MIC5021
麦克雷尔
MIC5021
高速高边MOSFET驱动器
概述
该MIC5021高边MOSFET驱动器被设计为能操作
在吃的频率高达100kHz （ 5kHz的PWM为2 ％至100 ％
占空比） ，并且用于高速应用的理想选择
如电机控制， SMPS （开关模式电源） ，
并采用IGBT的应用。该MIC5021还可以
作为一个断路器带或不带自动重试。
对输入A的上升沿或下降沿中的电流源产生
脉冲或脉冲水槽上的栅极输出。这个输出电流
脉冲可以在2000pF MOSFET的导通约
550ns 。该MIC5021则提供了一个限流（ < 2毫安）
如果需要的话，为了保持输出状态。
过流比较器具有50mV的品牌之旅电压
该MIC5021非常适合与一个电流检测MOSFET的使用。
可以使用的一个外部低值电阻器代替
检测MOSFET进行更精确的过流控制。一
可选的外接电容放置在C
T
引脚接地
也可以使用以控制电流的关断占空比（死
时间）为20％至< 1％。一个占空比为20％至约75％的
可以用从C的可选的上拉电阻
T
到V
DD
.
该MIC5021采用8引脚SOIC和塑料DIP
包。
在MIC502x系列的其它成员包括MIC5020
低侧驱动器和MIC5022半桥驱动器，具有一个
跨导互锁。
特点
12V至36V操作
550ns的上升/下降时间驱动2000pF
TTL兼容输入，带内部上拉下拉电阻
过流限制
门源保护
内部电荷泵
100kHz的操作保证在整个温度和
工作电压范围
与电流检测的MOSFET
电流源驱动器可降低EMI
应用
灯控制
加热器控制
电机控制
电磁开关
开关模式电源
断路器
订购信息
产品型号
MIC5021BM
MIC5021BN
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
5
典型用途
+ 12V至+ 36V
MIC5021
10F
TTL输入
可选*
1
2
3
4
V
DD
输入
C
T
GND
V
BOOST
门
SENSE
SENSE
8
7
6
5
2.7
nF
R
SENSE
R
SENSE -
50mV
I
旅
*重试前的时间增加
N沟道
功率MOSFET
与过电流跳闸和重试高侧驱动器
1998年10月
5-169
负载
MIC5021
麦克雷尔
引脚配置
1 V
DD
2输入
3 C
T
4 GND
V
BOOST
8
GATE 7
有义6
感+ 5
1
2
3
4
V
DD
输入
C
T
V
BOOST
8
GATE 7
有义6
GND感+ 5
DIP封装
(N)
SOIC封装
(M)
框图
6V内部稳压器
I
1
C
INT
2I
1
故障
C
T
正常
V
DD
收费
泵
V
BOOST
Q1
SENSE +
SENSE -
ON
15V
50mV
关闭
输入
↑
单
↓
镜头
6V
门
10I
2
I
2
三极管： 106
引脚说明
引脚数
1
2
3
引脚名称
V
DD
输入
C
T
引脚功能
电源： + 12V至+ 36V 。与去耦
≥
10μF电容。
TTL兼容输入：逻辑高电平接通外部MOSFET 。一
内部下拉返回一个开放的引脚为逻辑低电平。
重试定时电容：控制关断时间（t
G（ OFF）
）过电流的
重试周期。 （占空比调节。 ）
打开=约。 20 ％的占空比。
电容接地=约。 20％至< 1 ％的占空比。
上拉电阻=约。 20％至约75 ％的占空比。
在过流条件地=保持关机。
电路接地
电流检测比较器（ + ）输入：连接到检测电阻的高边
或电流检测MOSFET意识领先。内置的与结合的偏移
R
SENSE
设置负载过流跳闸点。
电流检测比较器（ - ）输入：连接到感偏低
电阻（负载通常偏高） 。
门极驱动：驱动外部功率MOSFET的栅极。也限制了V
GS
至15V最大。为了防止栅 - 源损坏。将水槽和源
电流。
电荷泵升压电容：从V自举电容器
BOOST
对
FET源极引脚提供充电过程中快速提升门输出
开启。
4
5
GND
SENSE +
6
7
SENSE -
门
8
V
BOOST
5-170
1998年10月
MIC5021
麦克雷尔
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
) .................................................. +40V
输入电压................................................ -0.5V至+ 15V
感差分电压..........................................
