MIC261203
28V ，12A超轻型载
同步DC / DC降压稳压器
SuperSwitcher IIG
概述
麦克雷尔MIC261203是一个恒定频率，
同步DC / DC降压稳压器设有自适应导通
时间控制架构。该MIC261203工作在
电源电压范围为4.5V至28V的。它有一个内部的线性
稳压器提供稳压的5V供电的
内部控制电路。 MIC261203工作在
：在连拍恒600kHz的开关频率
导通模式，并可以被用于提供高达12A
输出电流。输出电压是可调低至
0.8V.
特点
过度轻载效率 - 高达80％可达10mA
超速度控制架构实现
高台达V工作电压（V
IN
= 28V和V
OUT
= 0.8V)
小的输出电容
输入电压范围： 4.5V至28V
输出电流高达12A
高达95％的英法fi效率
可调输出电压从0.8V到5.5V
±1％ FB的准确性
任何电容
TM
稳定
零到高ESR
600kHz的开关频率
电源良好（ PG ）输出
折返式限流和“打嗝”模式短路
保护
安全启动至预偏置负载
5毫米x 6mm的MLF
包
-40°C至+ 125°C的结温范围
麦瑞半导体的Hyper轻负载架构提供了相同的
高效率和超快速瞬态响应为
根据媒体的Hyper Speed Control架构重
负荷，而且还保持在轻负荷下的高效率
通过转换到可变频率的条件下，
不连续模式操作。
该MIC261203提供全套的保护功能，
确保在故障条件下保护IC的。这些
包括欠压锁定，以确保正常运行
功率过低的情况，热关断，内部下
软启动降低浪涌电流，折返电流 -
应用
限制和“打嗝”模式短路保护。该
MIC261203包括一个电源良好（ PG）输出，使
分布式电源系统
简单的排序。
电信/网络基础设施
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
打印机，扫描仪，图形卡和视频卡
网址为：
www.micrel.com 。
___________________________________________________________________________________________________________
典型用途
英法fi效率（V
IN
= 12V)
与输出电流
100
95
90
5.0V
3.3V
2.5V
1.8V
1.5V
1.2V
1.0V
0.9V
0.8V
效率（％）
85
80
75
70
65
60
55
50
0
3
6
9
12
V
IN
= 12V
15
输出电流（A ）
超速度控制，超轻型载， SuperSwitcher II和任何电容都麦克雷尔公司的商标。
MLF和
MicroLeadFrame
注册Amkor技术公司的商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （
408
） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000
http://www.micrel.com
2011年7月
M9999-071311-A
麦克雷尔INC 。
MIC261203
订购信息
产品型号
MIC261203YJL
电压
可调整的
开关频率
600kHz
结温
范围
-40 ° C至+ 125°C
包
28引脚5mm x 6mm的MLF
无铅封装
无铅
引脚配置
28引脚5mm x 6mm的MLF
（ YJL ）
引脚说明
引脚数
1
3
4, 9, 10, 11, 12
引脚名称
PVDD
NC
SW
引脚功能
内部5V线性稳压器（输出） ： PVDD电源是功率MOSFET的栅极驱动电压
并通过从V内部LDO产生
IN
。当V
IN
< + 5.5V ， PVDD应与PVIN引脚。
一个2.2μF的陶瓷电容从PVDD引脚至PGND （引脚2 ）
一定要到位旁边的IC 。
无连接。
开关节点（输出） ：用于高侧MOSFET的源极和低边MOSFET的内部连接
沥干。由于高速该引脚上的开关， SW引脚应路由远离敏感
节点。
电源地。保护地的接地路径MIC26903降压转换器的功率级。该
PGND引脚连接到低端N沟道MOSFET的内部栅极驱动电源，地面，
MOSFET的源，输入电容器的负极端子，以及所述负极端子
输出电容器。回路为电源地应尽可能地小，并独立于
信号地（ SGND ）循环。
高边n内部MOSFET的漏极连接（输入） ：光伏
IN
工作电压范围是从
4.5V至26V 。之间的PVIN引脚和电源接地（地线）的输入电容要求
并保持连接短。
升压（输出） ：自举电压的高侧的N沟道MOSFET的驱动程序。肖特基二极管
连接的PVDD引脚和BST引脚之间。 0.1μF的升压电容连接
之间的BST引脚和SW引脚。增加一个小电阻， BST引脚可以减缓
开启高侧N沟道MOSFET的时间。
电流检测（输入） ： CS引脚的感觉通过在低端监测电压电流
期间，停止时间的MOSFET 。电流检测是必要的短路保护和零
当前交叉比较。为了感测电流准确，连接低侧MOSFET
排水用Kelvin连接到西南。 CS引脚也是高侧MOSFET的输出驱动器
返回。
2, 5, 6, 7, 8, 21
保护地
13,14,15,
16,17,18,19
PVIN
20
BST
22
CS
2011年7月
2
M9999-071311-A
麦克雷尔INC 。
MIC261203
引脚说明（续）
引脚数
23
24
25
26
27
28
引脚名称
SGND
FB
PG
EN
VIN
VDD
引脚功能
信号地。 SGND必须直接连接到接地平面。不要将SGND引脚
在顶层上的保护地垫，详见PCB布局指南。
反馈（输入）：输入到控制回路的跨导放大器。 FB引脚是
调节到0.8V 。一个电阻分压器连接反馈到输出用于调节所述
期望的输出电压。
电源良好（输出） ：开漏输出。在PG引脚在外部用一个电阻连接到VDD 。一
高输出有效时， V
OUT
＆ GT ;
92％的标称。
启用（输入） ：输出的逻辑电平控制。 EN引脚为CMOS兼容。逻辑高=
启用，逻辑低=关机。在关断状态下，设备的供电电流被大大降低
（典型5μA ） 。 EN引脚不能悬空。
电源电压（输入） ：需要旁路电容SGND 。
内部5V线性稳压器（输出） ： VDD电源是IC控制电路的电源总线。 VDD
通过从V内部LDO产生
IN
。当V
IN
＆ LT ; + 5.5V ，
VDD应与PVIN引脚。一个1.0μF
陶瓷电容， VDD引脚到引脚SGND
一定要到位旁边的IC 。
2011年7月
3
M9999-071311-A
麦克雷尔INC 。
MIC261203
绝对最大额定值
(1,2)
PV
IN
