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MIC2164/-2/-3
恒定频率,同步
降压控制器配备
自适应导通时间控制
超速Control家庭
概述
麦瑞半导体的MIC2164 / -2 / -3是恒定频率,
同步降压控制器具有自适应导通时间
控制权。该MIC2164 / -2 / -3是在新的第一批产品
TM
超速度控制家庭降压控制器的介绍
由Micrel 。
该MIC2164 / -2 / -3控制器工作在输入电源
范围为3V至28V ,并且是独立的IC供应
电压。这些器件能够提供25A的输出
电流。而MIC2164以300kHz时,
MIC2164-2工作在600kHz ,并且MIC2164-3操作
在1MHz 。
TM
独特的超高速控制架构允许超
同时减少了输出电容快速瞬态响应
并且还使得高V
IN
/低V
OUT
操作成为可能。该
MIC2164 / -2 / -3控制器利用一个结构,它是
自适应吨纹波控制。一个UVLO功能可为
确保电源过低的情况下正常运行
防止外部功率MOSFET过热。软
启动功能被提供以减小浪涌电流。
折返电流限制和“打嗝”模式短路
保护确保FET和负载保护。
该MIC2164 / -2 / -3控制器采用10引脚可用
MSOP ( MAX1954A兼容)封装,结
经营范围为-40 ° C至+ 125°C 。
所有支持文档可在麦克雷尔公司的网站上找到
于: www.micrel.com 。
特点
超速度控制架构使
-
高台达V工作电压(V
IN
= 28V和V
OUT
=0.8V)
-
更小的输出电容比竞争对手
3V至28V的输入电压
稳定,零ESR输出电容器
25A输出电流能力
为300kHz / 600kHz的/ 1MHz的开关频率
自适应导通时间模式控制
输出低至0.8V ±1 %精度FB
高达95%的英法fi效率
折返电流限制和“打嗝”模式短路
保护
6ms的内部软启动
热关断
预偏置输出安全
-40°C至+ 125°C的结温范围
可提供10引脚MSOP封装
TM
应用
机顶盒,网关和路由器
打印机,扫描仪,图形卡和视频卡
电信, PC和服务器
微处理器核心供电
低电压分布式电源
________________________________________________________________________________________________________________________
典型用途
MIC2164
12V至3.3V效率
100
95
90
效率(%)
85
80
75
70
65
60
55
50
0
4
8
12
16
20
VIN=5V
MIC2164 / -2 / -3同步控制器配备自适应导通时间控制
MLF和
MicroLeadFrame
注册Amkor技术公司的商标。
输出电流(A )
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞,加利福尼亚95131 美国电话+1 (
408
) 944-0800 传真:+ 1 ( 408 ) 474-1000 http://www.micrel.com
2009年9月
M9999-090409-B
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3
订购信息
产品型号
MIC2164YMM
MIC2164-2YMM
MIC2164-3YMM
电压
ADJ 。
ADJ 。
ADJ 。
开关频率
300kHz
600kHz
1MHz
结温。范围
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
无铅封装
无铅
无铅
无铅
引脚配置
10引脚MSOP ( MM )
引脚说明
1
引脚名称
HSD
引脚功能
高端N - MOSFET的漏极连接(输入) :外部高边N沟道的漏极电源
MOSFET。在HSD工作电压范围为3V至28V 。 HSD和之间的输入电容
电源接地(地线)是必需的。
启用(输入) :输出的逻辑电平控制。 EN引脚为CMOS兼容。逻辑高电平或悬空
=启用,逻辑低=关机。在关断状态下,设备的供电电流被大大降低(典型地
0.8mA).
