摩托罗拉
飞思卡尔半导体公司
半导体技术资料
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通过MHVIC915R2 / D
射频线
746-960 MHz射频LDMOS宽带
集成功率放大器
该MHVIC915R2宽带集成电路被设计用于CDMA和
GSM / GSM EDGE应用。它采用摩托罗拉最新的高电压（ 26
到28伏特）的LDMOS IC技术和集成的多级结构。
其宽带片整体匹配电路使得它从746可用
到960MHz 。线性演出涵盖所有调制的蜂窝
应用： GSM， GSM EDGE ，TDMA和CDMA。该装置是
封装在一个PFP- 16扁平封装包，提供了出色的散热
通过焊接的背面接触性能。
典型的CDMA性能： 869-894兆赫， 27伏，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
=
120毫安，1-载波n -CDMA ，IS-95 CDMA的9通道正向
驱动器应用
输出功率 - 23 dBm的
功率增益 - 31分贝
相邻通道功率比 -
-60 dBc的@ 750千赫在30 kHz的带宽
-66 dBc的@ 1.98兆赫在30 kHz的带宽
输出应用
输出功率 - 34 dBm的
PAE = 21 ％
相邻通道功率比 -
-50 dBc的@ 750千赫在30 kHz的带宽
典型的GSM业绩： 921-960兆赫， 26伏
输出功率 - 15瓦特的P1dB
功率增益 - 30分贝@的P1dB
漏极效率= 56 ％@的P1dB
片内匹配（ 50欧姆输入， >9欧姆输出）
片上电流镜克
m
感应FET的自偏置应用
集成温度补偿能力
可用于SCPA和MCPA架构
集成ESD保护
可在磁带和卷轴。 R2的后缀=每16毫米1500台， 13寸
卷轴。
MHVIC915R2
CDMA，GSM / GSM EDGE
746-960兆赫， 15 W， 27 V
RF LDMOS WIDEBAND
集成放大器
飞思卡尔半导体公司...
CASE 978-03
PFP–16
塑料
V
BSD
V
BSG
V
D1
北卡罗来纳州
2级IC
V
D2
/ RF
OUT
V
BSD
V
BSG
RF
in
IC
V
D1
GND
V
G1
V
G2
RF
in
温度补偿
V
G1
V
G2
引脚连接
1
2
3
4
5
6
7
8
（ TOP VIEW ）
16
15
14
13
12
11
10
9
北卡罗来纳州
V
D2
/ RF
OUT
V
D2
/ RF
OUT
V
D2
/ RF
OUT
V
D2
/ RF
OUT
V
D2
/ RF
OUT
V
D2
/ RF
OUT
北卡罗来纳州
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MHVIC915R2
1
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
-65到+150
150
单位
VDC
VDC
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
驱动器应用
(P
OUT
=为0.2W CW）
输出应用
(P
OUT
= 2.5瓦CW）
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 80毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 120毫安
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 80毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 120毫安
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 50毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 140毫安
符号
R
θJC
5.07
最大
单位
° C / W
3.73
飞思卡尔半导体公司...
