MIC2169B
500kHz的PWM同步降压
控制IC
概述
该MIC2169B是一种高效率，简单易用的500kHz
PWM同步降压控制IC封装在小
MSOP - 10和MSOP - 10封装EPAD 。该MIC2169B
可以用最少的外部紧凑型DC / DC解决方案
元件数量和成本。该器件具有高
输出驱动器能够驱动负载高达30A 。
该MIC2169B工作在3V至14.5V输入，而不
任何额外的偏置电压的需要。输出电压
可以精确地调节至0.8V。自适应全
N沟道MOSFET驱动方案允许英法fi ciencies过
95％的整个范围内尽可能小的一个很宽的负载范围
印刷电路板的空间区域。
该MIC2169B整个检测高侧电流N-
沟道MOSFET ，省去了昂贵的
和有损电流检测电阻。限流精度
用正温度COEF网络cient跟踪维护
在加大研发
DS （ ON）
外部MOSFET 。进一步
成本和空间都保存在内部的浪涌电流 -
限制数字软启动。该MIC2169B是相同的
MIC2169A不同之处在于该MIC2169B支撑
预偏置负载，并且具有较低的阻抗栅极驱动
电路。内部预偏置电路可防止输出电压
下垂和过度的反向电感电流时
通电与预偏置电压被输出。
该MIC2169B可在一个10引脚MSOP和
热功能的10引脚EPAD MSOP封装，具有
-40 ° C至+ 125 ° C的宽结的工作范围。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网站
www.micrel.com 。
特点
3V至14.5V输入电压范围
可调输出电压低至0.8V
500kHz的PWM操作
高达95％的英法fi效率
输出预偏置保护
内建2.2Ω司机开车两个N沟道MOSFET
自适应栅极驱动器提高了效率
简单外部补偿的电压模式PWM
控制
总之最小ON 30ns的允许非常低的占空比时间
周期
快速瞬态响应
可调电流限制检测高侧N通道
MOSFET电流
打嗝模式短路保护
无需外部电流检测电阻
内部软启动电流源
双重功能COMP和EN引脚允许低功耗
关闭
可提供小尺寸10引脚MSOP和10引脚MSOP
EPAD封装
负载点的DC / DC转换
高电流电源
电信/数据通信和网络电源
服务器和工作站
图形卡和其它PC外设
机顶盒
LCD电源
应用
___________________________________________________________________________________________________________
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 USA 电话： +1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000
http://www.micrel.com
2010年4月
M9999-041210-B
麦克雷尔INC 。
MIC2169B
订购信息
产品型号
MIC2169BYMME
MIC2169BYMM
频率
500kHz
500kHz
结温范围
(1)
-40 °C至+ 125°C
-40 °C至+ 125°C
包
10引脚EPAD MSOP
10引脚MSOP
无铅封装
无铅
无铅
引脚配置
10引脚EPAD MSOP （ MME ）
10引脚MSOP
引脚说明
引脚数
1
2
引脚名称
VIN
VDD
引脚功能
电源电压（输入） ： + 3V至+ 14.5V 。
内部5V线性稳压器（输出） ： V
DD
是外部MOSFET栅极驱动
电源电压和用于IC的内部电源总线。当V
IN
是<5V ，短
VDD通过一个10Ω电阻器的输入电源。
电流检测（输入） ：限流比较器同相输入端。趋势/涌流
限制期间的接通时间MOSFET两端感测到的。该电流可以设定
通过串联CS引脚上的电阻。
补偿/使能（输入） ：双功能引脚。引脚用于外部补偿。
如果此引脚拉至低于0.25V ，与基准完全打开该设备的启闭
向下（ 50μA典型电流消耗） 。
反馈（输入） ：输入到误差放大器。调节误差放大器至0.8V 。
接地（返回） 。
低边驱动器（输出） ：大电流驱动器输出外部同步
MOSFET。
开关（返程）：高边MOSFET驱动器的回报。
高边驱动器（输出） ：高电流输出驱动器的高侧MOSFET 。
当V
IN
为3.0V至5V之间， 2.5V MOSFET的阈值应使用。在
V
IN
> 5V， 4.5V的阈值的MOSFET应该被使用。
升压（输入） ：提供驱动电压高边MOSFET驱动器。该
栅极驱动电压比为V的电源电压更高
DD
减去一个二极管压降。
连接到地面。
3
CS
4
COMP / EN
5
6
7
8
9
FB
GND
LSD
VSW
HSD
10
EPAD
BST
EP
2010年4月
3
M9999-041210-B
麦克雷尔INC 。
MIC2169B
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
IN
） ...................................... -0.3V至15.5V
Booststrapped电压（V
BST
） .................... -0.3V到V
IN
+6V
