飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MHVIC2115R2
第4版， 8/2006
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MHVIC2115R2宽带集成电路被设计用于基站
应用程序。它采用飞思卡尔最新的高压（ 26 28伏特） LDMOS
IC技术，并集成了多 - 级结构。其宽带上 - 芯片
配套的设计使得它可以使用2600至00年兆赫。线性
演出盖+ - CDMA调制格式。
最终的应用
典型W - CDMA性能： - 45 dBc的ACPR ， 2110年至2170年兆赫，V
DD
=
27伏特，我
DQ1
= 56 mA时，我
DQ2
= 61 mA时，我
DQ3
= 117毫安，P
OUT
= 34 dBm时，
3GPP测试模型1 ，衡量一个1.0 MHz带宽@ 4 MHz偏移， 64 DTCH
功率增益 - 30分贝
PAE = 16 ％
驱动器应用
典型W - CDMA性能： - 53 dBc的ACPR ， 2110年至2170年兆赫，V
DD
=
26伏特，我
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安， P
OUT
= 23 dBm时，
3GPP测试模型1 ，测量在3.84 MHz的带宽@ 5 MHz偏移， 64 DTCH
功率增益 - 34分贝
增益平坦度=从2110 0.3分贝 - 2170兆赫
的P1dB = 15瓦，增益平坦度=从2110 0.2分贝 - 2170兆赫
能够处理3 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 2140兆赫， 15瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >5欧姆输出）
集成的温度补偿与启用/禁用功能
集成ESD保护
在磁带和卷轴。 R2的后缀=每16毫米， 13英寸卷筒1500台。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
MHVIC2115R2
2170兆赫， 26 V， 23/34 dBm的
W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成功率放大器
档案信息
16
1
CASE 978 - 03
PFP - 16
通过MHVIC2115NR2取代。有
没有与此外形，装配或功能的改变
更换零件。 后缀表示符合RoHS
标准的器件。
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
°C
°C
北卡罗来纳州
V
GS3
V
GS2
V
GS1
静态电流
温度补偿
V
GS3
V
GS2
V
GS1
RF
in
RF
in
I
C
V
DS3
/ RF
OUT
RF
in
V
DS1
V
DS2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
北卡罗来纳州
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
北卡罗来纳州
V
DS1
V
DS2
3阶段我
C
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.框图
图2.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MHVIC2115R2
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
驱动器应用
(P
OUT
= +0.2 W CW）
输出应用
(P
OUT
= 2.5 W CW）
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 96毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 204毫安
第三阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 111毫安
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 56毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 61毫安
第三阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 117毫安
符号
R
θJC
3.5
价值
单位
° C / W
2.7
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
类
1 （最低）
档案信息
充电器型号
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
240
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
W - CDMA特性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安，
P
OUT
= 23 dBm时，二一一○年至2170年兆赫
功率增益
增益平坦度
输入回波损耗
群时延
相位线性度
1 - 载波W - CDMA的条件：相邻信道功率比
@ P
OUT
= 23 dBm时， 5 MHz偏移
1 - 载波W - CDMA的条件：相邻信道功率比
@ P
OUT
= 28 dBm时， 5 MHz偏移
G
ps
G
F
IRL
—
—
ACPR
ACPR
31
—
—
—
—
—
—
34
0.3
- 12
1.7
0.2
- 53
- 50
—
0.5
- 10
—
—
- 50
—
dB
dB
dB
ns
°
dBc的
dBc的
W - CDMA特性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 27伏直流，我
DQ1
= 56 mA时，我
DQ2
= 61 mA时，我
DQ3
= 117毫安，
P
OUT
= 34 dBm时，二一一○年至2170年兆赫
功率增益
增益平坦度
输入回波损耗
功率附加效率
1 - 载波W - CDMA的条件：相邻信道功率比
@ P
OUT
= 34 dBm时， 4 MHz偏移
G
ps
G
F
IRL
PAE
ACPR
—
—
—
—
—
30
0.2
- 12
16
- 45
—
—
—
—
—
dB
dB
dB
%
dBc的
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
MHVIC2115R2
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
机器型号
M1 （最低）
1
V
bias3
R3
V
bias2
R2
V
bias1
R1
RF
输入
16
+
C1
C2
3
C3
2
15
C15
14
+
C5
4
13
C16
RF
产量
C9
+
C14
C4
5
12
6
V
D1
静态电流
温度补偿
11
V
D3
档案信息
C21
V
D2
C8
C7
C6
8
9
C17
C18
C19
C20
+
C13
+
C12
C11
C10
C1, C5, C8, C12, C14, C19
C2, C3, C4, C7, C11, C18
C6, C10, C17
C9, C15, C16
1 μF的SMT片式钽电容器
0.01 μF的片式电容器（ 0805C103K5RACTR ）
6.8 pF的贴片电容， ACCU - P （ AVX 08051J6R8BBT ）
1.8 pF的贴片电容， ACCU - P （ AVX 08051J1R8BBT ）
C13 ， C20 ， C21 330 μF的电解电容器
(MCR35V337M10X16)
R1, R2, R3
1千瓦的贴片电阻（ 0805 ）
PCB
阿尔隆， 0.020 ,, ê
r
= 2.55
图3. MHVIC2115R2演示电路板原理图
MHVIC2115R2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
档案信息
+
+
7
10
+
+
V
bias1
R1
V
bias2
R2
V
bias3