GSM应用
(P
OUT
= 15瓦CW）
3.41
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
C4 （最低）
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113
等级
3
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
CDMA功能测试
（在摩托罗拉CDMA测试夹具， 50
οhm
系统）V
DS
= 27 V，I
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
= 120毫安， 880兆赫，
1载波的N- CDMA ，IS-95 CDMA的9通道正向
共源放大器功率增益（P
OUT
= 23 dBm的）
功率附加效率（P
OUT
= 34 dBm的）
输入回波损耗（P
OUT
= 23 dBm的）
相邻通道功率比（P
OUT
= 23 dBm的） @ 750千赫在30 kHz的带宽补偿
相邻通道功率比（P
OUT
= 34 dBm的） @ 750千赫在30 kHz的带宽补偿
增益平坦度@ P
OUT
= 23 dBm的（ 865兆赫至895兆赫）
偏差检测FET的漏极电流
V
BSD
= 27 V
V
BIAS BSG
= V
BIAS2 Q2
@ I
DQ2
= 120毫安
G
ps
η
IRL
ACPR
ACPR
G
F
I
BSD
29
—
—
—
—
—
0.8
31
21
–12
–60
–50
0.2
1.2
—
—
–9
–55
—
0.4
1.6
dB
%
dB
dBc的
dBc的
dB
mA
（续）
MHVIC915R2
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
性能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50
οhm
系统）V
DS
= 27 V，I
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
= 120毫安， 865-895兆赫
等级
静态电流精度在整个温度范围（ -10至85°C ）的额定值
增益平坦度@ P
OUT
= 23 dBm的（ 800兆赫至960兆赫）
偏离线性相位@ P
OUT
= 23 dBm的
群时延@ P
OUT
= 23 dBm的
插入窗口期@ P
OUT
= 23 dBm的（部分部分）
符号
ΔIqt
G
F
延迟
民
—
—
—
—
—
典型值
±5
0.20
±0.2
2.2
±10
最大
—
—
—
—
—
单位
%
dB
°
ns
°
GSM功能测试
（摩托罗拉GSM测试夹具， 50
οhm
系统）V
DS
= 26 V，I
DQ1
= 50 mA时，我
DQ2
= 140毫安， 921-960兆赫， CW
等级
在1dB压缩点的输出功率
共源放大器功率增益@的P1dB
符号
P1dB
收益
η
IRL
—
IMD3
η
民
—
—
—
—
—
—
—
典型值
15
30
56
–16
0.9
–30
35
最大
—
—
—
—
—
—
—
单位
瓦
dB
%
dB
%
dBc的
%
飞思卡尔半导体公司...
漏极效率@ P1dB的
输入回波损耗@ P1dB的
EVM @ 5 W
三阶互调失真（ 15瓦PEP ， 2音100 kHz间隔）
漏极效率（ 15瓦PEP ， 2音100 kHz间隔）
摩托罗拉RF设备数据
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MHVIC915R2
3
飞思卡尔半导体公司
V
BSD
V
BIAS BSG
R5
V
D1
C8
RF
输入
Z1
C7
Z11
1 NC
2
3
4
5
6
NC 16
15
14
13
12
11
温度
赔偿金
10
NC 9
Z2
Z6
Z3
Z4
C1 C2
Z5
Z8
C3
Z9
C4
Z7
C5
+
C6
V
D2
RF
产量
C13
Z12
V
BIAS1
R1
C11
R3
C12
V
GS1
7
8
飞思卡尔半导体公司...
Z10
V
BIAS2
R2
C10
R4
C9
V
GS2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
0.0438″ x 0.400″ 50
微带
0.1709 “× 0.1004 ”微带
（不包括IC板的长度）
0.1222 “× 0.1944 ”微带
0.0836 “× 0.3561 ”微带
0.0438 “× 0.2725 ”微带
0.0504 “× 0.3378 ”微带
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
PCB
0.0504 “× 0.480 ”微带
0.0252 “× 0.843 ”微带
0.0252 “× 0.167 ”微带
0.040 “× 0.850 ”微带
0.025 “× 0.400 ”微带
0.020 “× 0.710 ”微带
罗杰斯4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.50
图1. MHVIC915 746-960 MHz的测试电路原理图
表1. MHVIC915 746-960 MHz的测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2
C3, C4
C5, C8, C10, C11
C6
C7, C9, C12
C13
R1, R2, R5
R3, R4
描述
4.7 pF的高Q电容（ 0603 ）
47 pF的电容NPO （ 0805 ）
1
F
X7R贴片电容（ 1214 ）
10
F,
50 V电解电容
0.01
F
X7R贴片电容（ 0805 ）
8.2 pF的NPO贴片电容（ 0805 ）
1千瓦的贴片电阻（ 0603 ）
100千瓦的贴片电阻（ 0603 ）
值， P / N或DWG
ATC600S4R7CW
GRM40–001COG470J050BD
GRM42–2X7R105K050AL
ECEV1HA100SP
GRM40X7R103J050BD
GRM40–001COG8R2C050BD
RM73B2AT102J
RM73B2AT104J
生产厂家
ATC
村田
村田
松下
村田
村田
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
MHVIC915R2
4
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
MHVIC915
REV 0
V
D1
V
BIAS BSG
V
BSD
V
D2
R5
C6
C8
C4
C7
C2
C5
C1
飞思卡尔半导体公司...
C13
C3
C9
R4
C10
C12
R3
C11
R1
V
BIAS1
V
BIAS2
R2
图2. MHVIC915 746-960 MHz的测试电路元件布局
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MHVIC915R2
5
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