MIC4100/1
100V半桥MOSFET驱动器
概述
该MIC4100 / 1高频率， 100V半桥
MOSFET驱动器IC具有30ns的快速传输延迟
次。低边和高边栅极驱动器
独立控制和匹配在3ns内
典型的。该MIC4100具有CMOS输入阈值，以及
MIC4101具有TTL输入阈值。该MIC4100 / 1
包括高电压的内部二极管充电高
侧栅极驱动器自举电容。
一个强大，高速，低功率电平转换器提供
清洁级跃迁到高侧输出。坚固
该MIC4100 / 1的操作，确保输出不
受供应毛刺， HS振铃下方地面上，或
回转支承HS高速电压转换。理解
被设置在两个低侧电压保护和
高侧驱动器。
该MIC4100可在SOIC -8L封装，
交界处的工作范围为-40° C至+ 125°C 。
数据手册和支持文档上可以找到
麦克雷尔的网站www.micrel.com 。
特点
自举电源的最大电压118V DC
电源电压高达16V
驱动高边和低边N沟道MOSFET与
独立输入
CMOS输入阈值（ MIC4100 ）
TTL输入阈值（ MIC4101 ）
片上自举二极管
快30ns的传播时间
驱动1000pF的负载10ns的上升和下降时间
低功耗
电源欠压保护
3Ω拉起， 3Ω下拉输出电阻
节省空间的SOIC- 8L封装
-40°C至+ 125°C的结温范围
应用
高电压降压型转换器
推挽式转换器
全速和半桥式转换器
有源钳位正向转换器
___________________________________________________________________________________________________________
典型用途
9V至16V偏置
100V电源
VDD
HB
PWM
调节器
HI
LI
MIC4100
SO-8
HO
HS
V
OUT
GND
LO
100V降压稳压器解决方案
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 USA 电话： +1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2006年3月
M9999-031506
麦克雷尔INC 。
MIC4100/1
订购信息
产品型号
标准
MIC4100BM
MIC4101BM
无铅
MIC4100YM
MIC4101YM
输入
CMOS
TTL
结温。范围
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
包
SOIC-8L
SOIC-8L
引脚配置
VDD 1
HB 2
何3
HS 4
8 LO
7 VSS
6李
5高
SOIC - 8L （M ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VDD
HB
HO
HS
HI
LI
VSS
LO
引脚功能
正电源，以降低栅极驱动器。去耦该引脚到VSS （引脚7 ） 。引导
二极管连接的HB （引脚2） 。
高边自举电源。外部自举电容是必需的。连
自举电容的积极一面此引脚。自举二极管芯片。
高侧输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极。
高边源连接。连接到高侧功率MOSFET的源极。
自举电容的负端连接到该引脚。
高端输入。
低端输入。
片上负电源，一般是地面。
低侧输出。连接至低侧功率MOSFET的栅极。
2006年3月
2
M9999-031506
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MIC4100/1
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
DD
, V
HB
– V
HS
） ...................... -0.3V至18V
输入电压（V
李，
V
HI
） ......................... -0.3V到V
DD
+ 0.3V
电压LO （V
LO
） .............................. -0.3V到V
DD
+ 0.3V
电压HO （V
HO
) ......................V
HS
- 0.3V至V
HB
+ 0.3V
在HS （连续）电压.............................. -1V至110V
电压HB ............................................... ............... 118V
VDD的平均电流为HB二极管....................... 100毫安
结温（T
J
） ........................- 55 ° C至+ 150°C
存储温度（T
s
） ..........................- 60 ° C至+ 150°C
EDS评级
(3)
.................................................. ............注3
工作额定值
(2)
电源电压（V
DD
） ........................................ + 9V至+ 16V
电压HS ............................................... .... -1V至100V
在HS （重复瞬态） ..................电压-5V至105V
HS摆率............................................... ............. 50V / ns的
对HB ................................... V电压
HS
+ 8V至V
HS
+ 16V
和............................................ V
DD
- 1V至V
DD
+ 100V
结温（T
J
） ........................ -40 ° C至+ 125°C
热阻结
SOIC -8L （ θ
JA
)...................................................140°C/W
电气特性
(4)
V
DD
= V
HB
= 12V; V
SS
= V
HS
= 0V ;在LO或豪无负荷;牛逼
A
= 25°C ;除非另有说明。
