MIC2150/MIC2151
两相双路输出同步PWM
降压控制IC
概述
该MIC2150 / 1是简单的两相双路输出
同步降压控制IC具有小尺寸和高
效率。该芯片实现PWM控制频率为500kHz
（ MIC2150 ）或300kHz的（ MIC2151 ） ，与输出
开关180 °异相。的失相的结果
操作为1MHz输入纹波频率的纹波电流
消除，最小化所需的输入滤波器
电容。 1％的输出电压容差允许
系统性能的最大电平。内部驱动器
与自适应栅极驱动器允许的最高效率
最少的外部元件。
双阈值的使能引脚，匹配的软启动引脚和
电源良好输出被提供，允许高水平的
控制权。
该MIC2150 / 1在小尺寸采用4mm x 4毫米可用
24引脚MLF
封装。该MIC2150 / 1具有结
经营范围为-40 ° C至+ 125°C 。
数据手册和支持文档上可以找到
麦克雷尔的网站www.micrel.com 。
特点
双同步降压控制IC与输出
开关180度的异相
4.5V至14.5V输入电压范围
可调输出电压低至0.7V
1 ％的输出电压准确度
MIC2150 ： 500kHz的PWM操作
MIC2151 ： 300kHz的PWM操作
自适应栅极驱动器允许的效率超过95 ％
可调电流限制，无感电阻器
-
检测低边MOSFET的电流
内部驱动器允许每相20A
电源良好输出允许简单排序
双门限的使能引脚
独立的可编程软启动引脚
输出过电压保护
输入欠压锁定
工程与陶瓷输出电容器
微小采用4mm x 4mm的24引脚MLF
包
-40 ° C至+ 125 ° C的结温范围
应用
多路输出电源定序
DSP，FPGA， CPU和ASIC的电源
电信和网络设备
服务器
_________________________________________________________________________________________________________________________
典型用途
MicroLead框架和MLF是Amkor公司注册Technology，Inc.的商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 USA 电话： +1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000 http://www.micrel.com
2009年8月
M9999-082809-A
(408) 944-0800
麦克雷尔INC 。
MIC2150
订购信息
产品型号
MIC2150YML
MIC2151YML
频率
500kHz
300kHz
电压
ADJ 。
ADJ 。
结温。
范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
无铅封装
无铅
无铅
包
采用4mm x 4mm的24引脚MLF
采用4mm x 4mm的24引脚MLF
引脚配置
24引脚MLF
（ ML）的
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
引脚名称
BS1
HSD1
SW1
CS1
引脚功能
提高1 （输入） ：提供电压高边MOSFET驱动器1.栅极驱动
电压比为V的电源电压更高
DD
减去一个二极管压降。
高边驱动器1 （输出） ：高电流输出驱动器的分机。高侧
MOSFET。
开关节点1 （输出） ：高电流输出驱动器回报HSD1 。
电流检测1 （输入） ：限流比较器的同相输入。该
电流限制期间的接通时间横跨低侧FET感测。电流限制
由串联在CS1端的电阻器来设定。
软启动，输出1 （输入） ：控制导通，输出电压的时间。活跃
上电时，启动和电流限制恢复。
补偿1 （输入） ：引脚用于外部补偿，通道1 。
模拟地（信号） ：为FB ， EN ， PGOOD ， AVDD ， SS和信号路径返回
比较。
反馈1 （输入） ：输入通道1误差放大器。调节到0.7V 。
模拟电源电压（输入） ：连接分机。旁路电容。
反馈2 （输入） ：输入频道2误差放大器。调节到0.7V 。
电源良好（输出） ：表示通道1输出，通道2的输出> 90 ％
标称。
补偿2 （输入） ：引脚用于外部补偿，通道2 。
5
6
7
8
9
10
11
12
SS1
COMP1
AGND
FB1
AVDD
FB2
PGOOD
COMP2
2009年8月
2
M9999-082809-A
(408) 944-0800
麦克雷尔INC 。
引脚数
13
14
引脚名称
SS2
CS2
引脚功能
MIC2150
软启动，输出2 （输入） ：控制导通，输出电压的时间。活跃
上电时，启动和电流限制恢复。
限流2 （输入） ：限流比较器的同相输入。趋势/涌流
限制期间的接通时间跨越低侧FET感测。电流限制设定
由串联在CS2引脚的电阻。
开关节点2 （输出） ：高电流输出驱动器返回的HSD2 。
高侧驱动器2 （输出）：高电流输出驱动器的高侧
MOSFET。
升压2 （输入） ：提供电压高边MOSFET驱动器2.栅极驱动
电压比为V的电源电压更高
DD
减去一个二极管压降。
电源接地2.高电流回报低侧驱动器2 & CS2 。
低边驱动器2 （输出） ：大电流驱动器输出的外部MOSFET 。