VSW ................................................. ............. -0.3V至15.5V
CS ................................................. ........................... 15.25V
LSD ， FB ............................................... ................ -0.3V至6V
存储温度（T
S
） ..........................- 65 ° C至+ 150°C
回流峰值温度（ 10 20秒） ................ + 260℃
静电放电（ HBM）的
(3)
.................................................. ............... 2kV的
ESD （ MM ） .............................................. ....................... 200V
工作额定值
(2)
电源电压（V
IN
） ...................................... + 3V至+ 14.5V
环境温度（T
A
） ...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温（T
J
） ..........................- 40 ° C至+ 125°C
热阻结
EPAD MSOP （ θ
JA
)............................................76.7°C/W
EPAD MSOP （ θ
JC
） ............................................. 9.6 ° C / W
MSOP （ θ
JA
） ................................................. ..... 130 ° C / W
MSOP （ θ
JC
).....................................................42.6°C/W
输出电压范围............................. 0.8V至V
IN
× D
最大
电气特性
(4)
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 5V;
胆大
值表明：-40°C
≤
T
J
≤
+ 125°C ;除非另有规定。
参数
反馈电压参考
反馈电压参考
反馈偏置电流
输出电压线路
规
输出电压负载
规
输出电压总
规
振荡器部分
振荡器频率
最大占空比
最小导通时间
(5)
输入和V
DD
供应
PWM模式下电源电流
关机静态电流
V
COMP
关断阈值
V
COMP
关闭屏蔽
期
数字电源电压（V
DD
)
C
COMP
= 100nF的
V
IN
≥
6V
4.7
V
CS
= V
IN
–0.25V; V
FB
= 0.7V （输出切换，但
排除外部MOSFET栅极电流）。
V
COMP
/ EN = 0V
0.1
1.5
50
0.25
675
5
5.3
3
150
0.35
mA
A
V
μs
V
450
92
30
60
500
550
千赫
%
ns
3V
≤
V
IN
≤
14.5V ; 1A
≤
I
OUT
≤
10A ; （V
OUT
= 2.5V)
(4)
条件
(±1%)
（在温度± 2 ％ ）
民
0.792
0.784
典型值
0.8
0.8
150
0.03
0.5
0.6
1.5
最大
0.808
0.816
350
单位
V
V
nA
%/V
%
%
2010年4月
4
M9999-041210-B
麦克雷尔INC 。
MIC2169B
电气特性
(4)
（续）
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 5V;
胆大
值表明：-40°C
≤
T
J
≤
+ 125°C ;除非另有规定。
参数
误差放大器器
DC增益
(5)
跨
软启动
软启动电流
电流检测
CS过电流跳变点
温度COEF网络cient
栅极驱动器
上升/下降时间
输出驱动器阻抗
到3000pF的在V
IN
> 5V
源，V
IN
= 4.5V
水槽，V
IN
= 4.5V
源，V
IN
= 3V
水槽，V
IN
= 3V
驱动非重叠时间
(5)
注意事项：
1.绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。运行时电气连接特定的阳离子不适用
该装置的营运收视率之外。最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（最大） ，
结点至环境热阻，
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大允许功耗会导致过度
模具温度。
2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
3.设备是ESD敏感，处理所需的注意事项。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.