±6.5V
感+或感 - 到GND .......................... -0.5V至+ 36V
定时器电压（C
T
) ..................................................... +5.5V
V
BOOST
电容................................................. 0.01μF ...
工作额定值
电源电压（V
DD
） .................................... + 12V至+ 36V
温度范围
PDIP ................................................. ...... -40 ° C至+ 85°C
SOIC ................................................. ..... -40 ° C至+ 85°C
电气特性
T
A
= 25°C ， GND = 0V ，V
DD
= 12V ，C
T
=打开，门
L
= 1500pF （ IRF540 MOSFET ） ，除非另有规定编
符号
参数
直流电源电流
条件
V
DD
= 12V，输入= 0V
V
DD
= 36V ，输入= 0V
V
DD
= 12V，输入= 5V
V
DD
= 36V ，输入= 5V
输入阈值
输入滞后
输入下拉电流
电流限制阈值
门上的电压
输入= 5V
注1
V
DD
= 12V
注2
V
DD
= 36V
注2
t
G（ ON）的
t
G（ OFF）
t
DLH
t
R
t
DLH
t
F
f
最大
注1
注2
注3
注4
注5
注6
注7：
民
典型值
1.8
2.5
1.7
2.5
最大
4
6
4
6
2.0
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
A
mV
V
V
s
s
ns
ns
ns
ns
千赫
0.8
1.4
0.1
10
30
16
46
2
10
20
50
18
50
6
20
500
400
800
400
40
70
21
52
10
50
1000
500
1500
500
5
门开启时间，固定
门关闭时间，可调节
门的开启延迟
门上升时间
栅极关断延迟
GATE下降时间
最大工作频率
意识差>为70mV
意识差>为70mV ，C
T
= 0pF
注3
注4
注5
注6
注7：
100
150
当使用感的MOSFET ，它建议R
SENSE
< 50Ω 。较高的值可能会影响感应MOSFET的电流传输比。
直流测量。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门转变为0V至2V 。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门的过渡，从2V至17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间从20V （栅极电压）门过渡到17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间门的过渡，从17V至2V 。
频率上的电压门减少至17V 50 ％的输入的占空比。
1998年10月
5-171
MIC5021
麦克雷尔
典型特征
电源电流与
电源电压
V
IN
= 0V
V
门
(V)
栅极电压变化
- 电源电压
25
V
门
= V
门
– V
供应
20
15
10
5
0
栅极导通延迟 -
电源电压
900
850
t
ON 4V
（纳秒）
800
750
包括传播延迟
2.5
2.0
I
供应
（MA ）
1.5
1.0
0.5
0.0
V
门
= V
供应
+ 4V
C
L
= 1500pF （ IRCZ34 ）
C
BOOST
= 0.01F
V
IN
= 5V
700
650
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
5
10
15
20 25 30
V
供应
(V)
35
40
栅极导通延迟 -
电源电压
1000
950
t
ON 10V
（纳秒）
900
850
800
包括传播延迟
栅极导通延迟 -
栅极电容
2.5
栅极关断延迟 -
电源电压
2000
V
门
= V
供应
+ 4V
R
L
= 400
V
门
= V
供应
+ 10V
C
L
= 1500pF （ IRCZ34 ）
C
BOOST
= 0.01F
t
ON
(s)
2.0
1.5
1.0
0.5
V
门
= V
供应
+ 4V
V
供应
= 12V
1750
t
关4V
（纳秒）
1500
1250
1000
C
门
= 1500pF
(IRCZ34)
包括传播延迟
包括传播延迟
750
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
0.0
1x10
0
1x10
1
1x10
2
1x10
3
1x10
4
1x10
5
C
门
（PF ）
750
5
10
15
20 25 30
V
供应
(V)
35
40
过流重试税
周期与时序电容
25
重试占空比（ ％ ）
20
15
10
5
0
0.1
注意：
t
ON
, t
关闭
时间
独立
V的
供应
1
10
100
C
T
（PF ）
1000 10000
t
ON
= 5s
V
供应
= 12V
I
IN
(A)
100
80
输入电流 -
输入电压
V
供应
= 12V
电压（毫伏）
感觉阈值与
温度
80
70
60
50
40
30
60
40
20
0
0
5
10
15
V
IN
(V)
20
25
20
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
输入
门
感+， -
迪FF erential
TTL （H）的
0V
15V （最大）
来源
50mV
0V
时序图1.正常运行
6s
20s
6s
输入
门
感+， -
迪FF erential
TTL （H）的
0V
15V （最大）
来源
50mV
0V
输入
门
感+， -
迪FF erential
TTL （H）的
0V
15V （最大）
来源
50mV
0V
时序图2.故障状态，C
T
=打开
5-172
时序图3.故障状态，C
T
=接地
1998年10月
MIC5021
麦克雷尔
内部齐纳二极管，进而保护外部MOSFET由
限制性的栅极到源极电压。
检测输入
该MIC5021的为50mV （标称值）触发电压是由创建
这迫使约5μA了内部电流源
SENSE
+约15μA （在旅途）出
SENSE
–.
