MIC4423/4424/4425
麦克雷尔INC 。
MIC4423/4424/4425
双路3A峰值低侧MOSFET驱动器
双极/ CMOS / DMOS工艺
概述
该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四家人都非常可靠的BiCMOS /
DMOS缓冲器/驱动器/ MOSFET驱动器。他们是高输出
把MIC4426 /四千四百二十八分之四千四百二十七的最新版本，这是
/改进版本的MIC426的四百二十八分之四百二十七。所有这三个家庭
引脚兼容。该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四司机钙
在要求更高的电气提供可靠的服务pable
环境比他们的前辈。他们不会锁存
在他们的范围内功率和额定电压的任何条件。
它们可以存活任一极性高达5V的噪声尖峰的，
接地引脚上。他们可以接受，没有任何损坏
或逻辑混乱，最多的反向电流（半安培任
极性）被迫返回到输出端。
该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四系列驱动程序更容易使用，更
灵活的操作，并且比其它的CMOS更宽容
或双极性驱动程序目前已经上市。他们的BiCMOS / DMOS
建筑消耗最小的功耗，并提供轨到
轨电压摆幅。
主要用于驱动功率MOSFET ，该
MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四驱动程序适用于驱动其它负载
（电容，电阻，电感或）需要低阻抗
ANCE ，高峰值电流，以及快速开关时间。重
装载时钟线，同轴电缆，或压电换能器
是一些例子。装上已知的唯一限制是
即总功率消耗在驱动程序必须保持在
封装的最大功耗限制。
注：高功率，窄见MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四
脉冲应用。
特点
可靠，低功耗的双极/ CMOS / DMOS建设
闭锁保护， >500毫安反向电流
逻辑输入可承受摆动-5V
高3A ，峰值输出电流
宽4.5V至18V的工作范围
驱动1800pF的电容在25ns的
总之<40ns典型的延迟时间
一贯在电源电压变化的延迟时间与
匹配的上升和下降时间
TTL逻辑输入与电源电压无关
低等效为6.0pF的输入电容
低电源电流
3.5毫安与逻辑输入1
350μA与逻辑0输入
低3.5Ω典型输出阻抗
在地面或V 25mV的输出电压摆幅
S
.
' 7分之426 / 8-， '七分之一千四百二十六/ 8-， ' 7分之4426 / 8-兼容引出线
反相，同相，和差CON连接gurations
工作原理图
0.6mA
V
S
IN V ê - [R T I N G -
0.1mA
集成的元件数量：
4电阻
4电容器
52晶体管
OUTA
INA
2k
同相
0.1mA
0.6mA
IN V ê - [R T I N G -
OUTB
INB
2k
同相
GND
地面未使用的输入
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年7月
1
MIC4423/4424/4425
MIC4423/4424/4425
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压................................................ ........... + 22V
输入电压.................................. V
S
+ 0.3V至GND - 5V
结温................................................ 150℃
存储温度范围......................- 65℃ 150℃
焊接温度（ 10秒） ...................................... 300℃
ESD Susceptability ，
注3
..................................... 1000V
工作额定值
（注2 ）
电源电压（V
S
） ...................................... + 4.5V至+ 18V
温度范围
C版................................................ .... 0 ° C至+ 70°C
B版本................................................ -40 ° C至+ 85°C
封装热阻
DIP
θ
JA
.................................................. ........... 130 ° C / W
DIP
θ
JC
.................................................. ............. 42 ° C / W
宽体SOIC
θ
JA
................................................. 120 ° C / W
宽体SOIC
θ
JC
.................................................. 75° C / W
SOIC
θ
JA
.................................................. ......... 120 ° C / W
SOIC
θ
JC
.................................................. .......... 75 ° C / W
MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四电气特性
（注5 ）
4.5V ≤ V
S
= 18V ;牛逼
A
= 25°C,
胆大
值表明：-40° C≤牛逼
A
≤ + 85°C ;除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻HI国家
输出电阻LO状态
I
PK
I
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟Tlme
延迟时间
脉冲宽度
电源电流
电源电流
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试f科幻gure 1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试图1
V
IN
= 3.0V （两路输入）
V
IN
= 0.0V （两路输入）
400
1.5
2
0.15
0.2
2.5
3.5
0.25
0.3
>500
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
IN
= 0.8V ，我
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
IN
= 2.4V ，我
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
S
–0.025
2.8
3.7
3.5
4.3
3
V
0.025
5
8
5
8
V
Ω
Ω
Ω
Ω
A
mA
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
0V ≤ V
IN
≤ V
S
–1
–10
2.4
0.8
1
10
V
V
A
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关时间（注4 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
t
PW
电源
I
S
I
S
注： 1 。
注2 。
注3 。
注4 。
注5 。
23
28
25
32
33
32
38
38
35
60
35
60
75
100
75
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
mA
mA
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
设备是ESD敏感。建议操作注意事项。静电串联100pF的测试，以人体模型， 1.5k的。
开关时间由设计保证。
特定网络阳离子只包装的产品。
2005年7月
3
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麦克雷尔INC 。
