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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1969页 > MIC2169AYMM
MIC2169A
麦克雷尔
MIC2169A
500kHz的PWM同步降压控制IC
概述
该MIC2169A是高英法fi效率，使用简单的500kHz
PWM同步降压控制IC采用小型MSOP-
10封装。该MIC2169A允许紧凑型DC / DC解决方案
用最少的外部元件数量和成本。
该MIC2169A从3V到14.5V的输入操作，无
任何额外的偏置电压的需要。输出电压
可以精确地调节至0.8V。自适应全
N沟道MOSFET驱动方案允许英法fi ciencies过
95 ％在很宽的负载范围内。
该MIC2169A整个检测高侧电流N-
沟道MOSFET ，省去了昂贵的
和有损电流检测电阻。限流精度
用正温度COEF网络cient跟踪维护
在加大研发
DS （ ON）
外部MOSFET 。进一步的成本
和空间被保存在内部中的浪涌电流限制
数字软启动。
该MIC2169A是采用10引脚MSOP封装，与
-40 ° C至+ 125°C的宽结的工作范围。
所有支持文档可在麦克雷尔公司的网站上找到
在www.micrel.com 。
特点
3V至14.5V输入电压范围
可调输出电压低至0.8V
高达95％的英法fi效率
500kHz的PWM操作
可调电流限制检测高侧N通道
MOSFET电流
无需外部电流检测电阻
自适应栅极驱动器提高了效率
过压保护保护故障负载
条件
双模式电流限制加快恢复时间
打嗝模式短路保护
内部软启动
双重功能COMP和EN引脚允许低功耗关断模式
下
小型MSOP 10引脚封装
负载点的DC / DC转换
机顶盒
显卡
LCD电源
电信电源
网络电源
电缆调制解调器和路由器
应用
典型用途
V
IN
= 5V
100F
4.7F
5
VDD
VIN
BST
CS
1k
IRF7821
2
IRF7821
2.5H
1.4
1000pF
10k
150μF ×2
3.24k
3.3V
SD103BWS
0.1F
效率（％）
0.1F
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
MIC2169A效率
HSD
MIC2169A
VSW
LSD
FB
150pF
100nF
4k
COMP / EN
0.1F
GND
V
IN
= 5V
V
OUT
= 3.3V
0
2
4
6 8 10 12 14 16
I
负载
(A)
MIC2169A可调输出500kHz的转换器
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2009年4月
1
M9999-040609
MIC2169A
麦克雷尔
无铅部件编号
MIC2169AYMM
频率
500kHz
结温。范围
-40 ° C至+ 125°C
包
10引脚MSOP
订购信息
产品型号
MIC2169ABMM
引脚配置
VIN 1
VDD 2
CS 3
COMP / EN 4
FB 5
10 BST
9 HSD
8 VSW
7 LSD
6 GND
10引脚MSOP （ MM ）
引脚说明
引脚数
1
2
引脚名称
VIN
VDD
引脚功能
电源电压（输入） ： 3V至14.5V 。
内部5V线性稳压器（输出） ： V
DD
是外部MOSFET的栅极
驱动电压和用于所述集成电路的内部电源总线。当V
IN
是<5V ，
该稳压器工作在降压模式。
电流检测/使能（输入） ：限流比较器同相输入端。
电流限制在ON时MOSFET两端检测。该电流
租金可以通过串联与CS引脚上的电阻器进行设置。
补偿（输入） ：双功能引脚。引脚用于外部补偿。
如果此引脚拉至低于0.2V ，与基准完全打开该设备的启闭
向下（ 50μA典型电流消耗） 。
反馈（输入） ：输入到误差放大器。调节误差放大器至0.8V 。
接地（返回） 。
低边驱动器（输出） ：大电流驱动器输出外部同步的
理性MOSFET。
开关（返程）：高边MOSFET驱动器的回报。
高边驱动器（输出） ：高电流输出驱动器的高侧MOSFET导
FET 。当V
IN
为3.0V至5V之间， 2.5V MOSFET的阈值应为
使用。在V
IN
> 5V ， 5V MOSFET的阈值应使用。
升压（输入） ：提供驱动电压高边MOSFET驱动器。
栅极驱动电压比为V的电源电压更高
IN
减去
二极管的压降。
3
CS
4
COMP / EN
5
6
7
8
9
FB
GND
LSD
VSW
HSD
10
BST
M9999-040609
2
2009年4月
MIC2169A
麦克雷尔
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
IN
) ................................................... 15.5V
Booststrapped电压（V
BST
) .................................V
IN
+5V
结温（T
J
） ..................- 40℃ ≤牛逼
J
≤ +125°C
存储温度（T
S
） ........................ -65 ° C至+ 150°C
工作额定值
(2)
电源电压（V
IN
） ..................................... + 3V至+ 14.5V
输出电压范围.......................... 0.8V至V
IN
×
D
最大
封装热阻
θ
JA