胆大
值表明-40 ° C<牛逼
J
< + 125°C 。
参数
电源电流
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前，静态
HB到V
SS
目前，工作
低电平输入电压
门槛
高电平输入电压
门槛
输入电压滞后
输入下拉电阻
符号
条件
民
典型值
40
2.5
25
1.4
0.05
10
最大
150
单位
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
李= HI = 0V
F = 500kHz的
李= HI = 0V
F = 500kHz的
V
HS
= V
HB
= 110V
F = 500kHz的
4
200
3.4
150
A
mA
200
2.5
A
mA
3
1
A
A
输入引脚： MIC4100 （ CMOS输入）
V
IL
V
IH
V
IHYS
R
I
5.3
5.7
0.4
7
3
8
100
0.8
200
1.5
1.5
V
V
V
500
K
输入引脚： MIC4101 （ TTL ）
低电平输入电压
门槛
高电平输入电压
门槛
输入下拉电阻
V
IL
V
IH
R
I
V
2.2
500
V
K
100
200
2006年3月
3
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MIC4100/1
参数
交换特定网络阳离子
低关断传播
延迟（LI下降到LO下降）
上关断传播
延迟（ HI下降到HO下降）
低导通传播
延迟（李瑞星LO瑞星）
上部导通传播
延迟（ HI瑞星何晟）
低关断传播
延迟（LI下降到LO下降）
上关断传播
延迟（ HI下降到HO下降）
低导通传播
延迟（李瑞星LO瑞星）
上部导通传播
延迟（ HI瑞星何晟）
延迟匹配：低导通
和上导通关
延迟匹配：低关断
和上开启
无论是输出上升/下降时间
无论是输出上升/下降时间
（ 3V至9V ）
最小输入脉冲宽度
改变输出
自举二极管导通开或
打开-O FF时间
注意事项：
符号
条件
民
典型值
27
27
27
27
31
31
31
31
3
3
最大
45
45
45
45
55
55
55
55
8
单位
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
MON
t
MOFF
t
RC ，
t
FC
t
R
, t
F
t
PW
t
BS
(MIC4100)
(MIC4100)
(MIC4100)
(MIC4100)
(MIC4101)
(MIC4101)
(MIC4101)
(MIC4101)
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
8
10
C
L
= 1000pF的
C
L
= 0.1
F
10
0.4
0.6
0.8
50
10
s
ns
ns
注6
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.所有电压相对于管脚7 ，V
SS
除非另有说明
6.通过设计保证。未经生产测试。
2006年3月
5
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100V半桥MOSFET驱动器
概述
该MIC4100 / 1高频率， 100V半桥
MOSFET驱动器IC具有30ns的快速传输延迟
次。低边和高边栅极驱动器
独立控制和匹配在3ns内
典型的。该MIC4100具有CMOS输入阈值，以及
MIC4101具有TTL输入阈值。该MIC4100 / 1
包括高电压的内部二极管充电高
侧栅极驱动器自举电容。
一个强大，高速，低功率电平转换器提供
清洁级跃迁到高侧输出。坚固
该MIC4100 / 1的操作，确保输出不
受供应毛刺， HS振铃下方地面上，或
回转支承HS高速电压转换。理解
被设置在两个低侧电压保护和
高侧驱动器。
该MIC4100可在SOIC -8L封装，
交界处的工作范围为-40° C至+ 125°C 。
数据手册和支持文档上可以找到
麦克雷尔的网站www.micrel.com 。
特点
自举电源的最大电压118V DC
电源电压高达16V
驱动高边和低边N沟道MOSFET与
独立输入
CMOS输入阈值（ MIC4100 ）
TTL输入阈值（ MIC4101 ）
片上自举二极管
快30ns的传播时间
驱动1000pF的负载10ns的上升和下降时间
低功耗
电源欠压保护
3Ω拉起， 3Ω下拉输出电阻
节省空间的SOIC- 8L封装
-40°C至+ 125°C的结温范围
应用
高电压降压型转换器
推挽式转换器
全速和半桥式转换器
有源钳位正向转换器
___________________________________________________________________________________________________________
典型用途
9V至16V偏置
100V电源
VDD
HB
PWM
调节器
HI
LI
MIC4100
SO-8
HO
HS
V
OUT
GND
LO
100V降压稳压器解决方案
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 USA 电话： +1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
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订购信息
产品型号
标准
MIC4100BM
MIC4101BM
无铅
MIC4100YM
MIC4101YM
输入
CMOS
TTL
结温。范围
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
包
SOIC-8L
SOIC-8L
引脚配置
VDD 1
HB 2
何3
HS 4
8 LO
7 VSS
6李
5高
SOIC - 8L （M ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VDD
HB
HO
HS
HI
LI
VSS
LO
引脚功能
正电源，以降低栅极驱动器。去耦该引脚到VSS （引脚7 ） 。引导
二极管连接的HB （引脚2） 。
高边自举电源。外部自举电容是必需的。连
自举电容的积极一面此引脚。自举二极管芯片。
高侧输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极。
