MIC5016/5017
麦克雷尔
MIC5016/5017
低价双高或低侧MOSFET驱动器
概述
MIC5016和MIC5017双MOSFET驱动器设计
对于N沟道增强模式，功率门控
用作高侧或低侧开关的MOSFET。该
MIC5016 / 7可以无限期地保持接通状态输出。
该MIC5016 / 7工作在2.75V至30V电源。在高
侧的配置，驾驶员可以控制MOSFET的那
高达30V的开关负载。在低端的配置，
独立的电源，最大开关电压限制
仅由MOSFET 。
该MIC5016 / 7有两个TTL兼容控制输入。该
MIC5016是同相，而MIC5017是反相的。
该MIC5016 / 7功能的内部电荷泵，可
维持栅极电压大于供应量
电压。该驱动器能够打开的逻辑电平的
从2.75V电源MOSFET或从标准的MOSFET
5V电源。栅极到源极的输出电压是在内部
限制在大约15V。
该MIC5016 / 7进行保护，防止汽车负载突降，
颠倒电池，和-20V的感性负载峰值。该
驾驶过压关断功能将关闭外部
的MOSFET在大约35V ，以防止负载
电源游览。
该MIC5016是一种改进的引脚对引脚兼容的替换 -
精神疾病在许多MIC5012的应用程序。
该MIC5016 / 7是塑料的14引脚DIP和16引脚
SOIC pacakges 。
特点
2.75V至30V的操作
最大100μA电源电流（ 5V电源）
15μA典型的断态电流
内部电荷泵
TTL兼容输入
可承受60V瞬态（抛负载）
电池反接保护， -20V
感性尖峰保护， -20V
在35V过压关断
内置15V栅极保护
最少的外部零件
工作在高侧或低侧配置
1μA的控制输入上拉脱
反相和同相的版本
应用
汽车电气负载控制
电池供电的计算机电源管理
灯控制
加热器控制
电机控制
电源总线开关
订购信息
产品型号
同相
MIC5016BWM
MIC5016BN
反相
MIC5017BWM
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
16引脚宽体SOIC
14引脚塑料DIP
MIC5017BN
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
16引脚宽体SOIC
14引脚塑料DIP
温度范围
包
典型用途
+ 3V至4V +
10F
MIC5016BN
V + A
闸门A
IRLZ24
V + B源A
ON
关闭
ON
关闭
IN A
B门
后
光
在B源B
GND
IRLZ24
图1： 3伏“睡眠模式”切换
用逻辑电平MOSFET
逻辑
5-146
1998年10月
MIC5016/5017
麦克雷尔
框图
1 2每包驱动程序
V+
电荷泵
15V
门
来源
*
输入
只有*反相版本
地
接线图
，J
1 NC
1 NC
2
3
4
5
源A
GND
闸门A
源B
在A 14
NC 13
V + A 12
在B 11
V + B 10
NC 9
NC 8
WM
在16
NC 15
V + A 14
在B 13
V + B 12
NC 11
NC 10
NC 9
2源A
3 GND
4门一
5源B
6门B
7 NC
8 NC
6门B
7 NC
5
14引脚DIP
16引脚宽体SOIC
引脚说明
引脚数
，J包
12
引脚数
WM套餐
14
引脚名称
V
+
A
引脚功能
电源引脚A.必须脱钩分离所造成的功率大的瞬态
MOSFET的漏极。 10μF建议靠近销12和/或10和
地面上。 V
+
A和V
+
B可以连接到单独的电源。
电源引脚B.见V
+
A.
当断言打开电源MOSFET中的。需要大约1μA ，以
开关。
打开功率MOSFET B.见输入A.