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双路3A峰值低侧MOSFET驱动器
双极/ CMOS / DMOS工艺
概述
该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四家人都非常可靠的BiCMOS /
DMOS缓冲器/驱动器/ MOSFET驱动器。他们是高输出
把MIC4426 /四千四百二十八分之四千四百二十七的最新版本，这是
/改进版本的MIC426的四百二十八分之四百二十七。所有这三个家庭
引脚兼容。该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四司机钙
在要求更高的电气提供可靠的服务pable
环境比他们的前辈。他们不会锁存
在他们的范围内功率和额定电压的任何条件。
它们可以存活任一极性高达5V的噪声尖峰的，
接地引脚上。他们可以接受，没有任何损坏
或逻辑混乱，最多的反向电流（半安培任
极性）被迫返回到输出端。
该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四系列驱动程序更容易使用，更
灵活的操作，并且比其它的CMOS更宽容
或双极性驱动程序目前已经上市。他们的BiCMOS / DMOS
建筑消耗最小的功耗，并提供轨到
轨电压摆幅。
主要用于驱动功率MOSFET ，该
MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四驱动程序适用于驱动其它负载
（电容，电阻，电感或）需要低阻抗
ANCE ，高峰值电流，以及快速开关时间。重
装载时钟线，同轴电缆，或压电换能器
是一些例子。装上已知的唯一限制是
即总功率消耗在驱动程序必须保持在
封装的最大功耗限制。
注：高功率，窄见MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四
脉冲应用。
特点
可靠，低功耗的双极/ CMOS / DMOS建设
闭锁保护， >500毫安反向电流
逻辑输入可承受摆动-5V
高3A ，峰值输出电流
宽4.5V至18V的工作范围
驱动1800pF的电容在25ns的
总之<40ns典型的延迟时间
一贯在电源电压变化的延迟时间与
匹配的上升和下降时间
TTL逻辑输入与电源电压无关
低等效为6.0pF的输入电容
低电源电流
3.5毫安与逻辑输入1
350μA与逻辑0输入
低3.5Ω典型输出阻抗
在地面或V 25mV的输出电压摆幅
S
.
' 7分之426 / 8-， '七分之一千四百二十六/ 8-， ' 7分之4426 / 8-兼容引出线
反相，同相，和差CON连接gurations
工作原理图
0.6mA
V
S
IN V ê - [R T I N G -
0.1mA
集成的元件数量：
4电阻
4电容器
52晶体管
OUTA
INA
2k
同相
0.1mA
0.6mA
IN V ê - [R T I N G -
OUTB
INB
2k
同相
GND
地面未使用的输入
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年7月
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MIC4423/4424/4425
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压................................................ ........... + 22V
输入电压.................................. V
S
+ 0.3V至GND - 5V
结温................................................ 150℃
存储温度范围......................- 65℃ 150℃
焊接温度（ 10秒） ...................................... 300℃
ESD Susceptability ，
注3
..................................... 1000V
工作额定值
（注2 ）
电源电压（V
S
） ...................................... + 4.5V至+ 18V
温度范围
C版................................................ .... 0 ° C至+ 70°C
B版本................................................ -40 ° C至+ 85°C
封装热阻
DIP
θ
JA
.................................................. ........... 130 ° C / W
DIP
θ
JC
.................................................. ............. 42 ° C / W
宽体SOIC
θ
JA
................................................. 120 ° C / W
宽体SOIC
θ
JC
.................................................. 75° C / W
SOIC
θ
JA
.................................................. ......... 120 ° C / W
SOIC
θ
JC
.................................................. .......... 75 ° C / W
MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四电气特性
（注5 ）
4.5V ≤ V
S
= 18V ;牛逼
A
= 25°C,
胆大
值表明：-40° C≤牛逼
A
≤ + 85°C ;除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻HI国家
输出电阻LO状态
I
PK
I
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟Tlme
延迟时间
脉冲宽度
电源电流
电源电流
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试f科幻gure 1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试图1
V
IN
= 3.0V （两路输入）
V
IN
= 0.0V （两路输入）
400
1.5
2
0.15
0.2
2.5
3.5
0.25
0.3
>500
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
IN
= 0.8V ，我
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
IN
= 2.4V ，我
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
S
–0.025
2.8
3.7
3.5
4.3
3
V
0.025
5
8
5
8
V
Ω
Ω
Ω
Ω
A
mA
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
0V ≤ V
IN
≤ V
S
–1
–10
2.4
0.8
1
10
V
V
A
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关时间（注4 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
t
PW
电源
I
S
I
S
注： 1 。
注2 。
注3 。
注4 。
注5 。
23
28
25
32
33
32
38
38
35
60
35
60
75
100
75
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
mA
mA
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
设备是ESD敏感。建议操作注意事项。静电串联100pF的测试，以人体模型， 1.5k的。
开关时间由设计保证。
特定网络阳离子只包装的产品。
2005年7月
3