高边源连接。连接到高侧功率MOSFET的源极。
自举电容的负端连接到该引脚。
高端输入。
低端输入。
片上负电源，一般是地面。
低侧输出。连接至低侧功率MOSFET的栅极。
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MIC4100/1
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
DD
, V
HB
– V
HS
） ...................... -0.3V至18V
输入电压（V
李，
V
HI
） ......................... -0.3V到V
DD
+ 0.3V
电压LO （V
LO
） .............................. -0.3V到V
DD
+ 0.3V
电压HO （V
HO
) ......................V
HS
- 0.3V至V
HB
+ 0.3V
在HS （连续）电压.............................. -1V至110V
电压HB ............................................... ............... 118V
VDD的平均电流为HB二极管....................... 100毫安
结温（T
J
） ........................- 55 ° C至+ 150°C
存储温度（T
s
） ..........................- 60 ° C至+ 150°C
EDS评级
(3)
.................................................. ............注3
工作额定值
(2)
电源电压（V
DD
） ........................................ + 9V至+ 16V
电压HS ............................................... .... -1V至100V
在HS （重复瞬态） ..................电压-5V至105V
HS摆率............................................... ............. 50V / ns的
对HB ................................... V电压
HS
+ 8V至V
HS
+ 16V
和............................................ V
DD
- 1V至V
DD
+ 100V
结温（T
J
） ........................ -40 ° C至+ 125°C
热阻结
SOIC -8L （ θ
JA
)...................................................140°C/W
电气特性
(4)
V
DD
= V
HB
= 12V; V
SS
= V
HS
= 0V ;在LO或豪无负荷;牛逼
A
= 25°C ;除非另有说明。
胆大
值表明-40 ° C<牛逼
J
< + 125°C 。
参数
电源电流
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前，静态
HB到V
SS
目前，工作
低电平输入电压
门槛
高电平输入电压
门槛
输入电压滞后
输入下拉电阻
符号
条件
民
典型值
40
2.5
25
1.4
0.05
10
最大
150
单位
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
李= HI = 0V
F = 500kHz的
李= HI = 0V
F = 500kHz的
V
HS
= V
HB
= 110V
F = 500kHz的
4
200
3.4
150
A
mA
200
2.5
A
mA
3
1
A
A
输入引脚： MIC4100 （ CMOS输入）
V
IL
V
IH
V
IHYS
R
I
5.3
5.7
0.4
7
3
8
100
0.8
200
1.5
1.5
V
V
V
500
K
输入引脚： MIC4101 （ TTL ）
低电平输入电压
门槛
高电平输入电压
门槛
输入下拉电阻
V
IL
V
IH
R
I
V
2.2
500
V
K
100
200
2006年3月
3
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MIC4100/1
参数
交换特定网络阳离子
低关断传播
延迟（LI下降到LO下降）
上关断传播
延迟（ HI下降到HO下降）
低导通传播
延迟（李瑞星LO瑞星）
上部导通传播
延迟（ HI瑞星何晟）
低关断传播
延迟（LI下降到LO下降）
上关断传播
延迟（ HI下降到HO下降）
低导通传播
延迟（李瑞星LO瑞星）
上部导通传播
延迟（ HI瑞星何晟）
延迟匹配：低导通
和上导通关
延迟匹配：低关断
和上开启
无论是输出上升/下降时间
无论是输出上升/下降时间
（ 3V至9V ）
最小输入脉冲宽度
改变输出
自举二极管导通开或
打开-O FF时间
注意事项：
符号
条件
民
典型值
27
27
27
27
31
31
31
31
3
3
最大
45
45
45
45
55
55
55
55
8
单位
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
MON
t
MOFF
t
RC ，
t
FC
t
R
, t
F
t
PW
t
BS
(MIC4100)
(MIC4100)
(MIC4100)
(MIC4100)
(MIC4101)
(MIC4101)
(MIC4101)
(MIC4101)
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
8
10
C
L
= 1000pF的
C
L
= 0.1
F
10
0.4
0.6
0.8
50
10
s
ns
ns
注6
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.所有电压相对于管脚7 ，V
SS
除非另有说明
6.通过设计保证。未经生产测试。
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