驱动器和钳位功率MOSFET A的门
驱动器和钳位功率MOSFET B的门
连接MOSFET A的来源铅
连接MOSFET B的源极引脚
地
10
14
11
4
6
2
5
3
12
16
13
4
6
2
5
3
V
+
B
输入A
输入B
闸门A
B门
源A
源B
GND
1998年10月
5-147
MIC5016/5017
麦克雷尔
绝对最大额定值
（注1,2 ）
电源电压............................................... - 20V至60V
输入电压................................................ ..... -20V到V
+
源电压................................................ .. -20V到V
+
源电流................................................ .......... 50毫安
栅极电压................................................ .. -20V至50V
结温.............................................. 150 °
工作额定值
（注1,2 ）
θ
JA
（塑料DIP ） .............................................. ....... 140 ° C / W
θ
JA
（ SOIC ） .............................. .............. 110 ° C / W
环境温度： B版................ -40 ° C至+ 85°C
环境温度： A版............. + 55 ° C至+ 125°C
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
焊接温度................................................ ...... 260℃
（最大焊接时间： 10秒）
电源电压（V
+
） ......................................... 2.75V至30V
电气特性
（注3 ）T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有说明
参数
电源电流
（每个驱动器通道）
V = 30V
V
+
= 5V
V
+
= 3V
逻辑输入电压阈值
V
IN
逻辑输入电流
MIC5016 （非反相）
逻辑输入电流
MIC5017 （反相）
输入电容
加强门
V
门
- V
供应
齐纳二极管钳位
V
门
- V
来源
栅极导通时间，t
ON
（注4 ）
3.0V
≤
V
+
≤
30V
T
A
= 25°C
3.0V
≤
V
+
≤
30V
3.0V
≤
V
+
≤
30V
3.0V
≤
V
≤
30V
+
+
条件
V
IN
拉高（注5 ）
V
IN
断言（注5 ）
V
IN
撤除
V
IN
断言
V
IN
撤除
V
IN
断言
数字低电平
数字高电平
V
IN
低
V
IN
高
V
IN
低
V
IN
高
V
IN
断言
V
IN
断言
V
IN
接通时，测量
时间V
门
要达到V
+
+ 4V
如上所述，测量时间为
V
门
要达到V
+
+ 4V
V
IN
关闭时，测量
时间V
门
达到1V
如上所述，测量时间为
V
门
达到1V
民
典型值
10
5.0
10
60
10
25
最大
25
10
25
100
25
35
0.8
单位
A
mA
A
A
V
A
A
pF
V
V
ms
s
s
s
V
2.0
–2.0
–2.0
0
1.0
–1.0
–1.0
5.0
2.0
2.0
17
4.0
13
15
2.5
90
6.0
6.0
35
37
8.0V
≤
V
+
≤
30V
V
+
= 4.5V
C
L
= 1000pF的
V
+
= 12V
C
L
= 1000pF的
V
+
= 4.5V
C
L
= 1000pF的
V
+
= 12V
C
L
= 1000pF的
17
8.0
140
30
30
41
栅极关断时间，t
关闭
（注4 ）
过压关断
门槛
注1 ：绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。电气规格不适用
工作在它的指定之外的设备时
工作额定值。
注2 ：
该MIC5016 / 5017是ESD敏感。
注3 ：
最小和最大
电气特性
100％在T测试
A
= 25℃和T
A
= 85 ℃， 100 ％保证通过
整个工作温度范围内。标准被表征，在25℃下，代表最可能的参数指标。
注4 ：
试验条件重新佛罗里达州ECT最坏的情况下高边驱动器的性能。低端和自举的拓扑结构显着快见
应用信息。的切换时间看出在125℃的最大值，单位在室温下操作将反映典型值
如图所示。
注5 ：
“断言”指的是一个逻辑高的MIC5016和对MIC5017一个逻辑低电平。
5-148
1998年10月
MIC5016/5017
麦克雷尔
典型特征
使用FET探头，以减少电阻性负载的所有测量数据
每个通道的电源电流
（输出断言）
6
