MIC2101/02
38V ，同步降压控制器
配备自适应导通时间控制
超速Control家庭
概述
该
麦克雷尔MIC2101 / 02
是恒定频率，
同步降压控制器具有独特的适应性
导通时间控制架构。该MIC2101 / 02工作
的输入电源电压范围为4.5V至38V ，并可以
用于供应输出电流高达15A 。输出
电压是可调低至0.8V有保证
的± 1％的精度。该器件采用可编程
开关频率从200kHz至600kHz的。
麦瑞半导体的Hyper轻负载架构提供了相同的
高效率和超快速瞬态响应的超
中等速度下的控制架构，以沉重的负荷，
而且在轻负载条件下保持高效率
通过转换到可变频率，非连续模式的
操作。
该MIC2101 / 02提供了全套保护功能，
确保在故障条件下保护IC的。这些
包括欠压锁定，以确保正常运行
功率过低的情况下，内部软启动，减少
浪涌电流，折回电流限制， “打嗝”模式短期
短路保护和热关断。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网址为：
www.micrel.com 。
特点
超速度控制架构实现：
-
高台达V工作电压（V
IN
= 38V和V
OUT
= 1.2V)
-
任何Capacitor稳定
4.5V至38V的输入电压
0.8V参考电压，具有± 1 ％的准确度
200kHz至600kHz的可编程开关频率
超级轻负载控制（ MIC2101 ）
超高速控制（ MIC2102 ）
使能输入和电源良好输出
内置5V稳压器为单电源供电
可编程电流限制和折回“打嗝”
模式短路保护
5ms的内部软启动，内部补偿和
热关断
支持安全启动至预偏置输出
-40°C至+ 125°C的结温范围
采用16引脚3mm x 3mm的MLF
包
应用
分布式电源系统
网络/电信基础设施
打印机，扫描仪，图形卡，视频卡
__________________________________________________________________________________________________________
典型用途
MIC2101的效率（V
IN
= 12V)
- 输出电流（ MIC2101 ）
100
90
80
5.0V
3.3V
2.5V
1.8V
1.5V
1.2V
1.0V
0.9V
0.8V
效率（％）
70
60
50
40
30
20
10
f
SW
= 600kHz的（ CCM）的
MIC2101 / 02宽输入，超级轻载降压转换器
超速度控制，超轻型载，任何电容都麦克雷尔公司的商标。
MLF和
MicroLeadFrame
注册Amkor技术公司的商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+1 （
408
） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000
http://www.micrel.com
100F
470F
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
输出电流（A ）
2012年8月
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2101/02
订购信息
产品型号
MIC2101YML
MIC2102YML
开关
频率
在200kHz至600kHz
在200kHz至600kHz
特点
超轻型载
超速度控制
包
16引脚3mm x 3mm的MLF
16引脚3mm x 3mm的MLF
连接点
温度
范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
无铅封装
无铅
无铅
引脚配置
16引脚3mm x 3mm的MLF （ ML ）
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
引脚名称
VDD
PVDD
ILIM
引脚功能
内部+ 5V线性稳压器输出。 VDD是该设备的内部电源总线。一个4.7μF的陶瓷
电容从VDD到AGND需要脱钩。在与VIN < + 5.5V ， VDD的应用
应该连接到VIN至绕过线性稳压器。
5V的电源输入为低侧N-沟道MOSFET驱动器，其可连接到VDD外部。一
4.7μF的陶瓷电容， PVDD至PGND推荐脱钩。
电流限制设置。连接从西南到ILIM电阻器来设置的过电流阈值的
转换器。
低侧驱动输出。高电流驱动器输出一个降压转换器的外部低侧MOSFET 。
该DL驱动电压摆幅从地面到VDD。加入DL引脚和之间的一个小电阻
低侧N-沟道MOSFET的栅极可关减慢和关断的速度
MOSFET。
电源地。 PGND是降压转换器功率级的返回路径。保护地线引脚
连接到低侧N沟道外部MOSFET的源，输入的负极端子
电容器和输出电容器的负极端子。为电源地的返回路径
应尽可能地小，并独立于信号地（AGND ）返回路径。
开关频率调节输入。此引脚与VIN为600kHz的操作和放置一个电阻
分压器来降低频率。
4
DL
5
保护地
6
频率
2012年8月
2
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2101/02
引脚配置（续）
引脚数
7
引脚名称
DH
引脚功能
高边驱动器输出。高电流驱动器输出的降压外部高边MOSFET
转换器。生署驱动电压被浮在开关节点电压（V
SW
） 。添加小
DH销和高侧的N沟道MOSFET的栅极之间的电阻可以减缓开启
通和关断MOSFET的速度。
开关节点和电流检测输入。高电流输出驱动器返回。在SW引脚连接
直接向交换节点。由于该引脚上的高速开关， SW引脚应
从敏感的节点走线。 SW引脚也可检测电流，通过监测电压
横跨在OFF时间的低侧MOSFET 。为了感测电流准确，连接
低边MOSFET的漏极使用Kelvin连接SW引脚。
无连接。
电源电压输入为高侧的N沟道MOSFET驱动器，其可以通过一个供电
自举电路连接在VDD和SW之间，采用了肖特基二极管和一个0.1μF的陶瓷
电容。添加一个小电阻在BST引脚可以减慢高端的导通速度
MOSFET。
信号地的VDD和控制电路，连接到散热垫电子。
信号地返回路径应该是独立于电源接地（地线）返回路径。
反馈输入。输入到控制回路的跨导放大器。 FB引脚调节
到0.8V 。一个电阻分压器连接反馈到输出用于设定所需的输出
电压。
电源良好输出。开漏输出，外接上拉电阻连接到VDD或外部电源轨
是必须的。
使能输入。的逻辑信号来启用或禁用所述降压转换器的操作。 EN引脚为CMOS
兼容。逻辑高电平使能器件，逻辑低停机调节。在关闭模式下，
VDD电源电流的装置被最小化，以0.7毫安典型。
电源电压。在VIN工作电压范围为4.5V至38V 。一个1μF的陶瓷电容
VIN至AGND需要脱钩。
裸露焊盘。连接在PCB上的EPAD ，以保护地平原，提高散热性能。
8
SW
9, 11
10
NC
BST
12
13
14
15
16
EP
AGND
FB
PG
EN
VIN
EPAD
2012年8月
3
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2101/02
绝对最大额定值
(1)
V
IN
................................................................
