MIC4604
具有高达85V半桥MOSFET驱动器
16V可编程门驱动器
概述
该MIC4604是一个85V半桥MOSFET驱动器。该
MIC4604具有快速39ns的传播延迟时间和
20ns的驱动上升/下降时间为1nF的电容性负载。该
低边和高边栅极驱动器可以独立
控制。该MIC4604具有TTL输入阈值。它
包括高电压的内部二极管，可为电荷
高侧栅极驱动器自举电容。
一个强大，高速，低功耗的电平转换器提供
清洁级跃迁到高侧输出。坚固
该MIC4604的操作确保了输出不
受供应毛刺， HS振铃下方地面上，或
HS回转高速电压转换。
被设置在两个低侧欠压保护
和高边驱动器。
该MIC4604是采用8引脚SOIC封装和
微型10针2.5毫米× 2.5毫米TDFN封装。两
包有一个工作结温范围
-40 ° C至+ 125°C 。
数据表和支持文档可在
麦克雷尔公司的网站：
www.micrel.com 。
特点
5.5V至16V的栅极驱动电源电压范围。
驱动高边和低边N沟道MOSFET
具有独立的输入
TTL输入阈值
片上自举二极管
快39ns的传播时间
驱动1000pF的负载20ns的上升和下降时间
低功耗
电源欠压保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
应用
电源逆变器
高电压降压稳压器
上半年，全和三相桥式电机驱动器
分布式电源系统
计算机外设
典型用途
汽车门锁解决方案
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 USA 电话： +1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000
http://www.micrel.com
2013年6月25日
修订版1.0
麦克雷尔INC 。
MIC4604
订购信息
产品型号
MIC4604YMT
MIC4604YM
最热
463
MIC4604 YM
输入
TTL
TTL
结温范围
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
包
10引脚2.5毫米× 2.5毫米TDFN
8引脚SOIC
销刀豆网络gurations
MIC4604YMT
10引脚2.5毫米x2.5mm TDFN （MT ）
（ TOP VIEW ）
MIC4604YM
8引脚SOIC （M ）
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚数
TDFN
1
2, 10
3
4
5
6
7
8
9
EP
2
3
4
5
6
7
8
SOIC
1
针
名字
VDD
NC
HB
HO
HS
HI
LI
VSS
LO
EPAD
引脚功能
输入电源的栅极驱动器。去耦该引脚到VSS与>2.2μF电容。阳极
连接到内部自举二极管。
无连接
高边自举电源。外部自举电容是必需的。连接引导
电容两端此引脚和HS 。阴极连接到内部自举二极管。
高侧驱动器输出。连接到外部高侧功率MOSFET的栅极。
高侧驱动器参考连接。连接到外部高压侧功率源
MOSFET。该引脚连接至自举电容。
高边驱动器的输入。
低边驱动器的输入。
驱动器参考电源输入。连接到外部电路和光源功率地
低侧功率MOSFET 。
低边驱动器输出。连接到外部的低侧功率MOSFET的栅极。
裸焊盘。连接到VSS 。
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2
修订版1.0
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MIC4604
(1,
4)
绝对最大额定值
工作额定值
(2)
电源电压（V
DD
）降低V
DD
] ........... 5.25V至16V
电源电压（V
DD
）增加V
DD
] .............. 5.5V至16V
电压HS ............................................... .....
1V
到85V
电压HS （重复瞬态） ..................
5V
到90V
HS摆率............................................... ............. 50V / ns的
对HB ................................ V电压
HS
+ 4.5V至V
HS
+ 16V
和/或.......................................... V
DD
1V至V
DD
+ 85V
结温（T
J
） ........................ -40 ° C至+ 125°C
热阻结
2.5毫米X 2.5毫米TDFN - 10L （ θ
JA
） ....................... 75 ° C / W
SOIC -8L （ θ
JA
） ................................................. ， 98.9 ° C / W
电源电压（V
DD
, V
HB
– V
HS
) .....................
0.3V
至18V
输入电压（V
李，
V
HI
, V
EN
) .................
0.3V
到V
DD
+ 0.3V
电压LO （V
LO
) .............................
0.3V
到V
DD
+ 0.3V
电压HO （V
HO
) ..................... V
HS
0.3V至V
HB
+ 0.3V
在HS电压（连续） ...............................
1V
到90V
电压HB ............................................... ............... 108V
VDD的平均电流为HB二极管....................... 100毫安
存储温度（T
s
) .........................
60°C
至+ 150°C
(3)
ESD额定值
HBM ................................................. ..................... 1.5KV
MM ................................................. ........................ 200V
电气特性
(4)
V
DD
= V
HB
= 12V; V
SS
= V
HS
= 0V ;在LO或豪无负荷;牛逼
A
= + 25°C ;除非另有说明。
胆大
值表明：-40° C≤牛逼
J
≤ +125°C
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
静态电流
李= HI = 0V
F = 20kHz的
李= HI = 0V或LI = 0V和HI = 5V
F = 20kHz的
V
HS
= V
HB
= 90V
48
136
20
29
0.5
200
300
75
200
5
A
A
A
A
A
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入（LI ， HI ）
V
IL
V
IH
V
HYS
R
I
低电平输入电压
高电平输入电压
输入电压滞后
输入下拉电阻
100
2.2
0.05
240
500
0.8
V
V
V
kΩ
欠压保护
V
DDF
V
DDH
V
HBF
V
HBH
V
DD
下降阈值
V
DD
阈值迟滞
HB下降阈值
HB阈值迟滞
瑞星V
HB
阈值; V
HBR
= V
HBF
+ V
HBH
瑞星V
DD
阈值; V
DDR
= V
DDF
+ V
DDH
4.0
4.0
4.4
0.21
4.4
0.23
4.9
4.9
V
V
V
V
自举二极管
V
DL
V
DH
R
D
注意事项：
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.该设备是不能保证其经营额定值之外的功能。
3.设备是ESD敏感。操作注意事项建议。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
4.规范s的只有包装产品。
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
I
VDD -HB
= 100A
I
VDD -HB
= 50毫安
I
VDD -HB
= 50毫安
0.42
0.75
2.8
0.70
1.0
5.0
V
V
Ω
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MIC4604
时序图
注意：
6.所有的传播延迟是从50 ％的电压电平进行测定。
框图
图1. MIC4604框图
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