MIC5018
IttyBitty
高边MOSFET驱动器
概述
该MIC5018 IttyBitty 高边MOSFET驱动器
旨在切换的N沟道增强型
在高从TTL兼容的控制信号MOSFET或
低边开关应用。该驱动器具有微小
4引脚SOT- 143封装。
该MIC5018是从+ 2.7V至+ 9V电源供电
并具有极低的关断状态的电源电流。
内部电荷泵驱动门输出高
比驱动电源电压，并可以维持在栅极
电压下去。内部齐纳二极管限制
栅极 - 源极电压在一个安全水平为标准
N沟道MOSFET 。
在高侧配置中，所述的源极电压
MOSFET的接近电源电压接通时
上。保持导通时， MIC5018的输出MOSFET的
驱动比电源MOSFET的栅极电压高的
电压。在一个典型的高侧配置中，驱动器是
动力与负载电源电压。在某些
的条件下， MIC5018和MOSFET可切换的负载
电压比所述驱动器电源略高
电压。
在低侧配置中，驱动器可控制一个
MOSFET的开关任何电压高达的评级
MOSFET。栅极输出电压比更高
典型的3.3V或5V逻辑电源，能充分增强
标准MOSFET。
该MIC5018可在SOT -143封装，
额定工作在-40 ° C至+ 85 ° C的环境温度范围。
特点
+ 2.7V至+ 9V操作
150μA典型电源电流为5V供电
≤1A
典型待机（关闭）电流
电荷泵高侧低电压应用
内部的齐纳二极管的栅 - 地MOSFET保护
工作在低收入和高侧配置
TTL兼容输入
ESD保护
应用
电池保护
电源总线开关
电磁阀和运动控制
灯控制
典型应用
+5V
V
1。·公元SU PPL
负载电压仅受限制
MOSFET的漏极 - 源极的评价
2
4
VS
G
3
1
负载
On
关闭
T L GND
+2.7至+ 9V
4.7F
MIC5018
2
4
On
关闭
负载
3
1
4.7F
MIC5018
IRFZ24*
N沟道
MO S F （E T）
* Siliconix公司
30M， 7A最大， 30V V
DS
马克斯。
8引脚SOIC封装
*国际整流器
100M， 17A最大。
的TO-220封装
VS
G
T L GND
Si9410DY*
N沟道
MO S F （E T）
高低压侧的功率开关
IttyBitty是麦克雷尔公司的商标。
低边电源开关
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （
408
） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2006年4月
M9999-042406
(408) 955-1690
麦克雷尔INC 。
MIC5018
订购信息
产品型号
标准
MIC5018BM4
无铅
MIC5018YM4
H10
制造
标准
无铅
H10
–40
C至+ 85
C
SOT-143
TEMP 。 RANGE
包
引脚配置
VS
2
GND
1
部分
辨识
n
早期生产的鉴别：
MH10
3
H10
H10
4
G
CTL
SOT -143 （ M4 ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
引脚名称
GND
VS
G
CTL
引脚功能
地面：电源的回报。
供应（输入） ： + 2.7V至+ 9V电源。
门（输出） ：门连接外部MOSFET 。
控制（输入）： TTL电开/关控制输入兼容。逻辑高电平驱动上面的电源门输出
电压。逻辑低电平迫使近地面的门输出。
2006年4月
2
M9999-042406
(408) 955-1690
麦克雷尔INC 。
MIC5018
绝对最大额定值
电源输入电压（V
供应
) .....................................+10V
控制电压（V
CTL
） ................................... -0.6V至+ 16V
栅极电压（V
G
).........................................................+16V
环境温度范围（T
A
） ...............- 40 ° C至+ 85°C
工作额定值
焊接温度，焊接10秒.......................... 300C
