MIC4416
麦克雷尔
MIC4416/4417
IttyBitty 低侧MOSFET驱动器
概述
该MIC4416和MIC4417 IttyBitty 低侧MOSFET
驱动器可切换的N沟道enhancement-
从低TTL兼容的控制信号型MOSFET
侧开关应用。该MIC4416是同相和
该MIC4417是反相的。这些驱动器具有短延时
和高的峰值电流，以产生精确的边缘和快速
上升和下降时间。他们的小4引脚SOT- 143封装的用途
最小空间。
该MIC4416 / 7从+ 4.5V至+ 18V电源供电
电压。导通状态的栅极驱动器的输出电压是近似
三方共同等于电源电压（没有内部调节器或
夹） 。高电源电压，例如10V，是适当
对于与标准的N沟道MOSFET的使用。低价供应
电压，如5V ，适用于具有逻辑电平用
N沟道MOSFET 。
在低侧配置中，驱动器可控制的MOSFET
切换任何电压高达MOSFET的额定值。
该MIC4416可在SOT -143封装，
额定工作在-40 ° C至+ 85 ° C的环境温度范围。
特点
+ 4.5V至+ 18V的操作
低稳态电源电流
50μA典型值，控制输入为低
370μA典型，控制输入高
1.2A额定峰值输出
在18V电源3.5Ω典型输出电阻
在5V电源7.8Ω典型输出电阻
从电源或接地25mV的最大输出偏移
工作在低侧开关电路
TTL兼容的输入可承受-20V
ESD保护
反相和同相的版本
应用
电池保护
电磁阀和运动控制
灯控制
开关模式电源
订购信息
产品型号
同相
MIC4416BM4
反相
MIC4417BM4
-40 ° C至+ 85°C
SOT-143
D11
-40 ° C至+ 85°C
SOT-143
D10
TEMP 。 RANGE
包
记号
5
典型用途
* Siliconix公司
30m
，7A最大。
负载
电压
负载电压仅受限制
MOSFET的漏极 - 源极的评价
0.1F
3
4
On
关闭
MIC4416
VS
CTL
G
GND
2
1
负载
Si9410DY*
N沟道
MOSFET
+12V
4.7F
低边电源开关
1998年4月
5-23
MIC4416
麦克雷尔
绝对最大额定值
电源电压（V
S
) .................................................... +20V
控制电压（V
CTL
） ................................. -20V至+ 20V
栅极电压（V
G
) ....................................................... +20V
结温（T
J
) ........................................ 150°C
焊接温度，焊接................... 260 ℃，持续5秒。
工作额定值
电源电压（V
S
） ....................................... +4.5至+ 18V
环境温度范围（T
A
） ............. -40 ° C至+ 85°C
热阻
(θ
JA
） ...................................... 220 ° C / W
（焊接到0.25英寸
2
铜地平面）
电气特性
参数
电源电流
控制输入电压
控制输入电流
延迟时间，V
CTL
升起
延迟时间，V
CTL
落下
输出上升时间
条件（注1 ）
4.5V
≤
V
S
≤
18V
4.5V
≤
V
S
≤
18V
0V
≤
V
CTL
≤
V
S
V
S
= 5V
V
S
= 18V
V
S
= 5V
V
S
= 18V
V
S
= 5V
V
S
= 18V
输出下降时间
V
S
= 5V
V
S
= 18V
门输出失调电压
输出电阻
4.5V
≤
V
S
≤
18V
V
S
= 5V ，我
OUT
= 10毫安
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
V
G
=高
V
G
= LOW
P沟道（源） MOSFET
N沟道（汇） MOSFET
P沟道（源） MOSFET
N沟道（汇） MOSFET
250
V
CTL
= 0V
V
CTL
= 5V
V
CTL
为逻辑0输入
V
CTL
逻辑输入1
2.4
–10
42
33
42
23
24
14
28
16
–25
25
7.6
7.8
3.5
3.5
10
10
40
40
40
60
10
民
典型值
50
370
最大
200
1500
0.8
单位
A
A
V
V
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mV
mV
mA
5
V
S
= 18V ，我
OUT
= 10毫安
门的反向输出电流
无闩锁
一般注意事项：
设备的ESD保护，但操作注意事项建议。
注1 ：
注2 ：
在T典型值
A
= 25°C 。最小值和最大值指示的性能在-40℃下
≥
T
A
≥
+ 85°C 。在25 ℃的零部件生产测试。
请参阅“ MIC4416时序定义”和“ MIC4417时序定义”图表（见下页） 。
1998年4月
5-25
MIC4416
麦克雷尔
典型特征
注3
静态电源电流
- 电源电压
500
电源电流（ μA ）
400
300
200