GATE增强（ V）
20
开启时间（μs ）
加强门
- 电源电压
高边导通时间
与栅极电容
300
250
200
150
100
50
0
0
供应= 12V
2
4
6
8
10
GATE电容（ NF）
电源电流（mA ）
5
4
3
2
1
0
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
15
10
5
门加强=
V
门
– V
供应
0
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
高边导通时间
直到门=电源+ 4V
100
导通时间（ms）
导通时间（ms）
C
门
= 1300pF
100
高边导通时间
直到门=电源+ 4V
高边导通时间（μs ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
C
门
= 3000pF的
高边导通时间
与温度的关系
10
10
1
1
供应= 12V
C
门
= 1000pF的
0.1
0.1
0.01
0
4
8 12 16 20 24
电源电压（ V）
28
0.01
0
4
8 12 16 20 24
电源电压（ V）
28
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
环境温度（ ℃）
5
高边导通时间
直到门=电源+ 10V
100
导通时间（ms）
导通时间（ms）
C
门
= 1300pF
100
高边导通时间
直到门=电源+ 10V
10
关断时间（微秒）
C
门
= 3000pF的
8
6
高边关闭时间
直到门= 1V
10
10
1
1
C
门
= 3000pF的
4
2
0
C
门
=
1300pF
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
0.1
0.1
0.01
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
0.01
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
电荷泵
输出电流
1000
输出电流（ μA ）
输出电流（ μA ）
28V
100
10000
电荷泵
输出电流
10000
28V
1000
12V
源连接
理由：供应
电压注意
5V
3V
开启时间（μs ）
低边导通时间
直到门= 4V
C
门
= 3000pF的
1000
12V
100
100
C
门
= 1300pF
10 5V
3V
1
源连接
供应：供应
电压注意
10
10
0
5
10
15
栅极 - 源极电压（ V）
1
0
5
10
15
栅极 - 源极电压（ V）
1
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
1998年10月
5-149
MIC5016/5017
麦克雷尔
损失对大电流电路产生深远的影响。一
浮milliohmeter可以识别是CON-的连接
贡负载下多余的下降。
低电压测试
由于MIC5016 / 5017具有相对
高输出阻抗，一个正常的示波器探头将
加载设备。这尤其是在低电压显
操作。建议在一个FET探头或单位增益
缓冲液用于所有的测试。
应用信息
功能说明
该MIC5016与MIC5012功能兼容，
和MIC5017是MIC5016的反相结构。
这些设备的内部的功能可以通过一个控制
逻辑块（参见方框图示）连接于控制
输入端（引脚14） 。当输入处于关闭状态（低为MIC5016 ，并
高为MIC5017 ），所有的功能被关闭，并且
外部功率MOSFET的栅极通过两个保持低的N-
通道交换机。这导致非常低的待机电流;
15μA典型，这是必要的电源的内部的带隙。
当输入被驱动到“接通”状态时， N沟道
开关关断时，电荷泵被打开，并且
电荷泵和栅极之间的P沟道开关
导通，使功率FET的栅极进行充电。
运算放大器和内部齐纳形成活性调节器
关闭电荷泵当栅极电压为高
够了。这是关于MIC5012没有发现的特征。
所述电荷泵包含一个100kHz的振荡器和导通
片泵电容充电1,000pF负载的能力
90μs典型。除了提供主动调节，所述
内部15V稳压的目的是防止超过V
GS
高电源电压功率MOSFET的额定值。
对于更大的MIC5016 / 17装置已经改进
坚固性和耐用性。所有引脚可以承受被
拉20 V至地而不持续伤害，
电源引脚可以承受60V的过压瞬变的
1秒。过压关机也被包括在内，这
关断时电源达到35V的器件。
电路拓扑结构
该MIC5016和MIC5017非常适合与使用
标准功率MOSFET在低和高侧驱动
配置。此外，降低电源电压再
这些设备的quirements使其非常适合与使用
在高端应用的电源逻辑电平场效应晶体管
3V的电压4V 。 （如果需要更高的供电电压[ >4V ]用于
用逻辑电平场效应管，外部齐纳钳位必须
供给，以确保最大V
GS
逻辑的评级
FET [ 10V ]不超标） 。另外，一个标准的IGBT可以
使用这些设备来驱动。
1拓扑结构在另一个的选择通常是基于
速度与安全性。最快的拓扑结构是低侧驱动器，
然而，它通常不被认为是安全的，因为高侧
驱动，因为它更容易无意中短的负荷地
比V
CC.