10引脚MSOP封装............................................. 180 ° C / W
电气特性
(3)
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 5V;
胆大
值表明：-40°C <牛逼
J
< + 125°C ;除非另有规定ED 。
参数
反馈电压参考
反馈电压参考
反馈偏置电流
输出电压线路调整
输出电压负载调整
输出电压总规
振荡器部分
振荡器频率
最大占空比
最小导通时间
(4)
输入和V
DD
供应
PWM模式下电源电流
关机静态电流
V
COMP
关闭屏蔽
期
V
COMP
关断阈值
V
CS
= V
IN
–0.25V; V
FB
= 0.7V （输出开关，但不包括
外部MOSFET的栅极电流。 ）
V
COMP / EN
= 0V
C
COMP
= 100nF的
V
IN
≥ 6V
4.7
0.1
1.5
50
0.25
4
5
5.3
3
150
0.4
mA
A
V
ms
V
450
92
30
60
500
550
千赫
%
ns
3V ≤ V
IN
≤ 14.5V ; 1A ≤我
OUT
≤ 10A ; （V
OUT
=
2.5V)
(4)
条件
(± 1%)
（在温度± 2 ％ ）
民
0.792
0.784
典型值
0.8
0.8
30
0.03
0.5
0.6
最大
0.808
0.816
100
单位
V
V
nA
%/V
%
%
数字电源电压（V
DD
)
注意事项：
1.绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。运行时电气连接特定的阳离子不适用
该装置的营运收视率之外。最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（最大） ，
结点至环境热阻，
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大允许功耗会导致过度
模具温度，调节器将进入热关断。
2.设备是ESD敏感，处理所需的注意事项。
3.规范只包装的产品。
4.通过设计保证。
2009年4月
3
M9999-040609
MIC2169A
麦克雷尔
电气特性
(5)
参数
误差放大器器
DC增益
跨
软启动
软启动电流
电流检测
CS过电流跳变点
温度COEF网络cient
PPM /°C的
输出故障阈值修正
较低的阈值，V
FB_UVT
栅极驱动器
上升/下降时间
输出驱动器阻抗
到3000pF的在V
IN
> 5V
源，V
IN
= 5V
水槽，V
IN
= 5V
源，V
IN
= 3V
水槽，V
IN
= 3V
驱动非重叠时间
注意事项：
5.规范只包装的产品。
6.通过设计保证。
条件
民
典型值
70
1
最大
单位
dB
ms
A
内部定时器超时后。看
“软启动”
部分。
V
CS
= V
IN
–0.25V
160
8.5
200
+1800
240
A
上限阈值，V
FB_OVT
（相对于V
FB
)
（相对于V
FB
)
+3
–3
30
6
6
10
10
10
20
%
%
ns
ns
注6
M9999-040609
4
2009年4月
MIC2169A
麦克雷尔
典型特征
V
IN
= 5V
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-40 -20 0 20 40 60 80 100120140
温度（℃）
PWM模式下电源电流
与温度的关系
2.0
静态电流（mA ）
PWM模式下电源电流
- 电源电压
0.8010
0.8005
V
FB
线路调整
I
DD
（MA ）
V
FB
(V)
1.5
0.8000
0.7995
0.7990
0.7985
1.0
0.5
0.7980
0
5
10
电源电压（ V）
15
0
5
V
IN
(V)
10
15
0.804
0.802
V
DD
(V)
V
DD
稳压器电压（ V）
0.806
V
FB
与温度的关系
6
5
4
3
2
1
0
0
V
DD
线路调整
5.02
5.00
4.98
4.96
4.94
4.92
4.90
0
V
DD
负载调整率
V
FB
(V)
0.800
0.798
0.796
0.794
0.792
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
5
V
IN
(V)
10
15
5
10 15 20 25
负载电流（mA ）
30
V
DD
线路调整率（ ％ ）
频率（kHz ）
540
530
520
510
500
490
480
470
460
450
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
频率变化（ ％ ）
5.0
4.5
4.0
3.5
V
DD
线路调整
与温度的关系
550
振荡器频率
与温度的关系
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
0
振荡器频率
- 电源电压
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
5
V
IN
(V)
10
15
4
3
V
OUT
(V)
电流限制折返
260
240
220
I
CS
(
A)
200
180
160
140
120
过电流跳变点
与温度的关系
2
1
0
高端MOSFET = Si4800
R
CS
= 1k
0
2
4
6
I
负载
(A)
8
10
100
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