R3
V
GS
C2
C14
C5
C1
MHVIC2115R2
REV 1
C4
V
G1
V
G2
V
G3
C3
C15
档案信息
C6
C16
C10
C7
C12
C8
C21
V
DD1
C11
C13
V
DD2
C17
C18
C19
C20
V
DD3
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图4. MHVIC2115R2演示板组件布局
MHVIC2115R2
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
C9
典型特征
50
40
30
S21 （ dB）的
20
10
0
10
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
S11
S21
0
5
10
DELAY （ NSEC ）
15
20
25
30
S11（ dB）的
1.8
1.6
1.4
1.2
30_C
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2100
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
20
35
1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000
男，频率时的（兆赫）
T
C
= 85_C
25_C
档案信息
男，频率（MHz）
图5.宽带频率响应
图6.延迟与频率
40
39
PS ，功率增益（分贝）
38
37
36
35
34
33
32
31
30
2100
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
85_C
25_C
T
C
= 30_C
IRL ，输入回波损耗（分贝）
20
15
T
C
= 85_C
25_C
30_C
10
5
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
0
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
男，频率（MHz）
男，频率（兆赫）
图7.功率增益与频率
图8.输入回波损耗与频率
40
39
38
PS ，功率增益（分贝）
37
36
25_C
35
34
33
32
31
30
20
V
DD
= 27伏， F = 2140 MHz的
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
25
30
35
40
45
85_C
70
65
T
C
= 30_C
T
C
= 25_C
S21相（ _）
60
30_C
55
50
85_C
45
40
20
V
DD
= 27伏， F = 2140 MHz的
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
25
30
35
40
45
P
OUT
，输出功率（dBm ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图9.功率增益与输出功率
图10. S21相位与输出功率
MHVIC2115R2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
档案信息
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MHVIC2115R2 / D
宽带IC系列
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MHVIC2115R2宽带集成电路被设计用于基站
应用程序。它采用摩托罗拉最新的高电压（ 26 28伏特） LDMOS IC
技术和集成了多 - 级结构。其宽带上 - 芯片
配套的设计使得它可以使用2600至00年兆赫。线性
演出盖+ - CDMA调制格式。
最终的应用
典型W - CDMA性能： - 45 dBc的ACPR ， 2110年至2170年兆赫，V
DD
=
27伏特，我
DQ1
= 56 mA时，我
DQ2
= 61 mA时，我
DQ3
= 117毫安，P
OUT
= 34 dBm时，
3GPP测试模型1 ，衡量一个1.0 MHz带宽@ 4 MHz偏移， 64 DTCH
功率增益 - 30分贝
PAE = 16 ％
驱动器应用
典型W - CDMA性能： - 53 dBc的ACPR ， 2110年至2170年兆赫，V
DD
=
26伏特，我
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安， P
OUT
= 23 dBm时，
3GPP测试模型1 ，测量在3.84 MHz的带宽@ 5 MHz偏移， 64 DTCH
功率增益 - 34分贝
增益平坦度=从2110 0.3分贝 - 2170兆赫
的P1dB = 15瓦，增益平坦度=从2110 0.2分贝 - 2170兆赫
能够处理3 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 2140兆赫， 15瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >5欧姆输出）
集成的温度补偿与启用/禁用功能
集成ESD保护
在磁带和卷轴。 R2的后缀=每16毫米， 13英寸卷筒1500台。
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
MHVIC2115R2
2170兆赫， 26 V， 23/34 dBm的
W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成功率放大器
飞思卡尔半导体公司...
CASE 978 - 03
PFP - 16
价值
65
- 0.5, +15
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
°C
°C
引脚连接
V
GS3
V
GS2
V
GS1
静态电流
温度补偿
北卡罗来纳州
V
GS3
V
GS2
RF
in
I
C
V
DS3
/ RF
OUT
V
GS1
RF
in
RF
in
V
DS1
V
DS2
3阶段我
C
V
DS1
V
DS2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
北卡罗来纳州
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
V
DS3
/ RF
OUT
北卡罗来纳州
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
（ 1 ）请参见AN1987 / D，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
第1版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
MHVIC2115R2
1
飞思卡尔半导体公司
热特性
特征
热阻，结到外壳
驱动器应用
(P
OUT
= +0.2 W CW）
输出应用
(P
OUT
= 2.5 W CW）
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 96毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 204毫安
第三阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 111毫安
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 56毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 61毫安
第三阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 117毫安
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
符号
R
θJC
3.5
价值
单位
° C / W
2.7
ESD保护特性
类
1 （最低）
M1 （最低）
C2 （最低）
飞思卡尔半导体公司...