封装热阻
SOT -143 （ θ
JA
） ................................................. ... 220 ° C / W
SOT -143 （ θ
JC
） ................................................. ... 130 ° C / W
电气特性
参数
电源电流
条件
(1)
V
供应
= 3.3V
V
供应
= 5V
V
CTL
= 0V
V
CTL
= 3.3V
V
CTL
= 0V
V
CTL
= 5V
V
CTL
为逻辑0输入
V
CTL
逻辑输入1
V
CTL
逻辑输入1
民
典型值
0.01
70
0
150
最大
1
140
1
300
0.8
V
供应
V
供应
单位
A
A
A
A
V
V
V
A
pF
V
V
V
V
A
控制输入电压
2.7V
≤
V
供应
≤
9V
2.7V
≤
V
供应
≤
5V
5V
≤
V
供应
≤
9V
0
2.0
2.4
0.01
5
13
6.3
7.1
11.4
16
7.1
8.2
13.4
9.5
0.75
2.1
10
30
控制输入电流
控制输入电容
齐纳二极管钳位输出
GATE输出电压
2.7V
≤
V
供应
≤
9V
(2)
1
19
V
供应
= 9V
V
供应
= 2.7V
V
供应
= 3.0V
V
供应
= 4.5V
GATE输出电流
栅极导通时间
栅极关断时间
注意事项：
V
供应
= 5V
V
供应
= 4.5V
V
供应
= 4.5V
V
OUT
= 10V
(3)
(4)
C
L
= 1000pF的
(4)
C
L
= 3000pF的
C
L
= 1000pF的
(5)
C
L
= 3000pF的
1.5
4.2
20
60
Ms
ms
s
s
(5)
一般注意事项：设备是ESD保护，但操作注意事项建议。
在T 1的典型值
A
= 25°C 。最小值和最大值指示的性能在-40℃下
≥
T
A
≥
+ 85°C 。在25 ℃的零部件生产测试。
2.设计保证。
3.阻性负载选择V
OUT
= 10V.
4.打开通时间是上升到4V大于供电电压所需的栅极电压的时间。这代表了一种典型的MOSFET的栅极阈值
电压。
5.关断时间是下降到4V以上的电源电压所需的栅极电压的时间。这代表了一种典型的MOSFET的栅极阈值
电压。
测试电路
V
的SuI P P L
0.1F
2
4
5V
0V
MIC5018
VS
G
3
1
V
OU牛逼
C
L
T L GND
2006年4月
3
M9999-042406
(408) 955-1690
麦克雷尔INC 。
MIC5018
工作原理图
+ 2.7V至+ 9V
VS
I1
20A
MIC5018
D2
35V
Q1
On
关闭
CTL
R1 2K
D1
16V
Q2
R2
15k
EN CHARGE
泵
G
D3 16V
Q3
与外部组件功能框图
（高边驱动器的配置）
功能说明
指的是功能图。
该MIC5018是同相的设备。应用逻辑
高信号的CTL （控制输入端）产生栅极驱动器
输出。对G （栅极）输出用于打开一个
外部n沟道MOSFET 。
供应
VS （电源）的额定电流为+ 2.7V至+ 9V 。外部
电容建议去耦噪音。
控制
CTL （控制）是一个TTL兼容的输入。 CTL必须
强制为高或低通过外部信号。浮动输入
可能会导致无法预料的后果。
高输入接通Q2 ，其下沉的输出
电流源I1 ，使得所述第一反相器的输入
低。逆变器的输出变高使
电荷泵。
电荷泵
电荷泵时启用CTL为逻辑高电平。
电荷泵包括一个振荡器和电压的
四倍频（ × 4 ） 。输出电压由一个限定于16V
齐纳二极管。电荷泵的输出电压将
大致如下：
V
G
= 4 × V
供应
- 2.8V ，但不超过16V
该振荡器约70kHz至工作
约100kHz的取决于供给
电压和温度。
门输出
电荷泵的输出被直接连接到对G
（栅极）输出。电荷泵仅在CTL
高。当CTL为低电平时，Q3是由第二导通
逆变器和排出外部的栅极
MOSFET迫使其关闭。
如果CTL为高电平时，与施加到VS的电压下降到
零，门输出将浮动（不可预测的） 。
ESD保护
D1和D2钳位正和负的ESD电压。
R1隔离Q2的栅极从突如其来的变化