反馈(输入):输入到控制回路的跨导放大器。 FB引脚调节到
0.8V 。一个电阻分压器连接反馈到输出用于调节所需的输出
电压。
信号地。 GND是接地路径为设备输入电压V
IN
和控制电路。循环
对于信号地应是独立于电源接地(地线)循环。
输入电压(输入) :权力的MIC2164的内部基准和控制部分/ -2 / -3 。在IN
工作电压范围是从3V到5.5V 。一个1μF和0.1μF的陶瓷电容,从IN到GND是
建议清洁操作。
低边驱动器(输出) :大电流驱动器输出外部低边MOSFET 。该DL驱动
电压波动,从地面到-IN 。
电源地。保护地的接地路径的MIC2164 / -2 / -3降压转换器的功率级。保护地
引脚连接至低边N沟道MOSFET的源,输入电容的负极,
和输出电容的负极端子。回路为电源地应尽可能的小
可能的,并且独立于信号地(GND)的循环。
高边驱动器(输出) :大电流驱动器输出为外部高边MOSFET 。卫生署驾驶
电压浮在开关节点电压(LX) 。摇晃着从地面到V
IN
减去二极管压降。
添加和DH销之间有一个小电阻上的高侧的N沟道MOSFET的栅极可以减缓
下导通的MOSFET的通和关断时间。
开关节点和电流检测输入:高电流输出驱动器的回报。 LX引脚直接连接到
开关节点。由于高速该引脚上的开关, LX引脚应远离,
敏感节点。 LX引脚也可检测电流,通过在低侧MOSFET监测电压
在关断时间。为了感测电流准确,连接低侧MOSFET的漏极至LX
用Kelvin连接。
升压(输出):自举电压的高侧的N沟道MOSFET的驱动程序。肖特基二极管
连接IN引脚和BST引脚之间。 0.1μF的升压电容连接的
BST引脚和LX引脚。添加串联一个小电阻与升压电容可以减慢
开启高侧N沟道MOSFET的时间。
2
EN
3
FB
4
5
GND
IN
6
7
DL
保护地
8
DH
9
LX
10
BST
2009年9月
2
M9999-090409-B
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3
绝对最大额定值
(1)
IN, FB , EN到GND ........................................... -0.3V至+ 6V
BST到LX ............................................... .......... -0.3V到+ 6V
BST到GND ............................................... .... -0.3V至+ 37V
卫生署LX .............................................- 0.3 V到(V
BST
+ 0.3V)
DL , COMP到GND ...............................- 0.3V至(V
IN
+ 0.3V)
HSD到GND ............................................... ...... -0.3V至31V
PGND到GND ............................................... -0.3V至+ 0.3V
结温.............................................. 150 ℃,
存储温度(T
S
) ..........................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................ 260℃
工作额定值
(2)
输入电压(V
IN
) .......................................... 3.0V至5.5V
电源电压(V
HSD
) ....................................... 3.0V至28V
工作温度范围..................- 40 ° C至+ 125°C
结温(T
J
) .........................- 40 ° C至+ 125°C
热阻结
MSOP ( θ
JA
) ............................................ 130.5 ° C / W
连续功率耗散(T
A
= 70 ° C) .............. 421mW
(减免5.6mW /°C, 70°C以上)
电气特性
(4)
V
BST
- V
LX
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C,除非另有说明。
胆大
值表明:-40°C
T
J
+125°C.
参数
一般
工作输入电压(V
IN
)
HSD电压范围(V
HSD
)
静态电源电流
待机电源电流
(6)
(5)
条件
典型值
最大
单位
3.0
3.0
(V
FB
= 1.5V ,输出开关,但不包括
外部MOSFET栅极电流)
V
IN
= V
BST
= 5.5V, V
HSD
= 28 , LX =未连接,
EN = GND
2.4
1.4
0.8
2.7
50
5.5
28
3.0
2
3
V
V
mA
mA
V
mV
欠压锁定功能触发电平
UVLO迟滞
DC- DC控制器
输出电压调整范围
(7)
(V
OUT
)
误差放大器器
FB调节电压
FB调节电压
FB输入漏电流
限流门限
V
FB
= 0.8V
V
FB
= 0V
软启动
软启动时间
注意事项:
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
0.8
V
0°C
T
J
85°C
-40°C
T
J
125°C
-1
-2
5
103
19
130
48
1
2
500
162
77
%
%
nA
mV
mV
6
ms
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型, 1.5k的串联100pF的。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.应用程序是全功能的低IN(电源控制部分的) ,如果外部MOSFET具有足够低的电压V
TH
.