当
SENSE
- 为50mV以上低于
SENSE
+,
SENSE
–
抢断基极电流从内部驱动晶体管关停
关闭外部MOSFET 。
过电流限制
电流源I
1
C充电
INT
上电时。可选
连接到C外部电容
T
通过不停地被排出
一个MOSFET Q1 。
故障状态（ >从50mV的
SENSE
+到
SENSE
- ）的原因
过流比较器，使电流吸收器2I
1
哪
克服了电流源I
1
放电
INT
在很短的时间。
当C
INT
被排出，所述
输入
被停用的，这变成
关的栅极输出端，和C
INT
和C
T
已准备好进行充电。
当栅极输出关断MOSFET时，过流
信号从检测输入其中失活除去
灌电流2I
1
。这允许C
INT
和可选的电容
连接到C
T
充电。施密特触发器延迟
重试而电容器（S ）充电。重试延迟IN-
通过一个电容连接到C折痕
T
（可选）。
重试周期将继续下去，直到故障消除或
输入变为TTL低。
如果C
T
连接到地，该电路将不会根据一个重试
故障状态。
功能说明
参考MIC5021框图。
输入
信号大于1.4V （标称值）应用到MIC5021
输入
导致门强化对外部MOSFET
接通MOSFET 。
内部下拉电阻保证了开放
输入
仍然很低，保持关断外部MOSFET 。
门输出
的快速上升和下降时间
门
输出是可能的
因为每个输入状态变化触发单稳态其中
激活一个高价值的灌电流（ 10I
2
）很短的时间。这
绘制一个高电流虽然电流镜电路引起
输出晶体管快速充电或放电
外部MOSFET的栅极。
第二个电流吸收不断吸取的较小值
当前用于维持栅极电压为所选
状态。
内部电荷泵利用外部“助推”电容器
连接V之间
BOOST
和外部的源
MOSFET。 （参见典型应用。 ）自举电容
储存电荷，当MOSFET关断。由于MOSFET
导通时，其源极与地电压升高，并加
到电容器两端的电压，加在V
BOOST
针
电压。升压电容器的电荷通过定向
门
引脚连接到MOSFET的栅极快速充电到16V
最上面的V
DD
。内部电荷泵维持
栅极电压。
5
应用信息
该MIC5021 MOSFET驱动器适用于高端
切换应用过流限制和高
速度是必需的。该MIC5021可控制的MOSFET的
开关电压高达36V 。
高侧开关电路的优点
高侧开关允许更多的负载相关的康波
堂费和接线，以保持接近地电位时，
相比低侧开关。这降低的可能性
短到地面事故或故障。
速度上的优势
该MIC5021是幅度约两个数量级的速度比
低成本MIC5014使其适合于高频
在PWM高英法fi效率的电路操作（脉冲宽度调制
LATION ）设计的用于电机控制， SMPS （开关模式
电源）和加热元件的控制。
切换负载（开/关）由MIC5021的快速好处音响吨
通过允许使用的MOSFET具有更小的开关时间
安全工作区。 （较大的MOSFET通常需要
使用速度较慢的驱动程序时。 ）
电源电压
该MIC5021的输入电源（ V
DD
）的额定功率高达36V 。该
电源电压必须等于或大于电压
施加到外部的N沟道MOSFET的漏极。
16V的最小电源推荐产生continu-
OU中的导通状态，栅极驱动电压为标准的MOSFET （10V
标称门增强） 。
当驾驶员从12V供电至16V电源供电，具有逻辑电
平MOSFET推荐（ 5V标称门enhance-
换货） 。
PWM操作可能会产生令人满意的门增强
在较低的电源电压。发生这种情况时快速开关
重复使升压电容器的更显著
电压供给比内部电荷泵。
1998年10月
5-173
MIC5021
麦克雷尔INC 。
MIC5021
高速高边MOSFET驱动器
概述
该MIC5021高边MOSFET驱动器被设计为能操作
在吃的频率高达100kHz （ 5kHz的PWM为2 ％至100 ％
占空比） ，并且用于高速应用的理想选择
如电机控制， SMPS （开关模式电源） ，
并采用IGBT的应用。该MIC5021还可以操作
作为断路器带或不带自动重试。
对输入A的上升沿或下降沿中的电流源产生
脉冲或脉冲水槽上的栅极输出。这个输出电流
脉冲可在约550ns一个2000pF MOSFET的导通。
该MIC5021然后提供一个限制电流（ < 2毫安）中，如果
必要时，保持输出状态。
过流比较器具有50mV的品牌之旅电压
该MIC5021非常适合与一个电流检测MOSFET的使用。一
可以使用感测的低外部电阻值代替
MOSFET进行更精确的过流控制。可选
外部电容放置在C
T
引脚接地可
使用以控制电流的关断占空比（死区时间）
从20％到< 1％。一个占空比为20％至约75％是
可以用从C的可选的上拉电阻
T
到V
DD
.
