MIC5011
麦克雷尔
MIC5011
最小的零件高或低侧MOSFET驱动器
概述
该MIC5011是的“最低元件数”成员
麦克雷尔MIC501X驱动器系列。这些IC的设计
驱动N沟道功率MOSFET之上的栅极
电源轨的高侧电源开关的应用。 8针
MIC5011是使用极为方便，只需要一个功率
FET和标称电源去耦，以实现一个
高亮或低侧开关。
该MIC5011收取1nF的负载一般为60μs无
的外部元件。更快的切换是通过添加 - 实现
荷兰国际集团2 1nF的电荷泵电容。操作下来
4.75V使MIC5011驱动标准的MOSFET
5V低端应用通过提高栅极电压
上述逻辑电源。另外，多个并联
的MOSFET可以驱动由单个MIC5011用于超高
当前的应用程序。
麦瑞半导体的驱动程序家族的其他成员包括
MIC5012双驱动器和MIC5013保护的8引脚的驱动程序。
特点
4.75V至32V的操作
小于1μA待机电流，在“关”的状态
内部电荷泵驱动一个N沟道的栅极
功率场效应管上面的电源
提供小外形SOIC封装
内部齐纳二极管钳位的栅极保护
最少的外部组件数
可用于提高驱动器的低侧功率FET
逻辑电源供电
25μs的典型导通时间与可选的外部
电容器
实现高或低侧驱动器
应用
灯驱动器
继电器和螺线管驱动器
加热器开关
电源总线开关
对于新的设计，麦瑞建议引脚兼容
MIC5014 MOSFET驱动器。
典型应用
14.4V
ON
10F
+
订购信息
产品型号
MIC5011BN
MIC5011BM
TEMP 。 RANGE
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
MIC5011
1 V+
C1 8
2输入
COM 7
3源
C2 6
4 GND
5门
控制输入
IRF531
关闭
#6014
图1.高侧驱动器
注： MIC5011是ESD敏感。
5V
ON
10F
+
48V
MIC5011
1 V+
C1 8
100W
暖气
IRF530
2输入
COM 7
3源
C2 6
4 GND
5门
控制输入
关闭
一个或多个以下麦克雷尔的专利所保护：
专利＃ 4951101 ;专利＃ 4914546
图2.低侧驱动器
麦克雷尔公司 1849年财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 944-0970 http://www.micrel.com
2000年7月
1
MIC5011
MIC5011
麦克雷尔
绝对最大额定值
（注1,2）
电源电压（V
+
） ，引脚1
输入电压，引脚2
源电压引脚3
目前进入第3脚
栅极电压， 5脚
结温
-0.5V至36V
= 10V到V
+
= 10V到V
+
50mA
- 1V至50V
150°C
工作额定值
（注1,2 ）
功耗
1.25W
θ
JA
（塑料DIP ）
100°C/W
θ
JA
（ SOIC ）
170°C/W
环境温度： B版
-40 ° C至+ 85°C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
260°C
（焊接， 10秒）
电源电压（V
+
） ，引脚1
4.75V至32V高压侧
4.75V至15V低侧
引脚说明
（参照
典型应用）
引脚数
1
2
3
4
5
6, 7, 8
引脚名称
V
+
输入
来源
地
门
C2 ， COM ，C
驱动器和钳位功率FET的栅极。将被钳位到内约
三方共同-0.7V由内部二极管时关闭感性负载。
可选1nF的电容降低了栅极导通时间; C2具有显着效果。
引脚功能
供应;必须脱钩所造成的大的瞬态隔离
功率FET的漏极。 10μF建议靠近引脚1和4 。
当高于阈值（ 3.5V典型值）采取打开功率MOSFET 。
需要<1
A
进行切换。
连接到功率FET的源铅，是回报门夹
齐纳二极管。可以安全地摆动转弯时断感性负载至-10V 。
引脚配置
MIC5011
1
2
V+
输入
C1
8
COM 7
3
来源
C2 6
4
5
GND
门
MIC5011
2
2000年7月
MIC5011
麦克雷尔
电气特性
（注3 ）测试电路。牛逼
A
= -55℃ + 125°C ，V
+
= 15V
，所有开关打开，除非
另有规定ED 。
参数
电源电流，我
1
条件
V
+
= 32V
V
IN
= 0V ， S2闭合
V
IN
= V
+
= 32V
V
+
= 5V
逻辑输入电压
V
+
= 4.75V
