
8
X
P
8
L
H
锁存器的内容
I
1
I
2
I
3
……
I
8
产量
启用
I
1
输出内容
I
2
I
3
……
I
8
R
2
…… R
7
R
2
…… R
7
R
3
…… R
8
X
……
X
P
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1998年10月
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