100
0
V
CTL
= 0V
0
3
6
9
12 15
电源电压（ V）
18
电源电流（mA ）
V
CTL
= 5V
电源电流
与负载电容
100
电源电流（mA ）
电源电流
与负载电容
100
1MHz
10
10kHz
1
V
供应
= 18V
0.1
1
10
电容（ NF）
100
100kHz
1MHz
100kHz
10
10kHz
1
V
供应
= 5V
0.1
1
10
电容（ NF）
100
电源电流
与频率的关系
100
输出上升时间和下降时间
与负载电容
100
10
V
供应
= 5V
f
CTL
= 50kHz的
秋天
时间（μs ）
上升
1
输出上升时间和下降时间
与负载电容
V
供应
= 18V
f
CTL
= 50kHz的
电源电流（mA ）
V
供应
= 18V
10
10
时间（μs ）
1
秋天
0.1
上升
1
5V
0.1
0.1
10
1000
2000
100
0.01
1
频率（kHz ）
10
电容（ NF）
100
0.01
1
10
电容（ NF）
100
5
延迟时间
- 电源电压
60
50
时间（纳秒）
时间（纳秒）
40
V
CTL
上升
30
20
V
CTL
秋天
10
0
0
3
6
9
12 15
电源电压（ V）
18
10
60
50
延迟时间
与温度的关系
60
V
CTL
秋天
50
V
CTL
上升
时间（纳秒）
40
30
20
延迟时间
与温度的关系
40
30
20
V
CTL
上升
V
CTL
秋天
10
V
供应
= 5V
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
V
供应
= 18V
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
上升和下降时间
- 电源电压
50
f
CTL
= 1MHz的
40
时间（纳秒）
时间（纳秒）
30
20
10
0
秋天
上升
40
30
20
10
50
上升和下降时间
与温度的关系
50
40
秋天
上升
V
供应
= 5V
f
CTL
= 1MHz的
时间（纳秒）
30
20
10
上升和下降时间
与温度的关系
V
供应
= 18V
f
CTL
= 1MHz的
秋天
上升
0
3
6
9
12 15
电源电压（ V）
18
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
1998年4月
5-27
MIC4416/4417
麦克雷尔INC 。
MIC4416/4417
IttyBitty 低侧MOSFET驱动器
概述
该MIC4416和MIC4417 IttyBitty 低侧MOSFET
驱动器可切换的N沟道enhancement-
从低TTL兼容的控制信号型MOSFET
侧开关应用。该MIC4416是同相和
该MIC4417是反相的。这些驱动器具有短延时
和高的峰值电流，以产生精确的边缘和快速
上升和下降时间。他们的小4引脚SOT- 143封装的用途
最小空间。
该MIC4416 / 7从+ 4.5V至+ 18V电源供电
电压。导通状态的栅极驱动器的输出电压是近似
三方共同等于电源电压（没有内部调节器或
夹） 。高电源电压，例如10V，是适当
对于与标准的N沟道MOSFET的使用。低价供应
电压，如5V ，适用于具有逻辑电平用
N沟道MOSFET 。
在低侧配置中，驱动器可控制的MOSFET
切换任何电压高达MOSFET的额定值。
该MIC4416可在SOT -143封装，
额定工作在-40 ° C至+ 85 ° C的环境温度范围。
特点
+ 4.5V至+ 18V的操作
低稳态电源电流
50μA典型值，控制输入为低
370μA典型，控制输入高
1.2A额定峰值输出
在18V电源3.5Ω典型输出电阻
在5V电源7.8Ω典型输出电阻
从电源或接地25mV的最大输出偏移
工作在低侧开关电路
TTL兼容的输入可承受-20V
ESD保护
反相和同相的版本
应用
电池保护
电磁阀和运动控制
灯控制
开关模式电源
典型用途
* Siliconix公司
30m
，7A最大。
负载
电压
负载电压仅受限制
MOSFET的漏极 - 源极的评价
0.1F
3
4
On
关闭
MIC4416
VS
CTL
G
GND
2
1
负载
Si9410DY*
N沟道
MOSFET
+12V
4.7F
低边电源开关
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年5月
1
MIC4416/4417
MIC4416/4417
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
电源电压（V
S
) .................................................... +20V
控制电压（V
CTL
） ................................. -20V至+ 20V
栅极电压（V
G
) ....................................................... +20V
结温（T
J
) ........................................ 150°C
焊接温度，焊接................... 260 ℃，持续5秒。