速度最慢，但最安全的拓扑结构是偏高
驱动程序;与速度成反比供应
电压。这是大多数军队的首选拓扑结构和
汽车应用。速度的提高考虑 -
巧妙地通过自举电源。
使用这些设备来实现所有的拓扑结构以及
适合于驱动感性负载，如任一门或该
源极引脚可以拉到20V地面以下有没有影响。
外部钳位二极管是不必要的，除了壳体
在这短暂的可能超过过压跳闸点。
高端驱动器
（图1）中所示的高侧拓扑
这里是一个“睡眠模式”切换为一个实施
膝上型或笔记本计算机，它使用了一个逻辑电平的FET 。一
标准功率FET可以很容易地被取代的供给时
电压在4V以上是必需的。
低侧驱动器
（图2 ），这种拓扑结构的主要优点，
如前面所提到的，是速度。 MOSFET的栅极是
+ 3V至+ 30V
建设提示
大电流脉冲电路需求的设备和组装
那些比正常低电流更严格的技术
实验室实践。以下是陷阱大多数的源极
成型过程中经常遇到的：
耗材
：很多板凳
电源有很差的瞬态响应。该电路
正脉冲测试，或者是那些使用由脉宽
与使用时的调制会产生奇怪的结果
供应有可怜的纹波抑制，或短暂见顶
反应。随时监控电源电压
出现在高侧驱动的漏极（或供应方
负载为低侧驱动器），用示波器的。它不是
不难发现，替补席上的电源在1kW的类
过冲或下冲高达50％时，脉冲
加载。不仅将负载电流和电压测量
ments受到影响，但有可能过应力的各种
部件，特别是电解电容器，与可能
灾难性的结果。一个10μF电源旁路电容
在
芯片
推荐使用。
残余电阻
：在抗性
电路连接，也可能会导致混乱的结果。为
例如，电路可以使用一个50mΩ的功率MOSFET为
低压降，但除非精心施工技术
使用时，人们可以很容易地添加50 100MΩ的电阻。办
不使用插座的MOSFET。如果MOSFET TO-一
220型封装，使大电流连接到
漏tab.Wiring
10F
1/2 MIC5016
V+
ON
关闭
输入
来源
GND
门
图2.低侧驱动器
1998年10月
5-150
负载
MIC5016/5017
麦克雷尔
MIC5016/5017
低价双高或低侧MOSFET驱动器
最终信息
概述
MIC5016和MIC5017双MOSFET驱动器设计
对于N沟道增强模式，功率门控
用作高侧或低侧开关的MOSFET。该
MIC5016 / 7可以无限期地保持接通状态输出。
该MIC5016 / 7工作在2.75V至30V电源。在高
侧的配置，驾驶员可以控制MOSFET的那
高达30V的开关负载。在低端的配置，
独立的电源，最大开关电压限制
仅由MOSFET 。
该MIC5016 / 7有两个TTL兼容控制输入。该
MIC5016是同相，而MIC5017是反相的。
该MIC5016 / 7功能的内部电荷泵，可
维持栅极电压大于供应量
电压。该驱动器能够打开的逻辑电平的
从2.75V电源MOSFET或从标准的MOSFET
5V电源。栅极到源极的输出电压是在内部
限制在大约15V。
该MIC5016 / 7进行保护，防止汽车负载突降，
颠倒电池，和-20V的感性负载峰值。该
驾驶过压关断功能将关闭外部
的MOSFET在大约35V ，以防止负载
电源游览。
该MIC5016是一种改进的引脚对引脚兼容的替换 -
精神疾病在许多MIC5012的应用程序。
该MIC5016 / 7是塑料的14引脚DIP和16引脚
SOIC pacakges 。
特点
2.75V至30V的操作
最大100μA电源电流（ 5V电源）
15μA典型的断态电流
内部电荷泵
TTL兼容输入
可承受60V瞬态（抛负载）
电池反接保护， -20V
感性尖峰保护， -20V
在35V过压关断
内置15V栅极保护
最少的外部零件
工作在高侧或低侧配置
1μA的控制输入上拉脱
反相和同相的版本
应用
汽车电气负载控制
电池供电的计算机电源管理
灯控制
加热器控制
电机控制
电源总线开关
订购信息
产品型号
同相
MIC5016BWM
MIC5016BN
反相
MIC5017BWM
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
16引脚宽体SOIC
14引脚塑料DIP
MIC5017BN
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
16引脚宽体SOIC
14引脚塑料DIP
温度范围
包
典型用途
+ 3V至4V +
10F
MIC5016BN
V + A
闸门A
IRLZ24
V + B源A
ON
关闭
ON
关闭
IN A
B门
后
光
在B源B
GND
IRLZ24
图1： 3伏“睡眠模式”切换
用逻辑电平MOSFET
