MIC4123/4124/4125
麦克雷尔INC 。
MIC4123/4124/4125
双路3A峰值低侧MOSFET驱动器
双极/ CMOS / DMOS工艺
概述
该MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四家人都非常可靠BiC-
MOS / DMOS缓冲器/驱动器/ MOSFET驱动器。他们是高
该MIC4126的输出电流版本/ 4128分之4127 ，这
是MIC4426 /四千四百二十八分之四千四百二十七的改进版本。所有这三个
家庭是引脚兼容。该MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四driv-
商能够在更加苛刻提供可靠的服务
电气环境比他们的前辈。他们将
其功率和电压范围内，任何情况下不锁定
收视率。他们可以生存下去的噪声尖峰高达5V ，任
极性，在接地引脚。他们可以接受，要么不
损坏或逻辑混乱，高达反向电流的半放大器
（任一极性）被迫返回到输出端。
该MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四系列驱动程序更容易使用，更
灵活的操作，并且比其它的CMOS更宽容
或双极性驱动程序目前已经上市。他们的BiCMOS / DMOS
建筑消耗最小的功耗，并提供轨到
轨电压摆幅。
主要用于驱动功率MOSFET ，该
MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四驱动程序适用于驱动其它负载
（电容，电阻，电感或）需要低阻抗
ANCE ，高峰值电流，以及快速开关时间。重
装载时钟线，同轴电缆，或压电换能器
是一些例子。装上已知的唯一限制是
即总功率消耗在驱动程序必须保持在
封装的最大功耗限制。
特点
可靠，低功耗的双极/ CMOS / DMOS建设
闭锁保护， >200毫安反向电流
逻辑输入可承受摆动-5V
高3A ，峰值输出电流
宽4.5V至20V的工作范围
驱动1800pF的电容在25ns的
总之<50ns典型的延迟时间
一贯在电源电压变化的延迟时间与
匹配的上升和下降时间
TTL逻辑输入与电源电压无关
低等效为6.0pF的输入电容
低电源电流
3.5毫安与逻辑输入1
350μA与逻辑0输入
低2.3Ω典型输出阻抗
在地面或V 25mV的输出电压摆幅
S
.
' 7分之426 / 8-， '七分之一千四百二十六/ 8-， ' 7分之4426 / 8-兼容引出线
反相，同相，和差CON连接gurations
背面裸露焊盘封装减少热量
EPAD SOIC -8L （ θ
JA
= 58 ° C / W）
采用4mm x 4mm MLF -8L （ θ
JA
= 45 ° C / W）
工作原理图
V
S
0.6mA
0.1mA
INV ERT ING
集成的元件数量：
4电阻
4电容器
52晶体管
OUTA
INA
2k
NONINV二厅
0.6mA
0.1mA
INV ERT ING
欧TB
INB
2k
NONINV二厅
GND
地面未使用的输入
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年5月
1
M9999-052405
MIC4123/4124/4125
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压................................................ ........... + 24V
输入电压.................................. V
S
+ 0.3V至GND - 5V
结温................................................ 150℃
存储温度范围......................- 65℃ 150℃
焊接温度（ 10秒） ...................................... 300℃
ESD Susceptability ，
注3
工作额定值
（注2 ）
电源电压（V
S
） ...................................... + 4.5V至+ 20V
结温范围.....................- 40 ° C至125°C
封装热阻
采用4mm x 4mm MLF
θ
JA
......................................... 45 ° C / W
EPAD SOIC -8L
θ
JA
............................................. 58 ° C / W
MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四电气特性
（注4 ）
4.5V ≤ V
S
= 20V ;牛逼
A
= 25°C,
胆大
值表明：-40° C≤牛逼
J
≤ + 125°C ;除非另有说明。输入电压摆率>2.5V / μs的。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻HI国家
输出电阻LO状态
I
PK
I
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟Tlme
延迟时间
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试f科幻gure 1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
>200
I
OUT
= 100A
I
OUT
= –100A
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 20V
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 20V
V
S
–0.025
2.3
2.2
3
V
0.025
5
8
5
8
V
Ω
Ω
Ω
Ω
A
mA
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
0V ≤ V
IN
≤ V
S
–1
–10
2.4
1.5
1.3
0.8
1
10
V
V
A
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关时间
t
R
t
F
t
D1
t
D2
电源
I
S
I
S
注： 1 。
注2 。
注3 。
注4 。
11
11
44
59
35
60
35
60
75
100
75
100
2.5
3.5
0.25
0.3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
mA
mA
电源电流
电源电流
V
IN
= 3.0V （两路输入）
V
IN
= 0.0V （两路输入）
1.5
0.15
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
设备是ESD敏感。建议操作注意事项。静电串联100pF的测试，以人体模型， 1.5k的。
