MIC2168A
1MHz的PWM同步降压控制IC
概述
该MIC2168A是高英法fi效率，使用简单1MHz的PWM
同步降压控制IC采用小型MSOP- 10
封装。该MIC2168A允许紧凑型DC / DC解决方案
用最少的外部元件数量和成本。
该MIC2168A从3V到14.5V的输入操作，无
任何额外的偏置电压的需要。输出电压
可以精确地调节至0.8V。自适应全
N沟道MOSFET驱动方案允许英法fi ciencies过
95 ％在很宽的负载范围内。
该MIC2168A整个检测高侧电流N-
沟道MOSFET ，省去了昂贵的
和有损电流检测电阻。限流精度
用正温度COEF网络cient跟踪维护
在加大研发
DS （ ON）
外部MOSFET 。进一步的成本
和空间被保存在内部中的浪涌电流限制
数字软启动。
该MIC2168A是采用10引脚MSOP封装，与
-40 ° C至+ 125°C的宽结的工作范围。
所有支持文档可在麦克雷尔公司的网站上找到
在www.micrel.com 。
特点
3V至14.5V输入电压范围
可调输出电压低至0.8V
高达95％的英法fi效率
1MHz的PWM工作
可调电流限制检测高侧N通道
MOSFET电流
无需外部电流检测电阻
自适应栅极驱动器增加EF网络效率
与迟滞瞬态恢复超快响应
模式
过压保护保护故障负载
条件
双模式电流限制加快恢复时间
打嗝模式短路保护
内部软启动
双重功能COMP和EN引脚允许低功耗关断模式
下
小型MSOP 10引脚封装
负载点的DC / DC转换
机顶盒
显卡
LCD电源
电信电源
网络电源
电缆调制解调器和路由器
应用
典型用途
V
IN
= 5V
100F
4.7F
0.1F
VDD
VIN
BST
CS
1k
IRF7821
1.2H
IRF7821
10k
150μF ×2
3.24k
SD103BWS
100
95
90
85
80
75
3.3V
MIC2168的效率
HSD
MIC2168A
VSW
LSD
FB
2
1000nF
100pF
4k
100nF
COMP / EN
70
65
60
55
50
V
IN
= 5V
V
OUT
= 3.3V
0
2
4
6
I
负载
(A)
8
10
GND
MIC2168A可调输出1MHz的转换器
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2005年4月
1
M9999-062205
MIC2168A
麦克雷尔INC 。
产品型号
频率
1MHz
结温。范围
-40°C至+ 125°C
包
10引脚MSOP
订购信息
标准
MIC2168ABMM
无铅
MIC2168AYMM
引脚CON组fi guration
VIN 1
VDD 2
CS 3
COMP / EN 4
FB 5
10 BST
9 HSD
8 VSW
7 LSD
6 GND
10引脚MSOP （ MM ）
引脚说明
引脚数
1
2
引脚名称
VIN
VDD
引脚功能
电源电压（输入） ： 3V至14.5V 。
内部5V线性稳压器（输出） ： V
DD
是外部MOSFET的栅极
驱动电压和用于所述集成电路的内部电源总线。当V
IN
是<5V ，
该稳压器工作在降压模式。
电流检测/使能（输入） ：限流比较器同相输入端。
电流限制在ON时MOSFET两端检测。该电流
租金可以通过串联与CS引脚上的电阻器进行设置。
补偿（输入） ：双功能引脚。引脚用于外部补偿。
如果此引脚拉至低于0.2V ，与基准完全打开该设备的启闭
向下（ 50μA典型电流消耗） 。
反馈（输入） ：输入误差放大器呃。调节误差放大器呃到0.8V 。
接地（返回） 。
低边驱动器（输出） ：大电流驱动器输出外部同步的
理性MOSFET。
开关（返程）：高边MOSFET驱动器的回报。
高边驱动器（输出） ：高电流输出驱动器的高侧
MOSFET。当V
IN
是3.0V之间，以5V ， 2.5V阈值MOSFET的额定
应该被使用。在V
IN
> 5V ， 5V MOSFET的阈值应使用。
升压（输入） ：提供驱动电压高边MOSFET驱动器。
栅极驱动电压比为V的电源电压更高
IN
减去
二极管的压降。
3
CS
4
COMP / EN
5
6
7
8
9
FB
GND
LSD
VSW
HSD
10
BST
M9999-062205
2
2005年4月
MIC2168A
麦克雷尔INC 。
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
IN
) ................................................... 15.5V
Booststrapped电压（V
BST
) .................................V
IN
+5V
结温（T
J
） ...................- 40℃ ≤牛逼