6.目前只有来自内部100kΩ的上拉电阻坐在EN输入,并绑在。
7.最大V
OUT
值由固定的T限定
ON
估计其获得V
OUT
一个除以6的值( 1/6) 。
2009年9月
3
M9999-090409-B
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3
参数
振荡器
开关频率
(8)
条件
MIC2164
MIC2164-2
MIC2164-3
0.225
0.45
0.75
典型值
0.3
0.6
1
87
74
66
0
最大
0.375
0.75
1.25
单位
兆赫
兆赫
兆赫
%
%
%
%
最大占空比
(9)
MIC2164
MIC2164-2
MIC2164-3
最小占空比
FET驱动器
DH , DL输出低电压
DH , DL输出高电压
测量DH
I
SINK
= 10毫安
I
来源
= 10毫安
V
IN
-0.1V
or
V
BST
-0.1V
2.1
1.8
1.8
1.2
V
LX
= 28V, V
IN
= 5.5V,V
BST
= 33.5V
V
LX
= 28V, V
IN
= 5.5V,V
BST
= 33.5V
155
10
0.1
V
V
DH导通电阻,高国
DH导通电阻,低状态
DL导通电阻,高国
DL导通电阻,低状态
LX漏电流
HSD漏电流
热保护
过温关断
过温关断
迟滞
关断控制
EN逻辑低电平
EN逻辑高电平
EN上拉电流
注意:
8.测量在测试模式下。
9,测得DH 。最大占空比为典型的363ns的强制固定关断时间Toff的限制。
3.3
3.3
3.3
2.3
50
20
A
A
°C
°C
3V < V
IN
<5.5V
3V < V
IN
<5.5V
0.4
0.8
0.9
50
1.2
V
V
A
2009年9月
4
M9999-090409-B
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3
典型特征
100
95
90
MIC2164
12V至1.5V效率
100
95
90
MIC2164
12V至3.3V效率
100
95
90
MIC2164-2
12V至1.5V效率
效率(%)
效率(%)
85
80
75
70
65
60
55
50
0
4
8
12
16
20
85
80
75
70
65
60
55
50
0
4
8
12
16
20
效率(%)
VIN=5V
85
80
75
70
65
60
55
50
0
3
6
9
12
15
VIN=5V
VIN=5V
输出电流(A )
输出电流(A )
输出电流(A )
100
95
90
MIC2164-2
12V至3.3V效率
100
95
90
MIC2164-3
12V至1.5V效率
100
95
90
MIC2164-3
12V至3.3V效率
效率(%)
效率(%)
85
80
75
70
65
60
55
50
0
3
6
9
12
15
85
80
75
70
65
60
55
50
0
2
4
6
8
10
效率(%)
85
80
75
70
65
60
55
50
0
2
4
6
8
10
VIN=5V
VIN=5V
VIN=5V
输出电流(A )
输出电流(A )
输出电流(A )
反馈电压与负载
0.85
0.84
0.85
0.84
反馈电压
- 输入电压
0.85
0.84
反馈电压
与HSD电压
反馈电压( V)
反馈电压( V)
反馈电压( V)
0.83
0.82
0.81
0.80
0.79
0.78
0.77
0.76
0.75
0
4
8
12
16
20
0.83
0.82
0.81
0.80
0.79
0.78
0.77
0.76
0.75
3
3.5
4
4.5
5
5.5
0.83
0.82
0.81
0.80
0.79
0.78
0.77
0.76
0.75
3
8
13
18
23
28
VHSD=12V
VIN=5V
VHSD=12V
VIN=5V
输出电流(A )
输入电压( V)
HSD电压( V)
反馈电压
与温度的关系
0.810
MIC2164
开关频率与负载
350
700
MIC2164-2
开关频率与负载
开关频率(kHz )
680
660
640
620
600
580
560
540
520
500
0.806
0.804
0.802
0.800
0.798
0.796
0.794
0.792
0.790
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
开关频率(kHz )
0.808
反馈电压( V)
340
330
320
310
300
290
280
270
260
250
0
4
8
12
16
20
VIN=5V
VHSD=12V
VIN=5V
VHSD=12V
VIN=5V
温度(℃)
0
3
6
9
12
15
输出电流(A )
输出电流(A )
2009年9月
5
M9999-090409-B
MIC2164/-2/-3/C
同步降压控制器
配备自适应导通时间控制
28V输入,恒频
超速Control家庭
概述
麦瑞半导体的MIC2164 / -2 / -3 / C是恒定频率,
同步降压控制器具有自适应导通时间
控制权。该MIC2164 / -2 / -3 / C是在新的第一批产品
超速度控制系列降压控制器的介绍
由Micrel 。
该MIC2164 / -2 / -3 / C控制器工作在输入电源
范围为3V至28V ,并且是独立的IC供应
电压。这些器件能够提供25A的输出
电流。而MIC2164以300kHz时,
MIC2164-2工作在600kHz ,并且MIC2164-3操作
在1MHz 。
独特的超高速控制架构允许超
同时减少了输出电容快速瞬态响应
并且还使得高V
IN
/低V
OUT
操作成为可能。该
MIC2164 / -2 / -3 /℃控制器利用一个结构,它是
自适应牛逼
ON