2009年4月
5
M9999-040609
MIC2169A
500kHz的PWM同步降压控制IC
概述
该MIC2169A是高英法fi效率，使用简单的500kHz
PWM同步降压控制IC采用小型MSOP-
10封装。该MIC2169A允许紧凑型DC / DC解决方案
用最少的外部元件数量和成本。
该MIC2169A从3V到14.5V的输入操作，无
任何额外的偏置电压的需要。输出电压
可以精确地调节至0.8V。自适应全
N沟道MOSFET驱动方案允许英法fi ciencies过
95 ％在很宽的负载范围内。
该MIC2169A整个检测高侧电流N-
沟道MOSFET ，省去了昂贵的
和有损电流检测电阻。限流精度
用正温度COEF网络cient跟踪维护
在加大研发
DS （ ON）
外部MOSFET 。进一步的成本
和空间被保存在内部中的浪涌电流限制
数字软启动。
该MIC2169A是采用10引脚MSOP封装，与
-40 ° C至+ 125°C的宽结的工作范围。
所有支持文档可在麦克雷尔公司的网站上找到
在www.micrel.com 。
特点
3V至14.5V输入电压范围
可调输出电压低至0.8V
高达95％的英法fi效率
500kHz的PWM操作
可调电流限制检测高侧N通道
MOSFET电流
无需外部电流检测电阻
自适应栅极驱动器增加EF网络效率
与迟滞瞬态恢复超快响应
模式
过压保护保护故障负载
条件
双模式电流限制加快恢复时间
打嗝模式短路保护
内部软启动
双重功能COMP和EN引脚允许低功耗关断模式
下
小型MSOP 10引脚封装
负载点的DC / DC转换
机顶盒
显卡
LCD电源
电信电源
网络电源
电缆调制解调器和路由器
应用
典型用途
V
IN
= 5V
100F
4.7F
5
VDD
VIN
BST
CS
1k
IRF7821
2
IRF7821
2.5H
1.4
1000pF
10k
150μF ×2
3.24k
3.3V
SD103BWS
0.1F
100
0.1F
MIC2169A效率
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
55
50
V
IN
= 5V
V
OUT
= 3.3V
0
2
4
6 8 10 12 14 16
I
负载
(A)
HSD
MIC2169A
VSW
LSD
FB
150pF
100nF
4k
COMP / EN
0.1F
GND
MIC2169A可调输出500kHz的转换器
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年6月
1
M9999-111803
MIC2169A
麦克雷尔
无铅部件编号
MIC2169AYMM
频率
500kHz
结温。范围
-40 ° C至+ 125°C
包
10引脚MSOP
订购信息
产品型号
MIC2169ABMM
引脚CON组fi guration
VIN 1
VDD 2
CS 3
COMP / EN 4
FB 5
10 BST
9 HSD
8 VSW
7 LSD
6 GND
10引脚MSOP （ MM ）
引脚说明
引脚数
1
2
引脚名称
VIN
VDD
引脚功能
电源电压（输入） ： 3V至14.5V 。
内部5V线性稳压器（输出） ： V
DD
是外部MOSFET的栅极
驱动电压和用于所述集成电路的内部电源总线。当V
IN
是<5V ，
该稳压器工作在降压模式。
电流检测/使能（输入） ：限流比较器同相输入端。
电流限制在ON时MOSFET两端检测。该电流
租金可以通过串联与CS引脚上的电阻器进行设置。
补偿（输入） ：双功能引脚。引脚用于外部补偿。
如果此引脚拉至低于0.2V ，与基准完全打开该设备的启闭
向下（ 50μA典型电流消耗） 。
反馈（输入） ：输入误差放大器呃。调节误差放大器呃到0.8V 。
接地（返回） 。
低边驱动器（输出） ：大电流驱动器输出外部同步的
理性MOSFET。
开关（返程）：高边MOSFET驱动器的回报。
高边驱动器（输出） ：高电流输出驱动器的高侧MOSFET导
FET 。当V
IN
为3.0V至5V之间， 2.5V MOSFET的阈值应为
使用。在V
IN
> 5V ， 5V MOSFET的阈值应使用。
升压（输入） ：提供驱动电压高边MOSFET驱动器。
栅极驱动电压比为V的电源电压更高
IN
减去
二极管的压降。
3
CS
4
COMP / EN
5
6
7
8
9
FB
GND
LSD
VSW
HSD
10
BST
M9999-111803
2
2005年6月
MIC2169A
麦克雷尔
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
IN
) ................................................... 15.5V
Booststrapped电压（V
BST
) .................................V
IN
+5V
结温（T
J
） ..................- 40℃ ≤牛逼
J
≤ +125°C
存储温度（T
S
） ........................ -65 ° C至+ 150°C
工作额定值
(2)
电源电压（V
IN
） ..................................... + 3V至+ 14.5V
输出电压范围.......................... 0.8V至V
IN
×
D
最大
封装热阻
θ
JA
10引脚MSOP封装............................................. 180 ° C / W
电气特性
(3)
