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新产品
MI2050C & MI2060C
威世通用半导体
双共阴极肖特基整流器
特点
Guardring过电压保护
更低的功率损耗,效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
2
3
TO-262AA
K
??高频工作
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压,高频整流用
开关模式电源,续流二极管,
OR- ing二极管,直流 - 直流转换器或极性
保护应用。
机械数据
案例:
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须试验
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
1
MI20xxC
销1
3脚
销2
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 10 A
T
J
马克斯。
10 A ×2
50 V, 60 V
150 A
0.570 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流(图1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
每腿重复峰值反向电流在t
p
= 2微秒, 1千赫
变化的电压率(额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
每二极管
设备总
每二极管
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
T
英镑
MI2050C
50
20
10
150
0.5
10 000
- 65至+ 150
- 65 + 175
MI2060C
60
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
°C
文档编号: 89007
修订: 19 08年5月
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
MI2050C & MI2060C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
测试条件
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
为V
R
4.0 V, 1 MHz的
T
J
= 25 °C
V
F
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
R
C
J
符号
典型值。
0.554
0.649
0.484
0.570
15
10.8
300
马克斯。
-
0.74
V
-
0.62
150
25
-
A
mA
pF
单位
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
反向电流每二极管
(2)
典型结电容
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MI2050C
2.0
MI2060C
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-262AA
首选的P / N
MI2060C-E3/4W
单位重量(g )
1.456
封装代码
4W
基地数量
50/tube
配送方式
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明)
20
负载电阻或电感
160
峰值正向浪涌电流( A)
平均正向电流( A)
16
140
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
120
12
100
8
80
4
60
0
0
50
100
150
40
1
10
100
外壳温度( ° C)
环,在60赫兹的
图1.正向降额曲线(总)
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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2
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文档编号: 89007
修订: 19 08年5月
新产品
MI2050C & MI2060C
威世通用半导体
100
10 000
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流(A )
10
结电容(pF )
1000
T
J
= 25 °C
1
0.1
0.1
100
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流(mA )
10
0.1
1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-262AA
0.411 ( 10.45 ) MAX 。
0.250 ( 6.35 )最低。
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω (典型值)。
( REF )。
K
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
文档编号: 89007
修订: 19 08年5月
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日前,Vishay
放弃
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(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
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文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MI2060C-E3/4W
    -
    -
    -
    -
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
MI2060C-E3/4W
VISHAY/威世
2018+/2017
50000
TO-252(D-PAK)
全新原装15818663367
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MI2060C-E3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
TO-262AA
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MI2060C-E3/4W
VISHAY
24+
18650
TO-220
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MI2060C-E3/4W
VISHAY
15+
50
原装正品,支持实单
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联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
MI2060C-E3/4W
VISHAY
24+
3675
TO-262
12¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:12元
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MI2060C-E3/4W
Vishay
21+
65420
TO262AA
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MI2060C-E3/4W
Vishay
21+
65420
TO262AA
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
MI2060C-E3/4W
Vishay Semiconductors
㊣10/11+
9556
贴◆插
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
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