到PGND ................................................ -0.3V至+ 29V
V
IN
到PGND ................................................ ....- 0.3V至PV
IN
PV
DD
, V
DD
到PGND ......................................... -0.3V到+ 6V
V
SW
, V
CS
到PGND .............................. -0.3V到（PV
IN
+0.3V)
V
BST
到V
SW
.................................................. ...... -0.3V至6V
V
BST
到PGND ................................................ .. -0.3V至35V
V
FB
, V
PG
到PGND ............................... -0.3V到（V
DD
+ 0.3V)
V
EN
到PGND ........................................ -0.3V到（V
IN
+0.3V)
PGND到SGND ........................................... -0.3V到+ 0.3V
结温.............................................. 150 ℃，
存储温度（T
S
） .........................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................ 260℃
工作额定值
(3)
电源电压（PV
IN
, V
IN
） ............................... 4.5V至28V
PVDD ， VDD电源电压（PV
DD
, V
DD
） ......... 4.5V至5.5V
使能输入（V
EN
） ................................................. 。 0V至V
IN
结温（T
J
） ........................ -40 ° C至+ 125°C
最大功率耗散......................................注4
封装热阻
(4)
5毫米x 6mm的MLF
-24L (θ
JA
） ............................. 28 ° C / W
电气特性
(5)
PV
IN
= V
IN
= V
EN
= 12V, V
BST
– V
SW
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C，除非另有说明。
胆大
值表明：-40°C
≤
T
J
≤
+125°C.
参数
电源输入
输入电压范围（V
IN
， PV
IN
)
静态电源电流
关断电源电流
V
DD
电源电压
V
DD
输出电压
V
DD
UVLO阈值
V
DD
UVLO迟滞
输入输出电压差（V
IN
– V
DD
)
DC / DC控制器
输出电压调整范围
(V
OUT
)
参考
0°C
≤
T
J
≤
85°C (±1.0%)
–40°C
≤
T
J
≤
125°C (±1.5%)
负载调整率
线路调整
FB偏置电流
使能控制
EN逻辑高电平
EN逻辑低电平
EN偏置电流
振荡器
开关频率
(6)
最大占空比
最小占空比
最小关断时间
(7)
条件
分钟。
4.5
典型值。
马克斯。
28
单位
V
A
A
V
V
mV
mV
V
FB
= 1.5V （非切换）
V
EN
= 0V
V
IN
= 7V至28V ，我
DD
= 40毫安
V
DD
升起
I
DD
= 25毫安
4.8
3.7
450
5
5
4.2
400
380
750
10
5.4
4.5
600
0.8
5.5
V
0.792
0.788
0.8
0.8
0.25
0.25
50
0.808
0.812
V
%
%
I
OUT
= 3A至12A （连续模式）
V
IN
= 4.5V至28V
V
FB
= 0.8V
1.8
500
nA
V
0.6
V
EN
= 12V
450
V
FB
= 0V
V
FB
= 1.0V
6
600
82
0
300
30
750
V
A
千赫
%
%
ns
2011年7月
4
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麦克雷尔INC 。
MIC261203
电气特性
(5)
（续）
PV
IN
= V
IN
= V
EN
= 12V, V
BST
– V
SW
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C，除非另有说明。
胆大
值表示
40°C ≤
T
J
≤
+125°C.
参数
软启动
软启动时间
短路保护
限流门限
限流门限
短路电流
内部场效应管
顶级MOSFET
DS （ ON）
底部MOSFET
DS （ ON）
SW漏电流
V
IN
漏电流
电源良好
PG阈值电压
PG滞后
PG延迟时间
PG低压
热保护
过温关断
过温关断
迟滞
注意事项：
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
3.该设备是不能保证功能以外的工作范围。
4. PD
（最大）
= (T
J（下最大）
– T
A
)/
θ
JA
，其中，
θ
JA
取决于印刷电路布局。有5平方英寸4层， 0.62 “ ， FR- 4印刷电路板2盎司铜完成重
每一层用于
θ
JA
.
5.规范只包装的产品。
6.测量在测试模式下。
7.最大占空比由固定强制性断开时间t限定
关闭
通常为300ns 。
条件
分钟。
典型值。
5
马克斯。
单位
ms
V
FB
= 0.8V ，T
J
= 25°C
V
FB
= 0.8V ，T
J
= 125°C
V
FB
= 0V
I
SW
= 3A
I
SW
= 3A
V
EN
= 0V
V
EN
= 0V
扫V
FB
从低到高
扫V
FB
从高电平变为低电平
扫V
FB
从低到高
扫V
FB
＆ LT ;
0.9
×
V
喃
, I
PG
= 1毫安
T
J
升起
18.75
17.36
26
26
6
6
13
5.3
33
33
A
A
A
m
m
60
25
85
92
5.5
100
70
160
15
200
95
A
A
%V
OUT
%V
OUT
s
mV
°C
°C
2011年7月
5
M9999-071311-A
QQ：2881677436 复制