该MIC5021采用8引脚SOIC和塑料DIP
包。
在MIC502x系列的其它成员包括MIC5020
低侧驱动器和MIC5022半桥驱动器，具有一个
跨导互锁。
特点
12V至36V操作
550ns的上升/下降时间驱动2000pF
TTL兼容输入，带内部上拉下拉电阻
过流限制
门源保护
内部电荷泵
100kHz的操作保证在整个温度和
工作电压范围
与电流检测的MOSFET
电流源驱动器可降低EMI
灯控制
加热器控制
电机控制
电磁开关
开关模式电源
断路器
应用
订购信息
产品型号
标准
MIC5021BN
无铅
MIC5021YN
温度
范围
包
MIC5021BM MIC5021YM -40C至+ 85C 8引脚SOIC
-40 ° C至+ 85°C 8引脚塑料DIP
典型用途
+ 12V至+ 36V
MIC5021
V
DD
输入
C
T
GND
V
B OOS牛逼
门
SENSE-
SENSE +
10F
TTL输入
可选*
1
2
3
4
8
7
6
5
2.7
nF
R
性S E北南ê
R
性S E北南ê
负载
=
N沟道
功率MOSFET
50mV
I
TR IP
*重试前的时间增加
与过电流跳闸和重试高侧驱动器
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年7月
1
MIC5021
MIC5021
麦克雷尔INC 。
引脚CON组fi guration
1
2
3
4
V
DD
输入
C
T
GND
V
B OOS牛逼
门
SENSE-
SENSE +
8
7
6
5
1
2
3
4
V
DD
V
B OOS牛逼
输入
C
T
GND
8
7
6
5
门
SENSE-
SENSE +
DIP封装
(N)
SOIC封装
(M)
框图
6V内部稳压器
I
1
C
INT
2I
1
故障
正常
C
T
V
DD
收费
PUM P
Q1
V
B OOS牛逼
SENSE +
SENSE-
50mV
输入
↑
单
↓
镜头
ON
关闭
15V
6V
10I
2
I
2
门
三极管： 106
引脚说明
引脚数
1
2
3
引脚名称
输入
C
T
V
DD
引脚功能
电源： + 12V至+ 36V 。与去耦≥ 10μF电容。
TTL兼容输入：逻辑高电平接通外部MOSFET 。一个跨
最终下拉返回一个开放的引脚为逻辑低电平。
重试定时电容：控制关断时间（t
G（ OFF）
）过电流的
重试周期。 （占空比调节。 ）
打开=约。 20 ％的占空比。
电容接地=约。 20％至< 1 ％的占空比。
上拉电阻=约。 20％至约75 ％的占空比。
在过流条件地=保持关机。
电路接地
电流检测比较器（ + ）输入：连接到检测电阻的高边
或电流检测MOSFET意识领先。内置的与结合的偏移
R
SENSE
设置负载过流跳闸点。
电流检测比较器（ - ）输入：连接到感偏低
电阻（负载通常偏高） 。
4
5
GND
SENSE +
6
7
SENSE -
门
门极驱动：驱动外部功率MOSFET的栅极。也限制了V
GS
至15V最大。为了防止栅 - 源损坏。将水槽和电流源
租。
电荷泵升压电容：从V自举电容器
BOOST
对
FET源极引脚提供充电过程中快速提升门输出
开启。
8
V
BOOST
MIC5021
2
2005年7月
MIC5021
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
)................................................... +40V
输入电压................................................ 。 - 0.5V至+ 15V
感差分电压.......................................... ± 6.5V
感+或感 - 到GND ...........................- 0.5V至+ 36V
定时器电压（C
T
) ...................................................... +5.5V
V
BOOST
电容................................................. 0.01μF ....