麦克雷尔公司 1849年财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 944-0970 http://www.micrel.com
1998年10月
逻辑
1
MIC5016/5017
MIC5016/5017
麦克雷尔
框图
1 2每包驱动程序
V+
电荷泵
15V
门
来源
*
输入
只有*反相版本
地
接线图
，J
1 NC
1 NC
2
3
4
5
源A
GND
闸门A
源B
在A 14
NC 13
V + A 12
在B 11
V + B 10
NC 9
NC 8
WM
在16
NC 15
V + A 14
在B 13
V + B 12
NC 11
NC 10
NC 9
2源A
3 GND
4门一
5源B
6门B
7 NC
8 NC
6门B
7 NC
14引脚DIP
16引脚宽体SOIC
引脚说明
引脚数
，J包
12
引脚数
WM套餐
14
引脚名称
V
+
A
引脚功能
电源引脚A.必须脱钩分离所造成的功率大的瞬态
MOSFET的漏极。 10μF建议靠近销12和/或10和
地面上。 V
+
A和V
+
B可以连接到单独的电源。
电源引脚B.见V
+
A.
当断言打开电源MOSFET中的。需要大约1μA ，以
开关。
打开功率MOSFET B.见输入A.
驱动器和钳位功率MOSFET A的门
驱动器和钳位功率MOSFET B的门
连接MOSFET A的来源铅
连接MOSFET B的源极引脚
地
10
14
11
4
6
2
5
3
12
16
13
4
6
2
5
3
V
+
B
输入A
输入B
闸门A
B门
源A
源B
GND
MIC5016/5017
2
1998年10月
MIC5016/5017
麦克雷尔
绝对最大额定值
（注1,2 ）
电源电压............................................... - 20V至60V
输入电压................................................ ..... -20V到V
+
源电压................................................ .. -20V到V
+
源电流................................................ .......... 50毫安
栅极电压................................................ .. -20V至50V
结温.............................................. 150 °
工作额定值
（注1,2 ）
θ
JA
（塑料DIP ） .............................................. ....... 140 ° C / W
θ
JA
（ SOIC ） .............................. .............. 110 ° C / W
环境温度： B版................ -40 ° C至+ 85°C
环境温度： A版............. + 55 ° C至+ 125°C
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
焊接温度................................................ ...... 260℃
（最大焊接时间： 10秒）
电源电压（V
+
） ......................................... 2.75V至30V
电气特性
（注3 ）T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有说明
参数
电源电流
（每个驱动器通道）
V = 30V
V
+
= 5V
V
+
= 3V
逻辑输入电压阈值
V
IN
逻辑输入电流
MIC5016 （非反相）
逻辑输入电流
MIC5017 （反相）
输入电容
加强门
V
门
- V
供应
齐纳二极管钳位
V
门
- V
来源
栅极导通时间，t
ON
（注4 ）
3.0V
≤
V
+
≤
30V
T
A
= 25°C
3.0V
≤
V
+
≤
30V
3.0V
≤
V
+
≤
30V
3.0V
≤
V
≤
30V
+
+
条件
V
IN
拉高（注5 ）
V
IN
断言（注5 ）
V
IN
撤除
V
IN
断言
V
IN
撤除
V
IN
断言
数字低电平
数字高电平
V
IN
低
V
IN
高
V
IN
低
V
IN
高
V
IN
