添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第432页 > MH8D64AKQC-75
初步规格。
有些内容如有变更,恕不另行通知。
三菱的LSI
MH8D64AKQC-75,-10
536,870,912位( 8,388,608 - WORD 64位),双数据速率同步DRAM模组
-
采用业界标准的8M ×16 DDR同步DRAM
在TSOP封装,行业标准EEPROM ( SPD )在
TSSOP封装
-
200PIN的SO -DIMM
-
VDD = VDDQ = 2.5V ± 0.2V
描述
该MH8D64AKQC是8388608 - 字×64位双
数据速率( DDR ) SY nchronous DRAM安装模块。
这个由4个行业标准8M ×16 DDR
SY nchronous的DRAM的TSOP与SSTL_2 INTERF其王牌
兴实现ES V ERY高速数据传输速率达到133MHz 。
这种插座TY PE存储器M odule适合F或主
存储器中的计算机系统和易于互换或
添加模块。
- 双数据速率的架构;两个数据互感器器每
时钟CY 乐
- 双向数据选通( DQS )发送/接收地编
随着数据
- 迪夫F erential时钟输入( CLK和/ CLK )
-
DLL对齐DQ和DQS过渡DQS与CLK的过渡边缘
特点
马克斯。
频率
CLK
存取时间
[组件级别]
型号名称
MH8D64AKQC-75
MH8D64AKQC-10
133MHz
100MHz
+ 0.75ns
+ 0.8ns
- 命令进入每个positiv é CLK边缘
- 数据和数据屏蔽文献所引用,以DQS的两个边缘
- 由BA0 , BA1 (银行地址concontrolled 4bank操作
,离散)
- / CAS延迟 - 2.0 / 2.5 (可编程)
- 突发长度 - 2/4/8 (可编程)
- 突发泰PE - 连续/ interleav E(可编程)
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 4096参考RESH CY LES / 64ms的
- 自动裁判RESH和自我裁判RESH
- 行地址A0-11 /列地址A0-8
- SSTL_2 INTERF王牌
- 模块1bank的conf igration
应用
主存储器单元,用于笔记电脑,手机等。
PCB大纲
(正面)
(返回)
1
2
199
200
MIT-DS-0419-0.1
三菱
17.May.2001
1
初步规格。
有些内容如有变更,恕不另行通知。
三菱的LSI
MH8D64AKQC-75,-10
536,870,912位( 8,388,608 - WORD 64位),双数据速率同步DRAM模组
引脚配置
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
名字
VREF
VSS
DQ0
DQ1
VDD
DQS0
DQ2
VSS
DQ3
DQ8
VDD
DQ9
DQS1
VSS
DQ10
DQ11
VDD
CK0
/CK0
VSS
DQ16
DQ17
VDD
DQS2
DQ18
VSS
DQ19
DQ24
VDD
DQ25
DQS3
VSS
DQ26
DQ27
VDD
NC
NC
VSS
NC
NC
VDD
NC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
名字
VREF
VSS
DQ4
DQ5
VDD
DM0
DQ6
VSS
DQ7
DQ12
VDD
DQ13
DM1
VSS
DQ14
DQ15
VDD
VDD
VSS
VSS
DQ20
DQ21
VDD
DM2
DQ22
VSS
DQ23
DQ28
VDD
DQ29
DM3
VSS
DQ30
DQ31
VDD
NC
NC
VSS
NC
NC
VDD
NC
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
145
147
149
151
153
155
157
159
161
163
165
167
名字
NC
VSS
CK2
/CK2
VDD
CKE1
NC
A12
A9
VSS
A7
A5
A3
A1
VDD
A10/AP
BA0
/ WE
/S0
NC
VSS
DQ32
DQ33
VDD
DQS4
DQ34
VSS
DQ35
DQ40
VDD
DQ41
DQS5
VSS
DQ42
DQ43
VDD
VDD
VSS
VSS
DQ48
DQ49
VDD
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
146
148
150
152
154
156
158
160
162
164
166
168
名字
NC
VSS
VSS
VDD
VDD
CKE0
NC
A11
A8
VSS
A6
A4
A2
A0
VDD
BA1
/ RAS
/ CAS
/S1
NC
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
VSS
DQ39
DQ44
VDD
DQ45
DM5
VSS
DQ46
DQ47
VDD
/CK1
CK1
VSS
DQ52
DQ53
VDD
NC :无连接
169
171
173
175
177
179
181
183