工作额定值
电源电压（V
DD
） ..................................... + 12V至+ 36V
温度范围
PDIP
.....................................................................
-40 ° C至+ 85°C
SOIC ................................................. ..... -40 ° C至+ 85°C
电气特性
符号
参数
直流电源电流
T
A
= 25°C ， GND = 0V ，V
DD
= 12V ，C
T
=打开，门
L
= 1500pF （ IRF540 MOSFET ） ，除非另有规定编
条件
V
DD
= 12V，输入= 0V
V
DD
= 36V ，输入= 0V
V
DD
= 12V，输入= 5V
输入阈值
输入滞后
输入下拉电流
电流限制阈值
门上的电压
t
G（ ON）的
t
DLH
t
R
t
F
t
DLH
f
最大
注1
注2
注3
注4
注5
注6
注7：
民
典型值
1.8
2.5
1.7
2.5
最大
4
6
4
6
2.0
40
70
21
52
10
50
1000
500
1500
500
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
A
mV
V
V
s
s
ns
ns
ns
ns
千赫
V
DD
= 36V ，输入= 5V
0.8
10
30
16
46
2
10
1.4
0.1
20
50
18
50
6
20
500
400
800
400
输入= 5V
注1
V
DD
= 36V
注2
V
DD
= 12V
注2
意识差>为70mV
门开启时间，固定
门关闭时间，可调节
门的开启延迟
门上升时间
栅极关断延迟
GATE下降时间
最大工作频率
直流测量。
t
G（ OFF）
意识差>为70mV ，C
T
= 0pF
注3
注4
注5
注6
注7：
100
150
当使用感的MOSFET ，它建议R
SENSE
< 50Ω 。较高的值可能会影响感应MOSFET的电流传输比。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门转变为0V至2V 。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门的过渡，从2V至17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间从20V （栅极电压）门过渡到17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间门的过渡，从17V至2V 。
频率上的电压门减少至17V 50 ％的输入的占空比。
2005年7月
3
MIC5021
MIC5021
麦克雷尔INC 。
典型特征
电源电流与
电源电压
V
IN
= 0V
V
门
(V)
2.5
2.0
I
供应
（MA ）
1.5
1.0
0.5
0.0
25
20
15
10
5
0
栅极电压变化
- 电源电压
V
摹于网上
= V
摹于网上
– V
的SuI P P L
900
850
t
ON 4V
（纳秒）
800
750
700
栅极导通与Dalay
电源电压
V
门
= V
供应
+ 4V
C
L
= 1500pF （ IRCZ34 ）
C
BOOST
= 0.01F
V
IN
= 5V
包括传播延迟
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
650
5
10
15
20 25 30
V
供应
(V)
35
40
1000
950
t
ON 10V
（纳秒）
900
850
800
栅极导通延迟 -
电源电压
V
门
= V
供应
+ 10V
C
L
= 1500pF （ IRCZ34 ）
C
BOOST
= 0.01F
t
ON
(s)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
栅极导通延迟 -
栅极电容
V
门
= V
供应
+ 4V
V
供应
= 12V
2000
1750
t
关4V
（纳秒）
1500
1250
1000
栅极关断延迟 -
电源电压
V
摹于网上
= V
供应
+ 4V
R
L
= 400
C
摹于网上
= 1500pF
(IRCZ34)
包括传播延迟
包括传播延迟
包括传播延迟
750
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
0.0
1x10
0
1x10
1
1x10
2
1x10
3
1x10
4
1x10
5
C
门
（PF ）
750
5
10
15
20 25 30
V
供应
(V)
35
40
25
重试占空比（ ％ ）
20
15
10
5
过流重试税
周期与时序电容
t
ON
= 5s
V
供应
= 12V
100
80
I
IN
(A)
输入电流 -
输入电压
V
供应
= 12V
80
70
电压（毫伏）
60
50
40
30
感觉阈值与
温度
60
40
20
0
不是E：
t
ON
, t
关闭
T I M E
独立
V的
供应
1
10
100
C
T
（PF ）
1000 10000
0
0.1
0
5
10
15
V
IN
(V)
20
25
20
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
输入
门
TTL （H）的
0V
15V （最大）
来源
50mV
0V
感+， -
迪FF erential
时序图1.正常运行
6s
20s
6s
输入
门
TTL （H）的
0V
15V （最大）
来源
50mV
0V
输入
门
TTL （H）的
0V
15V （最大）
来源
50mV
0V
感+， -
迪FF erential
感+， -
迪FF erential
时序图2.故障状态，C
T
=打开
MIC5021
4
时序图3.故障状态，C
T
=接地
2005年7月
MIC5021
麦克雷尔INC 。
内部齐纳二极管，进而保护外部MOSFET由
限制性的栅极到源极电压。
检测输入
该MIC5021的为50mV （标称值）触发电压是由创建
这迫使约5μA了内部电流源
SENSE
+约15μA （在旅途）出
SENSE
–.