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113
等级
3
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
W - CDMA特性
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安，
P
OUT
= 23 dBm时，二一一○年至2170年兆赫
功率增益
增益平坦度
输入回波损耗
群时延
相位线性度
1 - 载波W - CDMA的条件：相邻信道功率比
@ P
OUT
= 23 dBm时， 5 MHz偏移
1 - 载波W - CDMA的条件：相邻信道功率比
@ P
OUT
= 28 dBm时， 5 MHz偏移
G
ps
G
F
IRL
—
—
ACPR
ACPR
31
—
—
—
—
—
—
34
0.3
- 12
1.7
0.2
- 53
- 50
—
0.5
- 10
—
—
- 50
—
dB
dB
dB
ns
°
dBc的
dBc的
W - CDMA特性
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 27伏直流，我
DQ1
= 56 mA时，我
DQ2
= 61 mA时，我
DQ3
= 117毫安，
P
OUT
= 34 dBm时，二一一○年至2170年兆赫
功率增益
增益平坦度
输入回波损耗
功率附加效率
1 - 载波W - CDMA的条件：相邻信道功率比
@ P
OUT
= 34 dBm时， 4 MHz偏移
G
ps
G
F
IRL
PAE
ACPR
—
—
—
—
—
30
0.2
- 12
16
- 45
—
—
—
—
—
dB
dB
dB
%
dBc的
MHVIC2115R2
2
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
1
V
bias3
R3
V
bias2
R2
V
bias1
R1
RF
输入
16
+
C1
C2
3
C3
2
15
C15
14
+
C5
4
13
C16
RF
产量
C9
+
C14
C4
5
12
6
V
D1
静态电流
温度补偿
11
V
D3
10
C17
C18
+
+
C8
C7
C6
7
+
C19
+
C20
飞思卡尔半导体公司...
C21
V
D2
+
C13
+
C12
C11
C10
8
9
C1, C5, C8, C12, C14, C19
C2, C3, C4, C7, C11, C18
C6, C10, C17
C9, C15, C16
1
F
SMT片式钽电容器
0.01
F
片式电容器（ 0805C103K5RACTR ）
6.8 pF的贴片电容， ACCU -P （ AVX 08051J6R8BBT ）
1.8 pF的贴片电容， ACCU -P （ AVX 08051J1R8BBT ）
C13, C20, C21
330
F
电解电容
(MCR35V337M10X16)
R1, R2, R3
1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）
PCB
阿尔隆， 0.020 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MHVIC2115R2演示电路板原理图
V
bias1
R1
V
bias2
R2
V
bias3
R3
V
GS
C2
C14
C5
C1
MHVIC2115R2
REV 1
C4
V
G1
V
G2
V
G3
C3
C15
C9
C6
C16
C10
C7
C12
C8
C21
V
DD1
C11
C13
V
DD2
C17
C18
C19
C20
V
DD3
图2. MHVIC2115R2演示板组件布局
摩托罗拉RF设备数据
欲了解更多有关该产品，
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MHVIC2115R2
3
飞思卡尔半导体公司
典型特征
50
40
30
S21 （ dB）的
20
10
0
10
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
S11
S21
0
5
10
DELAY （ NSEC ）
15
20
25
30
S11（ dB）的
1.8
1.6
1.4
1.2
30_C
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2100
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
20
35
1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000
男，频率时的（兆赫）
T
C
= 85_C
25_C
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3.宽带频率响应
图4.延迟与频率
40
39
PS ，功率增益（分贝）
38
37
36
35
34
33
32
31
30
2100
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
85_C
25_C
T
C
= 30_C
IRL ，输入回波损耗（分贝）
20
15
T
C
= 85_C
25_C
30_C
10
5
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 23 dBm的CW
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
0
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
男，频率（MHz）
男，频率（兆赫）
图5.功率增益与频率
图6.输入回波损耗与频率
40
39
38
PS ，功率增益（分贝）
37
36
25_C
35
34
33
32
31
30
20
V
DD
= 27伏， F = 2140 MHz的
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
25
30
35
40
45
85_C
70
65
T
C
= 30_C
T
C
= 25_C
S21相（ _）
60
30_C
55
50
85_C
45
40
20
V
DD
= 27伏， F = 2140 MHz的
I
DQ1
= 96 mA时，我
DQ2
= 204毫安，我
DQ3
= 111毫安
25
30
35
40
45
P
OUT
，输出功率（dBm ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图7.功率增益与输出功率
图8. S21相位与输出功率
MHVIC2115R2
4
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