飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MHPA21010N
牧师6 ， 5/2006
UMTS频段
射频线性LDMOS功放
专为AB类放大器的应用
50欧姆系统
S IN操作
UMTS的频带。硅场效应管设计提供了卓越的线性度
和增益。此外，极好的群时延和相位线性characteris-
抽搐是理想的数字调制系统。
典型W - 为V CDMA性能
DD
= 28伏特，V
BIAS
= 8伏，
I
DQ
= 550 mA时，信道带宽= 3.84 MHz时，相邻通道
at
±
5兆赫， ACPR测量在3.84 MHz的带宽。
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF ， 3GPP测试模型1 ，
64 DTCH 。
邻道功率：
-
50 dBc的@ 30 dBm时， 5MHz的信道间隔
功率增益： 23.7分贝敏（ @ F = 2140兆赫）
0.2分贝典型的增益平坦度
特点
出色的相位线性度和群时延特性
理想的前馈基站应用
后缀表示铅 - 免费端接
MHPA21010N
2110年至2170年兆赫
10 W， 23.7分贝
射频大功率LDMOS放大器
CASE 301AP - 02 ，花柱3
表1.最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
直流电源电压
RF输入功率（单载波CW）
存储温度范围
工作温度范围
静态偏置电流
符号
V
DD
P
in
T
英镑
T
C
I
DQ
价值
30
+20
- 40 + 100
- 20 + 100
750
单位
VDC
DBM
°C
°C
mA
表2.电气特性
(V
DD
= 28伏，V
BIAS
8 V设置为550毫安， T供应电流
C
= 25°C, 50
Ω
系统）
特征
电源电流
功率增益
增益平坦度
功率输出@ 1分贝比较。
输入VSWR
噪声系数
（ F = 2140兆赫）
（ F =二一一〇年至2170年兆赫）
（ F = 2140兆赫）
（ F =二一一〇年至2170年兆赫）
（ F = 2140兆赫）
符号
I
DD
G
p
G
F
P1dB
VSWR
in
NF
ACPR
民
—
23.7
—
—
—
—
—
典型值
550
25
0.2
41.5
1.5:1
—
- 55
最大
—
—
0.6
—
2:1
10
- 50
dB
dBc的
单位
mA
dB
dB
DBM
邻道功率抑制@ 30 dBm的平均， 3.84 MHz的带宽，
5 MHz的信道间隔
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MHPA21010N
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
IRL / ORL ，输入/输出回波损耗（分贝）
20
15
10
5
0
5
10
15
20
2080
2100
2120
2140
2160
2180
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 5 W
I
DQ
= 550毫安
10 MHz的音调间隔
G
ps
28
27
26
25
24
ORL
23
22
21
20
2200
30
28
PS ，功率增益（分贝）
PS ，功率增益（分贝）
26
24
22
20
18
25_C
16
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2
2180
η
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 1 W （平均）。
I
DQ
= 550毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
BW = 3.84 MHz载波带宽
G
ps
16
T
C
= 10_C 14
η
，漏极效率（ ％ ）
40
PS ，功率增益（分贝）
25_C 12
85_C
10
8
85_C
10_C 6
4
IRL
男，频率（MHz）
男，频率（MHz）
图1.两个 - 音频功率增益，输入回波损耗
和输出回波损耗与频率
IM3 ，三阶互调失真（ DBC）
图2 2 - 载波W - CDMA功率增益和效率
与频率
IM3 ，三阶互调失真（ DBC）
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
30
IM3
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
(P
in
）= 1 W （平均）。
I
DQ
= 550毫安
10
T
C
= 85_C 20
10_C
20
25
30
35
40
45
50
55
10兆赫
60
15
20
25
30
35
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100千赫
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 550毫安
100千赫： F1 = 2139.95兆赫
F2 = 2140.05兆赫
10 MHz时： F1 = 2135 MHz的
F2 = 2145 MHz的
35
40
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84MHz的载波带宽
45
ACPR @ 5 MHz时， IM3 @ 10MHz的带宽= 3.84 MHz的
50
ACPR
55
2100
25_C
2120
2130
2140
2150
2160
2170
25_C
85_C
30
40
10_C 50
60
2180
2110
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA IM3和ACPR
与频率
IM3 ，三阶互调失真（ DBC）
η
，漏极效率（ ％ ） ，噘，输出功率（dBm ）
图4.两个 - 音W - CDMA与IM3
输出功率
20
25
30
35
40
45
50
55
450毫安
60
15
20
25
30
550毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135 MHz的
F2 = 2145 MHz的
35
40
I
DQ
= 750毫安
650毫安
48
40
32
24
16
8
0
5
G
ps
26
25
24
P
OUT
23
22
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
= 550毫安
F = 2140 MHz的
0
5
10
15
20
25
21
20
P
in
输入功率（dBm ）
η
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.三阶互调失真
与输出功率
MHPA21010N
2
图6.连续输出功率，效率和增益
与输入功率
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
40
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
= 550毫安
F1 = 2135 MHz的
F2 = 2145 MHz的
10
45
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
8
η
，漏极效率（ ％ ）
50
IM3
ACPR
60
65
5
10
η
15
20
25
30
6
55
4
2
0
35
P
OUT
，输出功率（dBm ）
图7. 2 - 载波W - CDMA ACPR ， IM3和效率
与输出功率
MHPA21010N
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
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