J
≤+125°C
存储温度（T
S
） ........................ -65 ° C至+ 150°C
工作额定值
(2)
电源电压（V
IN
） ..................................... + 3V至+ 14.5V
输出电压范围.......................... 0.8V至V
IN
×
D
最大
封装热阻
θ
JA
10引脚MSOP封装............................................. 180 ° C / W
电气特性
(3)
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 5V ，除非另有规定ED 。
胆大
值表明：-40°C <牛逼
J
＆ LT ; + 125°C
参数
条件
(± 1%)
（在温度± 2 ％ ）
反馈电压参考
反馈电压参考
反馈偏置电流
输出电压线路调整
输出电压负载调整
输出电压总规
振荡器部分
振荡器频率
最大占空比
最小导通时间
(4)
输入和V
DD
供应
PWM模式下电源电流
关机静态电流
V
COMP
关断阈值
V
COMP
关闭屏蔽
期
V
CS
= V
IN
–0.25V; V
FB
= 0.7V （输出开关，但不包括
外部MOSFET的栅极电流。 ）
V
COMP / EN
= 0V
C
COMP
= 100nF的
V
IN
≥ 6V
4.7
0.1
3V ≤ V
IN
≤ 14.5V ; 1A ≤我
OUT
≤ 10A ; （V
OUT
=
2.5V)
(4)
900
90
30
1.6
50
0.25
4
5
5.3
60
3
150
0.4
民
0.792
0.784
典型值
0.8
0.8
30
0.03
0.5
0.6
1000
1100
最大
0.808
0.816
100
单位
V
V
nA
%/V
%
%
千赫
%
ns
mA
A
V
ms
V
数字电源电压（V
DD
)
注意事项：
1.绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。运行时电气连接特定的阳离子不适用
该装置的营运收视率之外。最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（最大） ，
结点至环境热阻，
θ
JA
和环境温度，T
A
。最大允许功耗会导致过度
模具温度，调节器将进入热关断。
2.设备是ESD敏感，处理所需的注意事项。
3.特定网络阳离子只包装的产品。
4.通过设计保证。
2005年4月
3
M9999-062205
MIC2168A
麦克雷尔INC 。
典型特征
V
IN
= 5V
PWM模式下电源电流
与温度的关系
PWM模式下电源电流
- 电源电压
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
温度（℃）
2.0
0.820
0.815
0.810
V
FB
线路调整
1.5
0.805
0.800
1.0
0.795
0.790
0.785
0.5
0
5
10
电源电压（ V）
15
0.780
0
5
V
IN
(V)
10
15
0.820
0.815
0.810
0.805
0.800
0.795
0.790
0.785
V
FB
与温度的关系
6
5
4
3
2
1
0 30 60 90 120 150
温度（℃）
V
DD
线路调整
5.01
4.99
4.97
4.95
4.93
4.91
4.89
4.87
V
DD
负载调整率
0.780
-60 -30
0
0
5
V
IN
(V)
10
15
4.85
0
5
10 15 20 25
负载电流（mA ）
30
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
DD
线路调整
与温度的关系
1200
1150
1100
1050
1000
950
900
850
振荡器频率
与温度的关系
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
0 30 60 90 120 150
温度（℃）
振荡器频率
- 电源电压
0.0
-60 -30
0 30 60 90 120 150
温度（℃）
800
-60 -30
-1.5
0
5
10
电源电压（ V）
15
4
电流限制折返
240
220
过电流跳变点
与温度的关系
3
200
180
160
2
1
高端MOSFET = Si4800
R
CS
= 1kΩ
140
120
0
0
2
4
6
I
负载
(A)
8
10
100
-60 -30
0 30 60 90 120 150
温度（℃）
2005年4月
5
M9999-062205
QQ：2880707522 复制