0.3V
至+ 40V
V
DD
, V
PVDD
........................................................
0.3V
为+ 6V
V
SW
, V
频率
, V
ILIM
, V
EN
............................
0.3V
到（Ⅴ
IN
+0.3V)
V
BST
到V
SW
........................................................
0.3V
至6V
V
BST
................................................................
0.3V
到46V
V
PG
.....................................................
0.3V
到（Ⅴ
DD
+ 0.3V)
V
FB
.....................................................
0.3V
到（Ⅴ
DD
+ 0.3V)
PGND至AGND ...........................................
0.3V
至+ 0.3V
结温.............................................. 150 ℃，
存储温度（T
S
) .........................
65C
至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............................ 260℃
ESD额定值
(2)
................................................. ESD敏感
工作额定值
(3)
电源电压（V
IN
） .......................................... 4.5V至38V
使能输入（V
EN
） ................................................. 。 0V至V
IN
V
SW
, V
频率
, V
ILIM
, V
EN
............................................. 0V至V
IN
结温（T
J
) ........................
40C
至+ 125°C
热阻结
采用3mm x 3mm MLF - 16 （
JA
） ....................... 50.8 ° C / W
采用3mm x 3mm MLF - 16 （
JC
） ....................... 25.3 ° C / W
电气特性
(4)
V
IN
= 12V, V
OUT
=1.2V; V
BST
– V
SW
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C，除非另有说明。
胆大
值表示
40°C
≤
T
J
≤
+125°C.
参数
电源输入
输入电压范围（V
IN
)
(5)
静态电源电流（ MIC2101 ）
静态电源电流（ MIC2102 ）
关断电源电流
V
FB
= 1.5V
V
FB
= 1.5V
SW悬空，V
EN
= 0V
4.5
400
2.1
0.1
38
750
3
10
V
A
mA
A
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VDD电源
VDD输出电压
VDD UVLO阈值
VDD UVLO迟滞
负载调整率
参考
反馈参考电压
FB偏置电流
使能控制
EN逻辑高电平
EN逻辑低电平
EN迟滞
EN偏置电流
振荡器
开关频率
最大占空比
最小占空比
最小关断时间
V
FB
> 0.8V
140
V
频率
= V
IN
V
频率
= 50%V
IN
400
600
300
85
0
200
260
750
千赫
%
%
ns
V
EN
= 12V
200
6
30
1.8
0.6
V
V
mV
A
T
J
= 25°C (±1.0%)
40°C
≤
T
J
≤
125°C (±2%)
V
FB
= 0.8V
0.792
0.784
0.8
0.8
5
0.808
0.816
500
V
nA
I
DD
= 0至40mA
0.6
V
IN
= 7V至38V的，我
DD
= 10毫安
V
DD
升起
4.8
3.8
5.2
4.2
400
2
3.6
5.4
4.6
V
V
mV
%
2012年8月
4
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2101/02
电气特性
(4)
（续）
V
IN
= 12V, V
OUT
= 1.2V; V
BST
– V
SW
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C，除非另有说明。
胆大
值表示
40°C
≤
T
J
≤
+125°C.
参数
条件
分钟。
典型值。
软启动
软启动时间
短路保护
限流门限
短路门限
限流电流源
短路电流源
FET驱动器
DH ， DL输出低电压
DH ， DL输出高电压
DH导通电阻，高国
DH导通电阻，低状态
DL导通电阻，高国
DL导通电阻，低状态
SW ， BST漏电流
电源良好（ PG ）
PG阈值电压
PG滞后
PG延迟时间
PG低压
热保护
过温关断
过温关断迟滞
注意事项：
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
3.该设备是不能保证功能以外的工作范围。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.应用程序是全功能的低V
DD
（电源控制部的） ，如果外部MOSFET具有低电压V
TH
.
马克斯。
单位
5
V
FB
= 0.79V
V
FB
= 0V
V
FB
= 0.79V
V
FB
= 0V
I
SINK
= 10毫安
V
PVDD
0.1V
I
来源
= 10毫安
or
V
BST
0.1V
2.1
1.8
1.8
1.2
3.3
3.3
3.3
2.3
50
扫V
FB
从低到高
扫V
FB
从高电平变为低电平
扫V
FB
从低到高
V
FB
< 90 ％× V
喃
, I
PG
= 1毫安
T
J
升起
85
90
6
100
70
160
7
200
95
30
23
60
27
14
7
80
37
0
9
100
47
0.1
ms
mV
mV
A
A
V
V
A
%V
OUT
%V
OUT
s
mV
°C
°C
2012年8月
5
M9999-080712-A
QQ：2880707522 复制