通过设计保证。
条件
民
典型值
70
1.1
最大
单位
dB
mΩ
–1
后超时内部定时器。 V
COMP
= 0.8V
V
CS
= V
IN
–0.25V
4
160
8.5
200
1800
15
2.2
1.3
2.7
1.7
13
240
A
A
PPM /°C的
ns
3
3
4
4
ns
50
2010年4月
5
M9999-041210-B
MIC2169B
500kHz的PWM同步降压
控制IC
概述
该MIC2169B是一种高效率，简单易用的500kHz
PWM同步降压控制IC采用小型
MSOP - 10封装EPAD 。它允许小型DC / DC
用最少的外部元件数量和解决方案
成本。该器件具有高输出驱动能力
驱动负载高达30A 。
该MIC2169B工作在3V至14.5V输入，而不
任何额外的偏置电压的需要。输出电压
可以精确地调节至0.8V。自适应全
N沟道MOSFET驱动方案允许英法fi ciencies过
95％的整个范围内尽可能小的一个很宽的负载范围
印刷电路板的空间区域。
该MIC2169B整个检测高侧电流N-
沟道MOSFET ，省去了昂贵的
和有损电流检测电阻。限流精度
用正温度COEF网络cient跟踪维护
在加大研发
DS （ ON）
外部MOSFET 。进一步
成本和空间被保存在内部的浪涌电流
限制数字软启动。该MIC2169B是相同的
MIC2169A除了它支持预偏置负载。内部预
偏置电路可防止输出电压下垂
有电时过大的反向电感电流
预偏置电压被输出。
该MIC2169B是采用散热能力的10引脚
EPAD MSOP封装，具有广泛的工作结
范围为-40 ° C至+ 125°C 。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网站
www.micrel.com 。
特点
3V至14.5V输入电压范围
可调输出电压低至0.8V
500kHz的PWM操作
高达95％的英法fi效率
输出预偏置保护
内建2.2Ω司机开车两个N沟道MOSFET
自适应栅极驱动器提高了效率
简单的电压模式PWM控制与外部
补偿
总之最小为30ns接通时间允许非常低的占空比
周期
快速瞬态响应
可调电流限制检测高侧N通道
MOSFET电流
打嗝模式短路保护
无需外部电流检测电阻
内部软启动电流源
双重功能COMP和EN引脚允许低功耗
关闭
采用小尺寸10引脚MSOP封装EPAD
负载点的DC / DC转换
高电流电源
电信/数据通信和网络电源
服务器和工作站
图形卡和其它PC外设
机顶盒
LCD电源
应用
___________________________________________________________________________________________________________
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 USA 电话： +1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2009年6月
M9999- 060309 -A
(408) 944-0800
麦克雷尔INC 。
MIC2169B
订购信息
产品型号
MIC2169BYMME
频率
500kHz
结温。范围（1）
-40 °C至+ 125°C
包
10引脚EPAD MSOP
无铅封装
无铅
引脚配置
VIN 1
VDD 2
CS 3
COMP / EN 4
FB 5
EP
10 BST
9
8
7
6
HSD
VSW
LSD
GND
10引脚EPAD MSOP （ MME ）
引脚说明
引脚数
引脚名称
引脚功能
1
2
VIN
VDD
电源电压（输入） ： + 3V至+ 14.5V 。
内部5V线性稳压器（输出） ： VDD为外接MOSFET栅极驱动器
电源电压和用于IC的内部电源总线。当V
IN
是<5V ，短VDD
通过一个10Ω电阻器的输入电源。
电流检测（输入） ：限流比较器同相输入端。趋势/涌流
限制期间的接通时间MOSFET两端感测到的。该电流可以设定
通过串联CS引脚上的电阻。
补偿/使能（输入） ：双功能引脚。引脚用于外部补偿。
如果此引脚拉至低于0.25V ，与基准完全打开该设备的启闭
向下（ 50μA典型电流消耗） 。
反馈（输入） ：输入到误差放大器。调节误差放大器至0.8V 。
接地（返回） 。
低边驱动器（输出） ：大电流驱动器输出外部同步
MOSFET。
开关（返程）：高边MOSFET驱动器的回报。
高边驱动器（输出） ：高电流输出驱动器的高侧MOSFET 。
当V
IN
为3.0V至5V之间， 2.5V MOSFET的阈值应使用。在
V
IN
> 5V， 4.5V的阈值的MOSFET应该被使用。
升压（输入） ：提供驱动电压高边MOSFET驱动器。该
栅极驱动电压比为V的电源电压更高
DD
减去一个二极管压降。
连接到接地
3
CS
4
COMP / EN
5
6
7
8
9
FB
GND
LSD
VSW
HSD
10
EPAD
BST
EP
2009年6月
3
M9999- 060309 -A
(408) 944-0800
麦克雷尔INC 。
MIC2169B
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
IN