纹波控制。一个UVLO功能可为
确保电源过低的情况下正常运行
防止外部功率MOSFET过热。软
启动功能被提供以减小浪涌电流。
折返电流限制和“打嗝”模式短路
保护确保FET和负载保护。
该MIC2164 / -2 / -3 / C控制器采用10引脚可用
MSOP ( MAX1954A兼容)封装,结
经营范围为-40 ° C至+ 125°C 。
所有支持文档可在麦克雷尔公司的网站上找到
于:
www.micrel.com 。
特点
超速度控制架构实现
-
高台达V工作电压(V
HSD
= 28V和V
OUT
= 0.8V)
-
更小的输出电容比竞争对手
3V至28V的输入电压
任何电容
TM
稳定
-
零ESR高ESR
25A输出电流能力
为300kHz / 600kHz的/ 1MHz的开关频率
自适应导通时间模式控制
0.8V至5.5V的可调输出为± 1 %
( MIC2164 / -2 / -3)或±3% ( MIC2164C ) FB的准确性
高达95%的英法fi效率
折返式限流和“打嗝”模式短路
保护
6ms的内部软启动
热关断
安全启动至预偏置负载
-40°C至+ 125°C的结温范围
可提供10引脚MSOP封装
应用
机顶盒,网关和路由器
打印机,扫描仪,图形卡和视频卡
电信, PC和服务器
________________________________________________________________________________________________________________________
典型用途
MIC2164
12V至3.3V效率
100
95
90
效率(%)
85
80
75
70
65
60
55
50
0
4
8
12
16
20
VIN=5V
MIC2164 / -2 / -3 / C同步控制器配备自适应导通时间控制
输出电流(A )
超速度控制和任何电容是麦克雷尔公司的商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞,加利福尼亚95131 美国电话+1 (
408
) 944-0800 传真:+ 1 ( 408 ) 474-1000
http://www.micrel.com
2010年9月
M9999-091310-D
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3/C
订购信息
产品型号
MIC2164YMM
MIC2164-2YMM
MIC2164-3YMM
MIC2164CYMM
电压
可调整的
可调整的
可调整的
可调整的
开关
频率
300kHz
600kHz
1MHz
270kHz
准确性
±1%
±1%
±1%
±3%
结温范围
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
无铅封装
无铅
无铅
无铅
无铅
引脚配置
10引脚MSOP ( MM )
引脚说明
引脚数
1
引脚名称
HSD
引脚功能
高端N - MOSFET的漏极连接(输入) :外部高边N沟道的漏极电源
MOSFET。在HSD工作电压范围为3V至28V 。 HSD和之间的输入电容
电源接地(地线)是必需的。
启用(输入) :输出的逻辑电平控制。 EN引脚为CMOS兼容。逻辑高电平或悬空
=启用,逻辑低=关机。在关断状态下,设备的供电电流被大大降低(典型地
0.8mA).
反馈(输入):输入到控制回路的跨导放大器。 FB引脚调节到
0.8V 。一个电阻分压器连接反馈到输出用于调节所需的输出
电压。
信号地。 GND是接地路径为设备输入电压V
IN
和控制电路。循环
对于信号地应是独立于电源接地(地线)循环。
输入电压(输入) :权力的MIC2164的内部基准和控制部分/ -2 / -3 。在IN
工作电压范围是从3V到5.5V 。一个1μF和0.1μF的陶瓷电容,从IN到GND是
建议清洁操作。
低边驱动器(输出) :大电流驱动器输出外部低边MOSFET 。该DL驱动
电压波动,从地面到-IN 。
电源地。保护地的接地路径的MIC2164 / -2 / -3降压转换器的功率级。保护地
引脚连接至低边N沟道MOSFET的源,输入电容的负极,
和输出电容的负极端子。回路为电源地应尽可能的小
可能的,并且独立于信号地(GND)的循环。
高边驱动器(输出) :大电流驱动器输出为外部高边MOSFET 。卫生署驾驶
电压浮在开关节点电压(LX) 。摇晃着从地面到V
IN
减去二极管压降。
添加和DH销之间有一个小电阻上的高侧的N沟道MOSFET的栅极可以减缓
下导通的MOSFET的通和关断时间。
2
EN
3
4
5
6
FB
GND
IN
DL
7
保护地
8
DH
2010年9月
2
M9999-091310-D
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3/C
引脚说明(续)
引脚数
引脚名称
引脚功能
开关节点和电流检测输入:高电流输出驱动器的回报。 LX引脚直接连接
到交换节点。由于高速该引脚上的开关, LX引脚应远离,
敏感节点。 LX引脚也可检测电流,通过在低压侧监视电压
在关断时MOSFET。为了感测电流准确,连接低侧MOSFET
用Kelvin连接沥去LX 。
升压(输出):自举电压的高侧的N沟道MOSFET的驱动程序。肖特基二极管
连接IN引脚和BST引脚之间。 0.1μF的升压电容连接的
BST引脚和LX引脚。添加串联一个小电阻与升压电容可以减慢
开启高侧N沟道MOSFET的时间。
9
LX
10
BST
2010年9月
3
M9999-091310-D
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3/C
绝对最大额定值
(1)
IN, FB , EN到GND ..........................................