当
SENSE
- 为50mV以上低于
SENSE
+,
SENSE
–
抢断基极电流从内部驱动晶体管关停
关闭外部MOSFET 。
过电流限制
电流源I
1
C充电
INT
上电时。可选
连接到C外部电容
T
通过不停地被排出
一个MOSFET Q1 。
故障状态（ >从50mV的
SENSE
+
to
SENSE
–)
原因
过流比较器，使电流吸收器2I
1
哪
克服了电流源I
1
放电
INT
在很短的
时间。当C
INT
被排出，所述
输入
被停用的，这
关闭门的输出和C
INT
和C
T
准备要
收取。
当栅极输出关断MOSFET时，过流
信号从检测输入其中失活除去
灌电流2I
1
。这允许C
INT
和可选的电容
连接到C
T
充电。施密特触发器延迟
重试而电容器（S ）充电。重试延迟增加
由一个电容器连接到C
T
（可选）。
功能说明
参考MIC5021框图。
输入
信号大于1.4V （标称值）应用到MIC5021
输入
导致门强化对外部MOSFET
接通MOSFET 。
内部下拉电阻保证了开放
输入
仍然很低，保持关断外部MOSFET 。
门输出
的快速上升和下降时间
门
输出是可能的
因为每个输入状态变化触发单稳态其中
激活一个高价值的灌电流（ 10I
2
）很短的时间。
由此得出一个高电流虽然电流镜电路
造成输出晶体管快速充电或放电
外部MOSFET的栅极。
第二个电流吸收器不断吸引下限值
的电流来保持的栅极电压为所选
状态。
内部电荷泵利用外部“助推”电容器
连接V之间
BOOST
和外部的源
MOSFET。 （参见典型应用。 ）自举电容
储存电荷，当MOSFET关断。由于MOSFET
导通时，其源极与地电压升高，并加
到电容器两端的电压，加在V
BOOST
针
电压。自举电容的电荷通过定向
该
门
引脚连接到MOSFET的栅极快速充电到16V
最上面的V
DD
。内部电荷泵维持
栅极电压。
重试周期将继续下去，直到故障消除或
输入变为TTL低。
如果C
T
连接到地，该电路将不会根据一个重试
应用信息
该MIC5021 MOSFET驱动器适用于高端
切换应用过流限制和高
速度是必需的。该MIC5021可控制的MOSFET
该开关电压高达36V 。
高侧开关电路的优点
高侧开关允许更多的负载相关的COM的
ponents和布线将保持接近地电位时
相比低侧开关。这降低的可能性
短到地面事故或故障。
速度上的优势
该MIC5021是幅度约两个数量级的速度比
低成本MIC5014使其适合于高频
在PWM高英法fi效率的电路操作（脉冲宽度调制
LATION ）设计的用于电机控制， SMPS （开关模式
电源）和加热元件的控制。
切换负载（开/关）由MIC5021的快速好处音响吨
通过允许使用的MOSFET具有更小的开关时间
安全工作区。 （较大的MOSFET通常需要
使用速度较慢的驱动程序时。 ）
电源电压
该MIC5021的输入电源（ V
DD
）的额定功率高达36V 。该
电源电压必须等于或大于电压
施加到外部的N沟道MOSFET的漏极。
16V的最小电源推荐产生continu-
OU中的导通状态，栅极驱动电压为标准的MOSFET （10V
标称门增强） 。
当驾驶员从12V供电，以16V供电，一
逻辑电平MOSFET推荐（ 5V标称门
增强） 。
PWM操作可能会产生令人满意的门增强
在较低的电源电压。发生这种情况时快速开关
重复使升压电容更加显着的电压
年龄供给比内部电荷泵。
2005年7月
5
MIC5021
QQ：2881677436 复制