V
IN
= 5V ， S2闭合
调整V
IN
对于V
门
低
调整V
IN
对于V
门
高
V
+
= 15V
逻辑输入电流，I
2
输入电容
栅极驱动，V
门
齐纳二极管钳位
V
门
– V
来源
栅极导通时间，t
ON
（注4 ）
栅极关断时间，t
关闭
注1
注2
注3
注4
民
典型
0.1
8
1.6
最大
10
20
4
2
单位
A
mA
mA
V
V
V
A
A
pF
V
V
4.5
5.0
–1
1
5
调整V
IN
对于V
门
高
V
IN
= 0V
V
IN
= 32V
V
+
= 32V
销2
S1，S2闭合，
V
S
= V+, V
IN
= 5V
S2闭合，V
IN
= 5V
V
+
= 4.75V ，我
门
= 0, V
IN
= 4.5V
V
+
= 15V ，我
门
= 100μA ，V
IN
= 5V
V
+
= 15V, V
S
= 15V
V
+
= 32V, V
S
= 32V
V
IN
从0切换到5V;测量时间
对于V
门
要达到20V
V
IN
从5切换到0V ;测量时间
对于V
门
达到1V
7
24
11
11
10
27
12.5
13
25
4
15
16
50
10
V
V
s
s
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。电气连接特定的阳离子不适用时，
其经营超出规定的设备
工作额定值。
该MIC5011是ESD敏感。
最小和最大
电气特性
100％在T测试
A
= 25℃和T
A
= 85 ℃， 100％保证在整个
范围内。标准被表征，在25℃下，代表最可能的参数指标。
试验条件重新佛罗里达州ECT最坏的情况下高边驱动器的性能。低端和自举的拓扑结构显着快见
应用信息。
开关速度的看出，在125 ℃的最高值，在常温下使用的部件将反映典型
示值。
测试电路
V+
+ 1F
MIC5011
1 V+
2输入
C1 8
COM 7
1nF
1nF
V
门
V
IN
500
1W
S2
VS
3源
C2 6
4 GND
5门
1nF的S1
I5
2000年7月
3
MIC5011
MIC5011
麦克雷尔INC 。
MIC5011
最小的零件高或低侧MOSFET驱动器
概述
该MIC5011是的“最低元件数”成员
麦克雷尔MIC501X驱动器系列。这些IC的设计
驱动N沟道功率MOSFET之上的栅极
电源轨的高侧电源开关的应用。 8针
MIC5011是使用极为方便，只需要一个功率
FET和标称电源去耦，以实现一个
高亮或低侧开关。
该MIC5011收取1nF的负载一般为60μs无
的外部元件。更快的切换是通过添加 - 实现
荷兰国际集团2 1nF的电荷泵电容。操作下来
4.75V使MIC5011驱动标准的MOSFET
5V低压端应用程序通过促进上述栅极电压
逻辑电源。此外，多个并联的MOSFET
可以驱动由单个MIC5011用于超高电流
应用程序。
麦瑞半导体的驱动程序家族的其他成员包括
MIC5013保护的8引脚的驱动程序。
对于新的设计，麦瑞建议引脚兼容
MIC5014 MOSFET驱动器。
特点
4.75V至32V的操作
小于1μA待机电流，在“关”的状态
内部电荷泵驱动一个N沟道的栅极
功率场效应管上面的电源
提供小外形SOIC封装
内部齐纳二极管钳位的栅极保护
最少的外部组件数
可用于提高驱动器的低侧功率FET
逻辑电源供电
25μs的典型导通时间与可选的外部
电容器
实现高或低侧驱动器
应用
灯驱动器
继电器和螺线管驱动器
加热器开关
电源总线开关
典型应用
14.4V
ON
订购信息
产品型号
标准
MIC5011BN
无铅
MIC5011YN
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
包
8引脚塑料
DIP
8引脚SOIC
10F
+
1
V+
MIC5011
C1
8
控制输入
关闭
2输入
COM
7
3源
C2
6
4
GND
5门
MIC5011BM MIC5011YM -40C至+ 85C
IRF531
#6014
图1.高侧驱动器
ON
5V
48V
1
V+
注： MIC5011是ESD敏感。
10F +
MIC5011
C1
8
控制输入
关闭
2输入
COM
7
3源
C2
6
4
GND
5门
100W
暖气
IRF530
一个或多个以下麦克雷尔的专利所保护：
专利＃ 4951101 ;专利＃ 4914546
图2.低侧驱动器