CTL输入。 Q1导通时，如果在发射极（CTL输入）是
低于地被迫以提供附加的输入
保护。齐纳二极管D3也ESD钳位电压为
栅极（G）输出。
2006年4月
5
负载
M9999-042406
(408) 955-1690
GND
MIC5018
麦克雷尔
MIC5018
IttyBitty 高边MOSFET驱动器
初步信息
概述
该MIC5018 IttyBitty 高边MOSFET驱动器DE-是
签署切换的N沟道增强型MOSFET
从在高或低侧的TTL兼容的控制信号
交换机的应用程序。该驱动器具有微小的4引脚
SOT- 143封装。
该MIC5018是从+ 2.7V至+ 9V电源供电，
具有极低的关断状态的电源电流。内部
电荷泵驱动器比驱动门输出高
电源电压，并且可以无限期地维持栅极电压。
一个内部的齐纳二极管的栅极 - 源极电压限制在一个
安全级别为标准的N沟道MOSFET。
在高侧配置中， MOSFET导的源极电压
场效应管接近电源电压接通时。对
保持接通MOSFET ，该MIC5018的输出驱动器
MOSFET栅极电压比电源电压高。在
一个典型的高端配置，驾驶员从供电
负载电源电压。在某些条件下， MIC5018
和MOSFET可切换的负载电压略高
比驱动电源电压。
在低侧配置中，驱动器可控制的MOSFET
切换任何电压高达MOSFET的额定值。
栅极输出电压比典型3.3V或5V更高
逻辑电源，可以充分提高标准MOSFET 。
该MIC5018可在SOT -143封装，
额定工作在-40 ° C至+ 85 ° C的环境温度范围。
特点
+ 2.7V至+ 9V操作
150μA典型电源电流为5V供电
≤
1μA典型待机状态（关闭）电流
电荷泵高侧低电压应用
内部的齐纳二极管的栅 - 地MOSFET保护
工作在低收入和高侧配置
TTL兼容输入
ESD保护
电池保护
电源总线开关
电磁阀和运动控制
灯控制
应用
订购信息
产品型号
MIC5018BM4
TEMP 。 RANGE
-40 ° C至+ 85°C
包
SOT-143
记号
H10
5
典型应用
+5V
负载电压仅受限制
MOSFET的漏极 - 源极的评价
V
负载电源
2
4
VS
CTL
G
GND
3
1
+2.7至+ 9V
4.7F
MIC5018
2
4
On
关闭
3
1
负载
On
关闭
负载
Si9410DY*
N沟道
MOSFET
4.7F
MIC5018
IRFZ24*
N沟道
MOSFET
* Siliconix公司
30m
，7A最大， 30V V
DS
马克斯。
8引脚SOIC封装
VS
CTL
G
GND
*国际整流器
100m
， 17A最大。
的TO-220封装
高低压侧的功率开关
低边电源开关
1997
5-155
MIC5018
麦克雷尔
引脚配置
VS
2
GND
1
部分
鉴定
早期生产的鉴别：
MH10
3
H10
4
G
CTL
SOT -143 （ M4 ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
引脚名称
GND
VS
G
CTL
引脚功能
地面：电源的回报。
供应（输入） ： + 2.7V至+ 9V电源。
门（输出） ：门连接外部MOSFET 。
控制（输入）： TTL电开/关控制输入兼容。逻辑高电平驱动
栅极输出高于电源电压。逻辑低电平迫使附近的门输出
地面上。
5-156
1997
MIC5018
麦克雷尔
绝对最大额定值
电源电压（V
供应
) ........................................... +10V
控制电压（V
CTL
） ............... -0.6V至+ 16V
栅极电压（V
G
) ....................................................... +16V
环境温度范围（T
A
） ............. -40 ° C至+ 85°C
焊接温度，焊接10秒。 ........................ 300℃
封装热阻
SOT-143
θ
JA
.................................................. ... 220 ° C / W
SOT-143
θ
JC
