MIC2174/MIC2174C
同步降压控制器
配备自适应导通时间控制
40V输入， 300kHz的
超速Control家庭
概述
麦瑞半导体的MIC2174 / MIC2174C是一个固定频率，
同步降压控制器具有自适应导通时间
控制权。该MIC2174 / MIC2174C工作在输入
3V的电源电压范围至40V以固定的开关频率
为300kHz ，可驱动25A输出电流的。
输出电压是可调低至0.8V。
独特的超高速控制架构允许
同时降低了输出超快速瞬态响应
电容。这也使得超快速瞬态响应
同时降低了输出电容，并且还允许对
极低的占空比工作。该MIC2174 /
MIC2174C采用自适应
ON
纹波控制
架构。本发明提供一种UVLO ，以确保正确
功率过低的情况，以防止在操作
从过热外部功率MOSFET 。软启动是
提供可降低浪涌电流。折返式限流
和“打嗝”模式短路保护确保FET和
负载保护。
该MIC2174 / MIC2174C可在一个10引脚MSOP封装
（ MAX1954A兼容）封装，工作
结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网址为：
www.micrel.com 。
特点
超速Control架构实现：
- 高台达V工作电压（V
HSD
= 40V和V
OUT
= 0.8V)
- 更小的输出电容比竞争对手
3V至40V的输入电压
任何电容
TM
稳定
-
零ESR高ESR
300kHz开关频率
从0.8V可调输出至5.5V （V
HSD
≤
28V)
从0.8V可调输出至3.6V （V
HSD
> 28V ）
±1％的FB精度（ MIC2174 ）
±3％的FB精度（ MIC2174C ）
高达94％的英法fi效率
折返电流限制和“打嗝”模式短路
保护
热关断
安全启动至预偏置负载
-40°C至+ 125°C的结温范围
应用
电信网络
工业设备
分布式直流电源系统
____________________________________________________________________________________________________________
典型用途
12V至3.3V效率
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
55
50
0
2
4
6
8
10
VIN=5V
同步降压控制器配备自适应导通时间控制
输出电流（A ）
超速度控制和任何电容都麦克雷尔公司的商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （
408
） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000
http://www.micrel.com
2010年9月
M9999-091310-C
麦克雷尔INC 。
MIC2174/MIC2174C
订购信息
产品型号
MIC2174-1YMM
MIC2174C-1YMM
电压
ADJ 。
ADJ 。
准确性
±1%
±3%
开关频率
300kHz
270kHz
结温
范围
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
包
10引脚MSOP
10引脚MSOP
无铅封装
无铅
无铅
引脚配置
10引脚MSOP （ MM ）
引脚说明
引脚数
1
引脚名称
HSD
引脚功能
高端N - MOSFET的漏极连接（输入） ：电源外部高侧漏N-
沟道MOSFET。在HSD的工作电压范围是从3V至40V 。之间的输入电容
HSD和电源接地（地线）是必需的。
启用（输入） ：输出的逻辑电平控制。 EN引脚为CMOS兼容。逻辑高或
浮=启用，逻辑低=关机。在关断状态下，设备的供电电流被大大降低
（通常0.8毫安） 。
反馈（输入）：输入到控制回路的跨导放大器。 FB引脚调节
到0.8V 。一个电阻分压器连接反馈到输出用于调节所需的输出
电压。
信号地。 GND是接地路径为设备输入电压V
IN
和控制电路。该
回路信号地应是独立于电源接地（地线）循环。
输入电压（输入） ：权力的MIC2174 / MIC2174C的内部基准和控制部分。
在工作电压范围为3V至5.5V 。一个2.2μF的陶瓷电容，从IN到GND是
建议清洁操作。 V
IN
必须启动不早于V
HSD
使软启动
函数的行为正确。
低边驱动器（输出） ：大电流驱动器输出外部低边MOSFET 。该DL驱动
电压摆幅从地面至IN 。
电源地。保护地的接地路径的MIC2174 / MIC2174C降压转换器的功率级。
保护地线引脚连接至低边N沟道MOSFET的源的负端
输入电容器和输出电容器的负极端子。回路为电源地
应尽可能地小，并独立于信号地（GND）的循环。
高边驱动器（输出） ：大电流驱动器输出为外部高边MOSFET 。卫生署驾驶
电压浮在开关节点电压（LX） 。摇晃着从地面到V
IN
减去二极管压降。
添加和DH销之间有一个小电阻上的高侧的N沟道MOSFET的栅极可以减缓
下导通的MOSFET的通和关断时间。
2
EN
3
4
FB
GND
5
IN
6
DL
7
保护地
8
DH
2010年9月
2
M9999-091310-C
麦克雷尔INC 。
MIC2174/MIC2174C
引脚说明（续）
引脚数
引脚名称
引脚功能