断言
V
IN
断言
V
IN
接通时，测量
时间V
门
要达到V
+
+ 4V
如上所述，测量时间为
V
门
要达到V
+
+ 4V
V
IN
关闭时，测量
时间V
门
达到1V
如上所述，测量时间为
V
门
达到1V
民
典型值
10
5.0
10
60
10
25
最大
25
10
25
100
25
35
0.8
单位
A
mA
A
A
V
A
A
pF
V
V
ms
s
s
s
V
2.0
–2.0
–2.0
0
1.0
–1.0
–1.0
5.0
2.0
2.0
17
4.0
13
15
2.5
90
6.0
6.0
35
37
8.0V
≤
V
+
≤
30V
V
+
= 4.5V
C
L
= 1000pF的
V
+
= 12V
C
L
= 1000pF的
V
+
= 4.5V
C
L
= 1000pF的
V
+
= 12V
C
L
= 1000pF的
17
8.0
140
30
30
41
栅极关断时间，t
关闭
（注4 ）
过压关断
门槛
注1 ：绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。电气规格不适用
工作在它的指定之外的设备时
工作额定值。
注2 ：
该MIC5016 / 5017是ESD敏感。
注3 ：
最小和最大
电气特性
100％在T测试
A
= 25℃和T
A
= 85 ℃， 100 ％保证通过
整个工作温度范围内。标准被表征，在25℃下，代表最可能的参数指标。
注4 ：
试验条件重新佛罗里达州ECT最坏的情况下高边驱动器的性能。低端和自举的拓扑结构显着快见
应用信息。的切换时间看出在125℃的最大值，单位在室温下操作将反映典型值
如图所示。
注5 ：
“断言”指的是一个逻辑高的MIC5016和对MIC5017一个逻辑低电平。
1998年10月
3
MIC5016/5017
MIC5016/5017
麦克雷尔
典型特征
使用FET探头，以减少电阻性负载的所有测量数据
每个通道的电源电流
（输出断言）
6
GATE增强（ V）
加强门
- 电源电压
20
开启时间（μs ）
高边导通时间
与栅极电容
300
250
200
150
100
50
0
0
供应= 12V
2
4
6
8
10
GATE电容（ NF）
电源电流（mA ）
5
4
3
2
1
0
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
15
10
5
门加强=
V
门
– V
供应
0
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
高边导通时间
直到门=电源+ 4V
100
导通时间（ms）
导通时间（ms）
高边导通时间
直到门=电源+ 4V
高边导通时间（μs ）
高边导通时间
与温度的关系
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
环境温度（ ℃）
供应= 12V
C
门
= 1000pF的
100
C
门
= 1300pF
C
门
= 3000pF的
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
4
8 12 16 20 24
电源电压（ V）
28
0.01
0
4
8 12 16 20 24
电源电压（ V）
28
高边导通时间
直到门=电源+ 10V
100
100
C
门
= 1300pF
高边导通时间
直到门=电源+ 10V
10
关断时间（微秒）
C
门
= 3000pF的
8
6
高边关闭时间
直到门= 1V
导通时间（ms）
10
导通时间（ms）
10
1
1
C
门
= 3000pF的
4
2
0
C
门
=
1300pF
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
0.1
0.1
0.01
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
0.01
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
电荷泵
输出电流
1000
10000
输出电流（ μA ）
28V
100
电荷泵
输出电流
10000
28V
1000
12V
源连接
理由：供应
电压注意
5V
3V
开启时间（μs ）
低边导通时间
直到门= 4V
C
门
= 3000pF的
1000
输出电流（ μA ）
12V
100
100
C
门
= 1300pF
10 5V
3V
1
源连接
供应：供应
电压注意
10
10
0