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 5V;
胆大
值表明：-40°C <牛逼
J
< + 125°C ;除非另有规定ED 。
参数
条件
(± 1%)
（在温度± 2 ％ ）
反馈电压参考
反馈电压参考
反馈偏置电流
输出电压线路调整
输出电压负载调整
输出电压总规
振荡器部分
振荡器频率
最大占空比
最小导通时间
(4)
输入和V
DD
供应
PWM模式下电源电流
关机静态电流
V
COMP
关断阈值
V
COMP
关闭屏蔽
期
V
CS
= V
IN
–0.25V; V
FB
= 0.7V （输出开关，但不包括
外部MOSFET的栅极电流。 ）
V
COMP / EN
= 0V
C
COMP
= 100nF的
V
IN
≥ 6V
4.7
0.1
3V ≤ V
IN
≤ 14.5V ; 1A ≤我
OUT
≤ 10A ; （V
OUT
=
2.5V)
(4)
450
92
30
1.5
50
0.25
4
5
5.3
60
3
150
0.4
民
0.792
0.784
典型值
0.8
0.8
30
0.03
0.5
0.6
500
550
最大
0.808
0.816
100
单位
V
V
nA
%/V
%
%
千赫
%
ns
mA
A
V
ms
V
数字电源电压（V
DD
)
注意事项：
1.绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。运行时电气连接特定的阳离子不适用
该装置的营运收视率之外。最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（最大） ，
结点至环境热阻，
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大允许功耗会导致过度
模具温度，调节器将进入热关断。
2.设备是ESD敏感，处理所需的注意事项。
3.特定网络阳离子只包装的产品。
4.通过设计保证。
2005年6月
3
M9999-111803
MIC2169A
麦克雷尔
电气特性
(5)
参数
误差放大器器
DC增益
跨
软启动
软启动电流
电流检测
CS过电流跳变点
温度COEF网络cient
PPM /°C的
输出故障阈值修正
上限阈值，V
FB_OVT
较低的阈值，V
FB_UVT
栅极驱动器
上升/下降时间
输出驱动器阻抗
（相对于V
FB
)
到3000pF的在V
IN
> 5V
水槽，V
IN
= 5V
水槽，V
IN
= 3V
注6
源，V
IN
= 5V
（相对于V
FB
)
+3
–3
30
6
6
10
10
10
20
%
%
ns
ns
V
CS
= V
IN
–0.25V
160
200
+1800
240
A
内部定时器超时后。看
“软启动”
部分。
8.5
A
70
1
dB
ms
条件
民
典型值
最大
单位
源，V
IN
= 3V
驱动非重叠时间
注意事项：
5.特定网络阳离子只包装的产品。
6.通过设计保证。
M9999-111803
4
2005年6月
MIC2169A
麦克雷尔
典型特征
V
IN
= 5V
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-40 -20 0 20 40 60 80 100120140
温度（℃）
PWM模式下电源电流
与温度的关系
2.0
静态电流（mA ）
PWM模式下电源电流
- 电源电压
0.8010
0.8005
V
FB
线路调整
I
DD
（MA ）
V
FB
(V)
1.5
0.8000
0.7995
0.7990
0.7985
1.0
0.5
0.7980
0
5
10
电源电压（ V）
15
0
5
V
IN
(V)
10
15
0.804
0.802
V
DD
(V)
V
DD
稳压器电压（ V）
0.806
V
FB
与温度的关系
6
5
4
3
2
1
0
0
V
DD
线路调整
5.02
5.00
4.98
4.96
4.94
4.92
4.90
0
V
DD
负载调整率
V
FB
(V)
0.800
0.798
0.796
0.794
0.792
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
5
V
IN
(V)
10
15
5
10 15 20 25
负载电流（mA ）
30
V
DD
线路调整率（ ％ ）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
频率（kHz ）
4.5
4.0
540
530
520
510
500
490
480
470
460
450
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
频率变化（ ％ ）
5.0
V
DD
线路调整
与温度的关系
550
振荡器频率
与温度的关系
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
0
振荡器频率
- 电源电压
5
V
IN
(V)
10
15
4
3
V
OUT
(V)
电流限制折返
260
240
220
I
CS
(
A)
过电流跳变点
与温度的关系
2
1
0
200
180
160
140
120
100
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
高端MOSFET = Si4800
R
CS
= 1k
0
2
4
6
I
负载
(A)
8
10
2005年6月
5
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