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MIC4423/4424/4425
麦克雷尔
MIC4423/4424/4425
双路3A峰值低侧MOSFET驱动器
双极/ CMOS / DMOS工艺
概述
该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四家人都非常可靠的BiCMOS /
DMOS缓冲器/驱动器/ MOSFET驱动器。他们是高输出
该MIC4426 /四千四百二十八分之四千四百二十七的最新版本，这是
/改进版本的MIC426的四百二十八分之四百二十七。所有这三个家庭
引脚兼容。该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四司机
能够在更加苛刻的电气提供可靠的服务
环境比他们的前辈。他们不会锁存
在他们的范围内功率和额定电压的任何条件。
它们可以存活任一极性高达5V的噪声尖峰的，
接地引脚上。他们可以接受，没有任何损坏或
逻辑混乱，高达反向电流（半安培任
极性）被迫返回到输出端。
该MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四系列驱动程序更容易使用，
更灵活的操作，并且比其它更宽容
CMOS或双极驱动程序目前已经上市。他们的BiCMOS /
DMOS建筑消耗最小的功耗，并提供
轨到轨电压摆幅。
主要用于驱动功率MOSFET ，该MIC4423 /
四千四百二十五分之四千四百二十四驱动程序适用于驱动其它负载
（电容性，电阻性或电感性），其需要低
阻抗，高的峰值电流和快速开关时间。
负载较重的时钟线，同轴电缆，或压电
换能器的一些例子。上唯一已知的限制
装载的是总功耗的驱动器必须保持
内包的最大功耗的限制。
特点
可靠，低功耗的双极/ CMOS / DMOS建设
闭锁保护， >500毫安反向电流
逻辑输入可承受摆动-5V
高3A ，峰值输出电流
宽4.5V至18V的工作范围
驱动1800pF的电容在25ns的
总之<40ns典型的延迟时间
一贯在电源电压变化的延迟时间与
匹配的上升和下降时间
TTL逻辑输入与电源电压无关
低等效为6.0pF的输入电容
低电源电流
3.5毫安与逻辑输入1
350μA与逻辑0输入
低3.5Ω典型输出阻抗
在地面或V 25mV的输出电压摆幅
S
.
' 7分之426 / 8-， '七分之一千四百二十六/ 8-， ' 7分之4426 / 8-兼容引出线
反相，同相，和差CON连接gurations
工作原理图
V
S
0.6mA
0.1mA
反相
集成的元件数量：
4电阻
4电容器
52晶体管
OUTA
INA
2k
同相
0.6mA
0.1mA
反相
OUTB
INB
2k
同相
GND
地面未使用的输入
麦克雷尔公司 1849年财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 944-0970 http://www.micrel.com
1999年1月
1
MIC4423/4424/4425
MIC4423/4424/4425
麦克雷尔
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压................................................ ........... + 22V
输入电压................................. V
S
+ 0.3V至GND - 5V
结温.............................................. 150 °
存储温度范围.................... -65℃ 150℃
焊接温度（ 10秒） ..................................... 300℃
ESD Susceptability ，
注3
...................................... 1000V
工作额定值
（注2 ）
电源电压（V
S
） .................................... + 4.5V至+ 18V
温度范围
C版................................................ .. 0 ° C至+ 70°C
B版本............................................... - 40 ° C至+ 85°C
封装热阻
DIP
θ
JA
.................................................. ........... 130 ° C / W
DIP
θ
JC
.................................................. ............. 42 ° C / W
宽体SOIC
θ
JA
................................................. 120 ° C / W
宽体SOIC
θ
JC
.................................................. 75° C / W
SOIC
θ
JA
.................................................. ........ 120 ° C / W
SOIC
θ
JC
.................................................. .......... 75 ° C / W
MIC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四电气特性
4.5V
≤
V
S
≤
18V ;牛逼
A
= 25°C,
胆大
值表明：-40°C
≤
T
A
≤
+ 85°C ;除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻HI国家
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
IN
= 0.8V ，我
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
输出电阻LO状态
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
V
IN
= 2.4V ，我
OUT
= 10毫安，V
S
= 18V
I
PK
I
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
>500
2.8
3.7
3.5
4.3
3
V
S
–0.025
0.025
5
8
5
8
V
V
A
mA
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
0V
≤
V
IN
≤
V
S
–1
–10
2.4
0.8
1
10
V
V
A
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关时间（注4 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
电源
I
S
I
S
注： 1 。
注2 。
注3 。
注4 。
上升时间
下降时间
延迟Tlme
延迟时间
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试f科幻gure 1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
23
28
25
32
33
32
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35
60
75
100
75
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
电源电流
电源电流
V
IN
= 3.0V （两路输入）
V
IN
= 0.0V （两路输入）
1.5
2
0.15
0.2
2.5
3.5
0.25
0.3
mA
mA
mA
mA
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
设备是ESD敏感。建议操作注意事项。静电串联100pF的测试，以人体模型， 1.5k的。
开关时间由设计保证。
1999年1月
3
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QQ：2880707522 复制