.................................................. ... 130 ° C / W
电气特性
参数
电源电流
条件（注1 ）
V
供应
= 3.3V
V
供应
= 5V
控制输入电压
2.7V
≤
V
供应
≤
9V
2.7V
≤
V
供应
≤
5V
5V
≤
V
供应
≤
9V
控制输入电流
控制输入电容
齐纳二极管钳位输出
GATE输出电压
V
供应
= 9V
V
供应
= 2.7V
V
供应
= 3.0V
V
供应
= 4.5V
GATE输出电流
栅极导通时间
栅极关断时间
V
供应
= 5V
V
供应
= 4.5V
V
供应
= 4.5V
V
OUT
= 10V,
注3
C
L
= 1000pF的，
注4
C
L
= 3000pF的，
注4
C
L
= 1000pF的，
注5
C
L
= 3000pF的，
注5
2.7V
≤
V
供应
≤
9V
注2
13
6.3
7.1
11.4
V
CTL
= 0V
V
CTL
= 3.3V
V
CTL
= 0V
V
CTL
= 5V
V
CTL
为逻辑0输入
V
CTL
逻辑输入1
V
CTL
逻辑输入1
0
2.0
2.4
0.01
5
16
7.1
8.2
13.4
9.5
0.75
2.1
10
30
1.5
4.2
20
60
19
民
典型值
0.01
70
0
150
最大
1
140
1
300
0.8
V
供应
V
供应
1
单位
A
A
A
A
V
V
V
A
pF
V
V
V
V
A
ms
ms
s
s
5
一般注意事项：
设备的ESD保护，但操作注意事项建议。
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
在T典型值
A
= 25°C 。最小值和最大值指示的性能在-40℃下
≥
T
A
≥
+ 85°C 。在25 ℃的零部件生产测试。
通过设计保证。
阻性负载选择V
OUT
= 10V.
开启时间是上升到4V大于供电电压所需的栅极电压的时间。这代表了一种典型的MOSFET栅
阈值电压。
关断时间是下降到4V以上的电源电压所需的栅极电压的时间。这代表了一种典型的MOSFET的栅极阈值
电压。
测试电路
V
供应
0.1F
2
4
5V
0V
MIC5018
VS
CTL
G
GND
3
1
V
OUT
C
L
1997
5-157
MIC5018
麦克雷尔
工作原理图
+ 2.7V至+ 9V
VS
I1
20A
D2
35V
Q1
On
关闭
MIC5018
CTL
R1 2K
D1
16V
Q2
R2
15k
EN CHARGE
泵
Q3
G
D3 16V
负载
GND
与外部组件功能框图
（高边驱动器的配置）
5
功能说明
指的是功能图。
该MIC5018是同相的设备。应用逻辑高
信号CTL （控制输入）产生栅极驱动输出。该
G（栅极）输出用于打开一个外部N沟道
MOSFET。
供应
VS （电源）的额定电流为+ 2.7V至+ 9V 。一个外部电容
建议去耦噪音。
控制
CTL （控制）是一个TTL兼容的输入。 CTL必须强制
高或低的外部信号。浮动的输入可能造成
不可预知的操作。
高输入接通Q2 ，其吸收电流的输出
源I1 ，使得所述第一变频器低的输入。该
逆变器的输出变高使电荷泵。
电荷泵
电荷泵时启用CTL为逻辑高电平。该
电荷泵包括一个振荡器和电压四倍频
（ 4倍） 。输出电压由齐纳二极管限制为16V 。该
电荷泵的输出电压将约为：
V
G
= 4
×
V
供应
- 2.8V ，但不超过16V 。
该振荡器大约为70kHz动作，内约
三方共同为100kHz ，这取决于电源电压和
温度。
门输出
电荷泵的输出被直接连接到对G （栅极）
输出。电荷泵是仅在CTL为高电平。
当CTL为低电平时，Q3是由第二反相器导通和
排出外部MOSFET的栅极，以迫使其关闭。
如果CTL为高电平时，与施加到VS的电压下降到零，则
门的输出将是浮动的（不可预测的） 。
ESD保护
D1和D2钳位正和负的ESD电压。 R1
从上所述的CTL的突然变化隔离Q2的栅极
输入。 Q1导通时，如果在发射极（CTL输入）如下被迫
接地，以提供附加的输入保护。齐纳二极管D3还
夹具的ESD电压的栅极（G）输出。
1997
5-159
QQ：2880707522 复制