工作额定值
电源电压（V
S
） ....................................... +4.5至+ 18V
控制电压（V
CTL
） .......................................... 0V至V
S
环境温度范围（T
A
） ............. -40 ° C至+ 85°C
热阻
(θ
JA
） ...................................... 220 ° C / W
（焊接到0.25英寸
2
铜地平面）
电气特性
（注3）
参数
电源电流
控制输入电压
控制输入电流
延迟时间，V
CTL
升起
延迟时间，V
CTL
落下
输出上升时间
条件（注1 ）
4.5V
≤
V
S
≤
18V
4.5V
≤
V
S
≤
18V
0V
≤
V
CTL
≤
V
S
V
S
= 5V
V
S
= 18V
V
S
= 5V
V
S
= 18V
V
S
= 5V
V
S
= 18V
输出下降时间
V
S
= 5V
V
S
= 18V
门输出失调电压
输出电阻
4.5V
≤
V
S
≤
18V
V
S
= 5V ，我
OUT
= 10毫安
P沟道（源） MOSFET
N沟道（汇） MOSFET
V
S
= 18V ，我
OUT
= 10毫安
P沟道（源） MOSFET
N沟道（汇） MOSFET
门的反向输出电流
无闩锁
250
3.5
3.5
10
10
mA
7.6
7.8
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
C
L
= 1000pF的，
注2
V
G
=高
V
G
= LOW
V
CTL
= 0V
V
CTL
= 5V
V
CTL
为逻辑0输入
V
CTL
逻辑输入1
2.4
–10
42
33
42
23
24
14
28
16
–25
25
40
40
40
60
10
民
典型值
50
370
最大
200
1500
0.8
单位
A
A
V
V
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mV
mV
一般注意事项：
设备的ESD保护，但操作注意事项建议。
注1 ：
注2 ：
注3 ：
在T典型值
A
= 25°C 。最小值和最大值指示的性能在-40℃下
≥
T
A
≥
+ 85°C 。在25 ℃的零部件生产测试。
请参阅“ MIC4416时序定义”和“ MIC4417时序定义”图表（见下页） 。
规范只包装的产品。
2005年5月
3
MIC4416/4417
MIC4416/4417
麦克雷尔INC 。
典型特征
注3
静态电源电流
- 电源电压
100
电源电流（mA ）
500
电源电流（ μA ）
400
300
200
100
0
电源电流
与负载电容
1MHz
100kHz
10
电源电流（mA ）
100
电源电流
与负载电容
1MHz
100kHz
V
CTL
= 5V
10
10kHz
1
V
供应
= 18V
0.1
1
10
电容（ NF）
100
10kHz
1
V
CTL
= 0V
0
3
6
9
12 15
电源电压（ V）
18
V
供应
= 5V
0.1
1
10
电容（ NF）
100
电源电流
与频率的关系
100
输出上升时间和下降时间
与负载电容
100
10
V
供应
= 5V
f
CTL
= 50kHz的
秋天
时间（μs ）
输出上升时间和下降时间
与负载电容
V
供应
= 18V
f
CTL
= 50kHz的
电源电流（mA ）
V
供应
= 18V
10
10
时间（μs ）
1
秋天
0.1
上升
1
上升
1
5V
0.1
0.1
10
1000
2000
100
0.01
1
频率（kHz ）
10
电容（ NF）
100
0.01
1
10
电容（ NF）
100
60
50
延迟时间
- 电源电压
60
50
时间（纳秒）
延迟时间
与温度的关系
V
CTL
秋天
60
50
延迟时间
与温度的关系
时间（纳秒）
V
CTL
上升
30
20
V
CTL
秋天
10
0
0
3
6
9
12 15
电源电压（ V）
18
30
20
10
V
供应
= 5V
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
时间（纳秒）
40
40
V
CTL
上升
40
30
20
V
CTL
上升
V
CTL
秋天
10
V
供应
= 18V
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
50
40
上升和下降时间
- 电源电压
f
CTL
= 1MHz的
50
40
时间（纳秒）
30
20
10
上升和下降时间
与温度的关系
50
40
上升和下降时间
与温度的关系
V
供应
= 18V
f
CTL
= 1MHz的
时间（纳秒）
30
20
10
0
秋天
上升
秋天
上升
V
供应
= 5V
f
CTL
= 1MHz的
时间（纳秒）
30
20
10
秋天
上升
0
3
6
9
12 15
电源电压（ V）
18
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
2005年5月
5
MIC4416/4417
QQ：2880707522 复制