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年7月
1
MIC5011
MIC5011
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
（注1,2）
电源电压（V
+
） ，引脚1
输入电压，引脚2
源电压引脚3
目前进入第3脚
栅极电压， 5脚
结温
-0.5V至36V
= 10V到V
+
= 10V到V
+
50mA
- 1V至50V
150°C
工作额定值
（注1,2 ）
功耗
1.25W
θ
JA
（塑料DIP ）
100°C/W
θ
JA
（ SOIC ）
170°C/W
环境温度： B版
-40 ° C至+ 85°C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
260°C
（焊接， 10秒）
电源电压（V
+
） ，引脚1
4.75V至32V高压侧
4.75V至15V低侧
引脚说明
（参照
典型应用）
引脚数
1
2
3
4
5
6, 7, 8
引脚名称
V
+
输入
来源
地
门
C2 ， COM ，C
驱动器和钳位功率FET的栅极。将被钳位到内约
三方共同-0.7V由内部二极管时关闭感性负载。
可选1nF的电容降低了栅极导通时间; C2具有显着效果。
引脚功能
供应;必须脱钩所造成的大的瞬态隔离
功率FET的漏极。 10μF建议靠近引脚1和4 。
当高于阈值（ 3.5V典型值）采取打开功率MOSFET 。重
张塌塌米<1 μA至切换。
连接到功率FET的源铅，是回报门夹
齐纳二极管。可以安全地摆动转弯时断感性负载至-10V 。
引脚CON组fi guration
1
2
3
4
MIC5011
V+
输入
来源
GND
C1 8
COM 7
C2 6
5
门
MIC5011
2
2005年7月
MIC5011
测试电路。牛逼
A
= -55℃ + 125°C ，V
+
= 15V ，所有开关打开，除非另有规定ED 。
参数
电源电流，我
1
条件
V
+
= 32V
V
+
= 5V
逻辑输入电压
V
+
= 4.75V
V
+
= 15V
逻辑输入电流，I
2
输入电容
栅极驱动，V
门
齐纳二极管钳位
栅极导通时间，t
ON
（注4 ）
栅极关断时间，t
关闭
注1
注2
注3
注4
麦克雷尔INC 。
电气特性
（注3）
民
V
IN
= 0V ， S2闭合
V
IN
= 5V ， S2闭合
V
IN
= V
+
= 32V
典型
0.1
8
1.6
最大
10
20
4
2
单位
A
mA
mA
V
V
V
A
调整V
IN
对于V
门
低
V
+
= 32V
调整V
IN
对于V
门
高
V
IN
= 32V
V
+
= 4.75V ，我
门
= 0, V
IN
= 4.5V
V
+
= 15V, V
S
= 15V
V
IN
= 0V
调整V
IN
对于V
门
高
4.5
5.0
–1
1
5
7
24
11
11
10
27
12.5
13
25
4
15
16
50
10
A
pF
V
V
V
V
s
s
销2
S1，S2闭合，
V
S
= V+, V
IN
= 5V
S2闭合，V
IN
= 5V
V
+
= 15V ，我
门
= 100μA ，V
IN
= 5V
V
+
= 32V, V
S
= 32V
V
门
– V
来源
V
IN
从5切换到0V ;测量时间
对于V
门
达到1V
V
IN
从0切换到5V;测量时间
对于V
门
要达到20V
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。电气连接特定的阳离子不适用时，
操作该设备超越其特定网络版
工作额定值。
该MIC5011是ESD敏感。
最小和最大
电气特性
100％在T测试
A
= 25℃和T
A
= 85 ℃， 100％保证在整个
范围内。标准被表征，在25℃下，代表最可能的参数指标。
试验条件重新佛罗里达州ECT最坏的情况下高边驱动器的性能。低端和自举的拓扑结构显着快见
应用程序
阳离子信息。
开关速度的看出，在125 ℃的最高值，在常温下使用的部件将重新佛罗里达州ECT的典型值
如图所示。
测试电路
V+
+ 1F
1 V+
2输入
MIC5011
C1 8
COM 7
1nF
1nF
V
门
V
IN
500Ω
1W
S2
VS
3源
C2 6
4 GND
5门
1nF的S1
I5
2005年7月
3
MIC5011
QQ：2880707522 复制