内部5V线性稳压器从V
IN
（输出） ： V
DD
是的分机。 MOSFET栅极
驱动电压和用于所述集成电路的内部电源总线。当V
IN
是<5V ，这
稳压器工作在辍学模式。连接外部旁路电容。
启用（输入） ：双门限的使能引脚。逻辑低电平变为了IC关闭。超额
较低的门槛使通道1 ，超过高阈值，则使
通道2双阈值函数允许电源排序的选项
从单个EN引脚。这两个通道必须打开和关闭起来。
使能引脚必须高于2.8V的正常运行来驱动更高。
电源电压通道1 （输入） ： 4.5V至14V
低边驱动器1 （输出） ：大电流驱动器输出外部MOSFET。
电源地1 ：大电流回报低侧驱动器1 & CS1 。
裸露焊盘（电源） ：必须做一个完整的连接到GND飞机
最大限度地提高了封装的散热性能。
15
16
17
18
19
20
SW2
HSD2
BS2
PGND2
LSD2
VDD
21
EN
22
23
24
EPAD
VIN
LSD1
PGND1
EP
2009年8月
3
M9999-082809-A
(408) 944-0800
麦克雷尔INC 。
MIC2150
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
IN
） ........................................ -0.3V至15V
自举引脚电压（ BST & HSD ） ....................... V
IN
+ 6V
FB ， COMP ， SS ，V
DD
， LSD &一
VDD
.................... -0.3V至6V
CS ， SW & EN ............................................. ..... -0.3V至15V
电源良好（P
良好
） ........................................ AV
DD
+ 0.3V
存储温度（T
S
） .........................- 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接10秒） ............... 260℃
ESD额定值
(3)
............. HBM = 2kV的， MM = 200V ， CDM = 2kV的
工作额定值
(2)
电源电压（V
IN
） ................................... + 4.5V至+ 14.5V
输出电压范围0.7V ................................为0.83 ×V
IN
结温范围............. -40°C
≤
T
J
≤
+125°C
封装热阻
MLF
(θ
JA
)..........................................................60°C/W
MLF
(θ
JC
)............................................................6°C/W
电气特性
(4)
T
J
= 25°C ; V
EN
= V
IN
= 12V ;除非另有规定。
胆大
值表明：-40°C
≤
T
J
≤
+125°C
参数
V
IN
, V
EN
, V
DD
供应
总电源电流，
PWM模式电源
当前
关断电流
V
IN
UVLO电压启动
V
IN
UVLO电压停止
V
IN
UVLO迟滞
V
DD
UVLO电压启动
V
DD
UVLO电压停止
V
IN
UVLO迟滞
V
EN
阈值1
V
EN
阈值2
V
EN
迟滞
内部偏置电压
(V
DD
)
V
DD
负载电流
（每个阈值）
IV
DD
= -50mA
V
IN
= 6V至14.5V
V
IN
= 5.5V
振荡器/ PWM部分
PWM频率
参见设计说明
最大占空比
（每个通道）
最小导通时间
(5,6)
注意事项：
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5k的串联100pF的。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.最小导通时间之前自动循环跳跃开始。参见应用部分。
6.通过设计保证。
条件
V
FB
= 0.7V （两个O / PS ）
（输出开关，但不包括外部MOSFET栅极电流）。
V
EN
= 0V
V
IN
升起
V
IN
落下
V
DD
升起
V
DD
落下
民
典型值
4.2
最大
单位
mA
10
50
1.5
1.5
2.03
2
30
3.0
2.8
3.3
3.1
200
0.8
1.7
4.5
1
2
30
5
100
2.4
2.4
μA
V
V
mV
V
V
mV
V
V
mV
V
mA
mA
千赫
千赫
%
%
3.6
3.4
1.2
2.3
5.5
75
50
（内部振荡器= 2倍的PWM频率）
MIC2150
MIC2151
MIC2150
MIC2151
450
270
80
83
500
300
550
330
（每个通道）
30
50
ns
2009年8月
4
M9999-082809-A
(408) 944-0800
QQ：2880707522 复制