0.3V
为+ 6V
BST到LX ............................................... ........
-0.3V
为+ 6V
BST到GND ............................................... ...
0.3V
至+ 37V
卫生署LX ............................................- 0.3V到(Ⅴ
BST
+ 0.3V)
DL , COMP到GND ..............................
0.3V
到(Ⅴ
IN
+ 0.3V)
HSD到GND ............................................... .....
0.3V
到31V
PGND到GND ..............................................
0.3V
至+ 0.3V
结温.............................................. 150 ℃,
存储温度(T
S
) .........................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................ 260℃
工作额定值
(2)
输入电压(V
IN
) ............................................ 3.0V至5.5V
电源电压(V
HSD
) ....................................... 3.0V至28V
工作温度范围.................
40°C
至+ 125°C
结温(T
J
) ........................
40°C
至+ 125°C
热阻结
MSOP ( θ
JA
) ................................................. .130.5 ° C / W
连续功率耗散(T
A
= 70 ° C) .............. 421mW
(减免5.6mW /°C, 70°C以上)
电气特性
(4)
V
BST
V
LX
= 5V ;牛逼
A
=
+25°C,
除非另有说明。大胆的值表示
40°C
T
J
+125°C.
参数
一般
工作输入电压(V
IN
)
(5)
HSD电压范围(V
HSD
)
静态电源电流
待机电源电流
(6)
欠压锁定功能触发电平
UVLO迟滞
DC- DC控制器
输出电压调整范围
(V
OUT
)
误差放大器器
FB调节电压
0°C
T
J
85°C
40°C
T
J
125°C
T
J
= 25 ° C( MIC2164C )
FB输入漏电流
V
FB
= 0.8V
限流门限
V
FB
= 0V
V
FB
= 0.8V ( MIC2164C )
V
FB
= 0V ( MIC2164C )
软启动
软启动时间
振荡器
MIC2164C
开关频率
(8)
MIC2164
MIC2164-2
MIC2164-3
0.202
0.225
0.45
0.75
0.27
0.3
0.6
1
0.338
0.375
0.75
1.25
兆赫
6
ms
103
19
95
15
-1
-2
-3
5
130
48
130
48
1
2
3
500
162
77
170
80
mV
nA
%
0.8
5.5
V
(V
FB
= 1.5V ,输出开关,但不包括
外部MOSFET栅极电流)
V
IN
= V
BST
= 5.5V, V
HSD
= 28 , LX =未连接,
EN = GND
2.4
3.0
3.0
1.4
0.8
2.7
50
5.5
28
3.0
2
3
V
V
mA
mA
V
mV
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2010年9月
4
M9999-091310-D
麦克雷尔INC 。
MIC2164/-2/-3/C
电气特性
(4)
(续)
V
BST
V
LX
= 5V ;牛逼
A
=
+25°C,
除非另有说明。大胆的值表示
40°C
T
J
+125°C.
参数
最大占空比
(9)
最小占空比
FET驱动器
DH , DL输出低电压
DH , DL输出高电压
DH导通电阻,高国
DH导通电阻,低状态
DL导通电阻,高国
DL导通电阻,低状态
LX漏电流
HSD漏电流
热保护
过温关断
过温关断
迟滞
关断控制
EN逻辑低电平
EN逻辑高电平
EN上拉电流
注意:
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型, 1.5k的串联100pF的。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.应用程序是全功能的低IN(电源控制部分的) ,如果外部MOSFET具有足够低的电压V
TH
.
6.目前只有来自内部100kΩ的上拉电阻坐在EN输入,并绑在。
8.测量在测试模式下。
9,测得DH 。最大占空比由固定强制关闭时间T限定
关闭
典型363ns 。
条件
MIC2164 / MIC2164C
MIC2164-2
MIC2164-3
测量DH ,V
FB
= 1V
I
SINK
= 10毫安
I
来源
= 10毫安
分钟。
典型值。
87
74
66
0
马克斯。
单位
%
%
0.1
V
IN
0.1V
or
V
BST
0.1V
2.1
1.8
1.8
1.2
3.3
3.3
3.3
2.3
50
20
155
10
V
V
A
A
°C
°C
V
LX
= 28V, V
IN
= 5.5V,V
BST
= 33.5V
V
LX
= 28V, V
IN
= 5.5V,V
BST
= 33.5V
3V < V
IN
<5.5V
3V < V
IN
<5.5V
0.4
0.8
0.9
50
1.2
V
V
A
2010年9月
5
M9999-091310-D
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