开关节点和电流检测输入：高电流输出驱动器的回报。 LX引脚直接连接
到交换节点。由于高速该引脚上的开关， LX引脚应分开布线
从敏感节点。
LX引脚也可检测电流，通过关态时监视两端的电压低侧MOSFET
时间。为了感测电流准确，使用低侧MOSFET的漏极连接到LX
Kelvin连接。
升压（输出）：自举电压的高侧的N沟道MOSFET的驱动程序。肖特基二极管
连接IN引脚和BST引脚之间。 0.1μF的升压电容连接的
BST引脚和LX引脚。添加串联一个小电阻与升压电容可以减慢
开启高侧N沟道MOSFET的时间。
9
LX
10
BST
2010年9月
3
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麦克雷尔INC 。
MIC2174/MIC2174C
绝对最大额定值
(1)
IN， FB ， EN到GND ..........................................
0.3V
为+ 6V
BST到LX ............................................... .........
0.3V
为+ 6V
BST到GND ............................................... ...
0.3V
至+ 46V
卫生署LX ............................................- 0.3V到（Ⅴ
BST
+ 0.3V)
DL ， COMP到GND ..............................
0.3V
到（Ⅴ
IN
+ 0.3V)
HSD到GND ............................................... .....
0.3V
至42V
PGND到GND ..............................................
0.3V
至+ 0.3V
结温.............................................. 150 ℃，
存储温度（T
S
） .........................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................ 260℃
工作额定值
(2)
输入电压（V
IN
） ............................................ 3.0V至5.5V
电源电压（V
HSD
） ....................................... 3.0V至40V
结温（T
J
) ........................
40°C
至+ 125°C
热阻结
MSOP （ θ
JA
） ................................................. .130.5 ° C / W
连续功率耗散（T
A
= 70 ° C） ....... 421mW
（减免5.6mW /°C， 70°C以上）
.
电气特性
(4)
V
BST
V
LX
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C，除非另有说明。
胆大
值表示
40°C
≤
T
J
≤
+125°C.
参数
一般
工作输入电压（V
IN
)
(5)
HSD电压范围（V
HSD
)
静态电源电流
待机电源电流
欠压锁定触发电平
UVLO迟滞
DC- DC控制器
输出电压调节范围（V
OUT
)
误差放大器器
FB调节电压
0°C
≤
T
J
≤
85°C （ MIC2174 ）
40°C
≤
T
J
≤
125°C （ MIC2174 ）
T
J
= 25 ° C（ MIC2174C ）
FB输入漏电流
V
FB
= 0.8V （ MIC2174 ）
限流门限
V
FB
= 0V （ MIC2174 ）
V
FB
= 0.8V （ MIC2174C ）
V
FB
= 0V （ MIC2174C ）
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5k的串联100pF的。
规范只包装的产品。
该应用程序是全功能的低IN（电源控制部分的） ，如果外部MOSFET具有足够低的电压V
TH
.
目前仅来自内部100kΩ的上拉电阻坐在EN输入和绑在。
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
3.0
3.0
(V
FB
= 1.5V ，输出开关，但不包括外部
MOSFET栅极电流）
V
IN
= V
BST
= 5.5V, V
HSD
= 40V ， LX =悬空， EN =
GND
(6)
2.4
1.4
0.8
2.7
50
3.0V
≤
V
HSD
≤
28V
28V < V
HSD
≤
40V
5.5
40
3.0
2
3
V
V
mA
mA
V
mV
0.8
0.8
5.5
3.6
V
-1
-2
-3
5
103
19
95
15
130
48
130
48
1
2
3
500
162
77
170
80
mV
nA
%
2010年9月
4
M9999-091310-C
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