特定网络阳离子只包装的产品。
2005年5月
3
M9999-052405
MIC4123/4124/4125
麦克雷尔INC 。
MIC4123/4124/4125
双路3A峰值低侧MOSFET驱动器
双极/ CMOS / DMOS工艺
概述
该MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四家人都非常可靠BiC-
MOS / DMOS缓冲器/驱动器/ MOSFET驱动器。他们是高
该MIC4126的输出电流版本/ 4128分之4127 ，这
是MIC4426 /四千四百二十八分之四千四百二十七的改进版本。所有这三个
家庭是引脚兼容。该MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四driv-
商能够在更加苛刻提供可靠的服务
电气环境比他们的前辈。他们将
其功率和电压范围内，任何情况下不锁定
收视率。他们可以生存下去的噪声尖峰高达5V ，任
极性，在接地引脚。他们可以接受，要么不
损坏或逻辑混乱，高达反向电流的半放大器
（任一极性）被迫返回到输出端。
该MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四系列驱动程序更容易使用，更
灵活的操作，并且比其它的CMOS更宽容
或双极性驱动程序目前已经上市。他们的BiCMOS / DMOS
建筑消耗最小的功耗，并提供轨到
轨电压摆幅。
主要用于驱动功率MOSFET ，该
MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四驱动程序适用于驱动其它负载
（电容，电阻，电感或）需要低阻抗
ANCE ，高峰值电流，以及快速开关时间。重
装载时钟线，同轴电缆，或压电换能器
是一些例子。装上已知的唯一限制是
即总功率消耗在驱动程序必须保持在
封装的最大功耗限制。
特点
可靠，低功耗的双极/ CMOS / DMOS建设
闭锁保护， >200毫安反向电流
逻辑输入可承受摆动-5V
高3A ，峰值输出电流
宽4.5V至20V的工作范围
驱动1800pF的电容在25ns的
总之<50ns典型的延迟时间
一贯在电源电压变化的延迟时间与
匹配的上升和下降时间
TTL逻辑输入与电源电压无关
低等效为6.0pF的输入电容
低电源电流
3.5毫安与逻辑输入1
350μA与逻辑0输入
低2.3Ω典型输出阻抗
在地面或V 25mV的输出电压摆幅
S
.
' 7分之426 / 8-， '七分之一千四百二十六/ 8-， ' 7分之4426 / 8-兼容引出线
反相，同相，和差CON连接gurations
背面裸露焊盘封装减少热量
EPAD SOIC -8L （ θ
JA
= 58 ° C / W）
采用4mm x 4mm MLF -8L （ θ
JA
= 45 ° C / W）
工作原理图
V
S
0.6mA
0.1mA
INV ERT ING
集成的元件数量：
4电阻
4电容器
52晶体管
OUTA
INA
2k
NONINV二厅
0.6mA
0.1mA
INV ERT ING
欧TB
INB
2k
NONINV二厅
GND
地面未使用的输入
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年5月
1
M9999-052405
MIC4123/4124/4125
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压................................................ ........... + 24V
输入电压.................................. V
S
+ 0.3V至GND - 5V
结温................................................ 150℃
存储温度范围......................- 65℃ 150℃
焊接温度（ 10秒） ...................................... 300℃
ESD Susceptability ，
注3
工作额定值
（注2 ）
电源电压（V
S
） ...................................... + 4.5V至+ 20V
结温范围.....................- 40 ° C至125°C
封装热阻
采用4mm x 4mm MLF
θ
JA
......................................... 45 ° C / W
EPAD SOIC -8L
θ
JA
............................................. 58 ° C / W
MIC4123 /四千一百二十五分之四千一百二十四电气特性
（注4 ）
4.5V ≤ V
S
= 20V ;牛逼
A
= 25°C,
胆大
值表明：-40° C≤牛逼
J
≤ + 125°C ;除非另有说明。输入电压摆率>2.5V / μs的。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻HI国家
输出电阻LO状态
I
PK
I
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟Tlme
延迟时间
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
测试f科幻gure 1 ，C
L
= 1800pF
测试图1 ，C
L
= 1800pF
>200
I
OUT
= 100A
I
OUT
= –100A
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 20V
I
OUT
= 10毫安，V
S
= 20V
V
S
–0.025
2.3
2.2
3
V
0.025
5
8
5
8
V
Ω
Ω
Ω
Ω
A
mA
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
0V ≤ V
IN
≤ V
S
–1
–10
2.4
1.5
1.3
0.8
1
10
V
V
A
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关时间
t
R
t
F
t
D1
t
D2
电源
I
S
I
S
注： 1 。
注2 。
注3 。
注4 。
11
11
44
59
35
60
35
60
75
100
75
100
2.5
3.5
0.25
0.3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
mA
mA
电源电流
电源电流
V
IN
= 3.0V （两路输入）
V
IN
= 0.0V （两路输入）
1.5
0.15
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
设备是ESD敏感。建议操作注意事项。静电串联100pF的测试，以人体模型， 1.5k的。
特定网络阳离子只包装的产品。
2005年5月
3
M9999-052405
QQ：2881677436 复制