5
10
15
栅极 - 源极电压（ V）
1
0
5
10
15
栅极 - 源极电压（ V）
1
0
5
10 15 20 25
电源电压（ V）
30
MIC5016/5017
4
1998年10月
MIC5016/5017
麦克雷尔
损失对大电流电路产生深远的影响。一
浮milliohmeter可以识别是CON-的连接
贡负载下多余的下降。
低电压测试
由于MIC5016 / 5017具有相对
高输出阻抗，一个正常的示波器探头将
加载设备。这尤其是在低电压显
操作。建议在一个FET探头或单位增益
缓冲液用于所有的测试。
应用信息
功能说明
该MIC5016与MIC5012功能兼容，
和MIC5017是MIC5016的反相结构。
这些设备的内部的功能可以通过一个控制
逻辑块（参见方框图示）连接于控制
输入端（引脚14） 。当输入处于关闭状态（低为MIC5016 ，并
高为MIC5017 ），所有的功能被关闭，并且
外部功率MOSFET的栅极通过两个保持低的N-
通道交换机。这导致非常低的待机电流;
15μA典型，这是必要的电源的内部的带隙。
当输入被驱动到“接通”状态时， N沟道
开关关断时，电荷泵被打开，并且
电荷泵和栅极之间的P沟道开关
导通，使功率FET的栅极进行充电。
运算放大器和内部齐纳形成活性调节器
关闭电荷泵当栅极电压为高
够了。这是关于MIC5012没有发现的特征。
所述电荷泵包含一个100kHz的振荡器和导通
片泵电容充电1,000pF负载的能力
90μs典型。除了提供主动调节，所述
内部15V稳压的目的是防止超过V
GS
高电源电压功率MOSFET的额定值。
对于更大的MIC5016 / 17装置已经改进
坚固性和耐用性。所有引脚可以承受被
拉20 V至地而不持续伤害，
电源引脚可以承受60V的过压瞬变的
1秒。过压关机也被包括在内，这
关断时电源达到35V的器件。
电路拓扑结构
该MIC5016和MIC5017非常适合与使用
标准功率MOSFET在低和高侧驱动
配置。此外，降低电源电压再
这些设备的quirements使其非常适合与使用
在高端应用的电源逻辑电平场效应晶体管
3V的电压4V 。 （如果需要更高的供电电压[ >4V ]用于
用逻辑电平场效应管，外部齐纳钳位必须
供给，以确保最大V
GS
逻辑的评级
FET [ 10V ]不超标） 。另外，一个标准的IGBT可以
使用这些设备来驱动。
1拓扑结构在另一个的选择通常是基于
速度与安全性。最快的拓扑结构是低侧驱动器，
然而，它通常不被认为是安全的，因为高侧
驱动，因为它更容易无意中短的负荷地
比V
CC.
速度最慢，但最安全的拓扑结构是偏高
驱动程序;与速度成反比供应
电压。这是大多数军队的首选拓扑结构和
汽车应用。速度的提高考虑 -
巧妙地通过自举电源。
使用这些设备来实现所有的拓扑结构以及
适合于驱动感性负载，如任一门或该
源极引脚可以拉到20V地面以下有没有影响。
外部钳位二极管是不必要的，除了壳体
在这短暂的可能超过过压跳闸点。
高端驱动器
（图1）中所示的高侧拓扑
这里是一个“睡眠模式”切换为一个实施
膝上型或笔记本计算机，它使用了一个逻辑电平的FET 。一
标准功率FET可以很容易地被取代的供给时
电压在4V以上是必需的。
低侧驱动器
（图2 ），这种拓扑结构的主要优点，
如前面所提到的，是速度。 MOSFET的栅极是
+ 3V至+ 30V
建设提示
大电流脉冲电路需求的设备和组装
那些比正常低电流更严格的技术
实验室实践。以下是陷阱大多数的源极
成型过程中经常遇到的：
耗材
：很多板凳
电源有很差的瞬态响应。该电路
正脉冲测试，或者是那些使用由脉宽
与使用时的调制会产生奇怪的结果
供应有可怜的纹波抑制，或短暂见顶
反应。随时监控电源电压
出现在高侧驱动的漏极（或供应方
负载为低侧驱动器），用示波器的。它不是
不难发现，替补席上的电源在1kW的类
过冲或下冲高达50％时，脉冲
加载。不仅将负载电流和电压测量
ments受到影响，但有可能过应力的各种
部件，特别是电解电容器，与可能
灾难性的结果。一个10μF电源旁路电容
在
芯片
推荐使用。
残余电阻
：在抗性
电路连接，也可能会导致混乱的结果。为
例如，电路可以使用一个50mΩ的功率MOSFET为
低压降，但除非精心施工技术
使用时，人们可以很容易地添加50 100MΩ的电阻。办
不使用插座的MOSFET。如果MOSFET TO-一
220型封装，使大电流连接到
漏tab.Wiring
1998年10月
5
10F
1/2 MIC5016
V+
ON
关闭
输入
来源
GND
门
图2.低侧驱动器
MIC5016/5017
负载
QQ：2880707522 复制