） ...................................... -0.3V至15.5V
Booststrapped电压（V
BST
） .................... -0.3V到V
IN
+6V
VSW ................................................. ............. -0.3V至15.5V
CS ................................................. ........................... 15.25V
FB ................................................. .................... -0.3V至6V
结温（T
J
) .................. -40°C
≤
T
J
≤
+125°C
存储温度（T
S
） ..........................- 65 ° C至+ 150°C
回流峰值温度（ 10 20秒） ................ + 260℃
静电放电（ HBM）的
(3)
.................................................. ............... 2kV的
ESD （ MM ） .............................................. ....................... 200V
工作额定值
(2)
电源电压（V
IN
） ...................................... + 3V至+ 14.5V
环境温度（T
A
） .........................- 40 ° C至+ 125°C
热阻结
EPAD MSOP （ θ
JA
)............................................76.7°C/W
输出电压范围............................. 0.8V至V
IN
× D
最大
电气特性
(4)
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 5V ;大胆的值表明：-40°C
≤
T
J
≤
+ 125°C ;除非另有规定。
参数
反馈电压参考
反馈电压参考
反馈偏置电流
输出电压线路
规
输出电压负载
规
输出电压总
规
振荡器部分
振荡器频率
最大占空比
最小导通时间
(5)
输入和V
DD
供应
PWM模式下电源电流
关机静态电流
V
COMP
关断阈值
V
COMP
关闭屏蔽
期
数字电源电压（V
DD
)
误差放大器器
DC增益
(5)
跨
70
1.1
dB
mΩ
–1
C
COMP
= 100nF的
V
IN
≥
6V
4.7
V
CS
= V
IN
–0.25V; V
FB
= 0.7V （输出切换，但
排除外部MOSFET栅极电流）。
V
COMP
/ EN = 0V
0.1
1.5
50
0.25
675
5
5.3
3
150
0.35
mA
A
V
μs
V
450
92
30
60
500
550
千赫
%
ns
3V
≤
V
IN
≤
14.5V ; 1A
≤
I
OUT
≤
10A ; （V
OUT
= 2.5V)
(4)
条件
(±1%)
（在温度± 2 ％ ）
民
0.792
0.784
典型值
0.8
0.8
150
0.03
0.5
0.6
1.5
最大
0.808
0.816
350
单位
V
V
nA
%/V
%
%
2009年6月
4
M9999- 060309 -A
(408) 944-0800
麦克雷尔INC 。
MIC2169B
参数
软启动
软启动电流
电流检测
CS过电流跳变点
温度COEF网络cient
栅极驱动器
上升/下降时间
输出驱动器阻抗
条件
后超时内部定时器。 V
COMP
= 0.8V
V
CS
= V
IN
–0.25V
民
4
160
典型值
8.5
200
1800
最大
13
240
单位
A
A
PPM /°C的
ns
到3000pF的在V
IN
> 5V
源，V
IN
= 4.5V
水槽，V
IN
= 4.5V
源，V
IN
= 3V
水槽，V
IN
= 3V
15
2.2
1.3
2.7
1.7
3
3
4
4
ns
驱动非重叠时间
(5)
注意事项：
50
1.绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。运行时电气连接特定的阳离子不适用
该装置的营运收视率之外。最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（最大） ，
结点至环境热阻，
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大允许功耗会导致过度
模具温度。
2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
3.设备是ESD敏感，处理所需的注意事项。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.通过设计保证。
2009年6月
5
M9999- 060309 -A
(408) 944-0800
QQ：2881677436 复制