185
187
189
191
193
195
197
199
名字
DQS6
DQ50
VSS
DQ51
DQ56
VDD
DQ57
DQS7
VSS
DQ58
DQ59
VDD
SDA
SCL
VDDSPD
VDDID
170
172
174
176
178
180
182
184
186
188
190
192
194
196
198
200
名字
DM6
DQ54
VSS
DQ55
DQ60
VDD
DQ61
DM7
VSS
DQ62
DQ63
VDD
SA0
SA1
SA2
NC
MIT-DS-0419-0.1
三菱
17.May.2001
2
初步规格。
有些内容如有变更,恕不另行通知。
三菱的LSI
MH8D64AKQC-75,-10
536,870,912位( 8,388,608 - WORD 64位),双数据速率同步DRAM模组
框图
/S0
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
22
LDQS
LDM
/S
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1 D0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
/S
UDQS
UDM
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
LDQS
LDM
/S
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1 D2
2
3
4
5
6
7
/S
UDQS
UDM
8
9
10
11
12
13
14
15
/S
LDQS
LDM
LDQS
LDM
UDQS
UDM
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1 D1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1 D3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
串行PD
UDQS
UDM
CKE0
/ RAS
/ CAS
/ WE
BA0 , BA1 , A<11 : 0>
VDDSPD
VREF
VDD
VSS
VDDID
D0 - D3
D0
D0
D0
D0
-
-
-
-
D3
D3
D3
D3
CK0
/CK0
CK1
/CK1
CK2
/CK2
2loads SCL
SA0
SA1
2loads SA2
A0
A1
A2
SDA
WP
0loads
注: DQ接线可能不同于
在该图中描述了但
DQ / DM / DQS关系
保持如图所示。
VDD ID腕带连接:
(存储器器件VDD , VDDQ )
表带出来(开) : VDD = VDDQ
表带(关闭) : VDD = VDDQ
SPD
D0 - D3
D0 - D3
D0 - D3
MIT-DS-0419-0.1
三菱
17.May.2001
3
初步规格。
有些内容如有变更,恕不另行通知。
三菱的LSI
MH8D64AKQC-75,-10
536,870,912位( 8,388,608 - WORD 64位),双数据速率同步DRAM模组
引脚功能
符号
TYPE
描述
钟: CK0-2和/ CK0-2是DIF F erential时钟输入。所有地址和控制
输入信号采样上CK0-2的positiv 边缘的交叉点并
中/ CK0-2是负面的边缘。输出(读取)数据被裁判所引用,以口岸
CK0-2和/ CK0-2 (C罗辛的两个方向) 。
时钟使能: CKE0-1控制的内部时钟。当CKE0-1低时,内部
时钟f或歼ollowing CY 乐被停止。 CKE0-1还用于选择自动/
自我裁判RESH 。自参考RESH模式被启动后, CKE0-1变
ASY nchronous输入。只要CKE0-1是低的自参考RESH被保持。
芯片选择:当/ S0-1高,任何命令意味着任何操作。
CK0-2,/CK0-2
输入
CKE0
输入
/S0
/ RAS , / CAS , / WE
输入
输入
的RAS /组合, / CAS , /我们定义了基本的命令。
A0-11注明: 与BA0,1联行/列地址。该行
地址是由A0-11注明:灭蝇灯。列地址由A0-8注明:灭蝇灯。
A10也被用于指示预充电选项。当A10为高,一个读/写
命令,自动预充电是PERF ormed 。当A10为高电平时预充电
命令,所有银行都预充电。
银行地址: BA0-1注明: F的我们在SDRAM的银行之一,它的命令
被施加。 BA0-1必须ACT , PRE ,读来设置,写入命令。
A0-11
输入
BA0-1
DQ 0-64
DQS0-7
输入
输入/输出数据输入/输出:数据总线
输入/输出
数据选通:输出与读出的数据,输入与写入数据。边沿对齐的读
数据中心中写入数据。用于捕获写数据。
输入数据掩码: DM是输入掩码信号写入数据。输入数据被屏蔽时DM0-7是
在写访问采样以及输入数据高。 DM0-7采样上都
DQS0-7的边缘。虽然DM引脚的输入而已, DM0-7加载DQ0-63匹配和
DQS0-7加载。
DM0-7
VDD , VSS
VDDSPD
VREF
SDA
SCL
SA0-2
VDDID
输入
供电电源为内存阵列和外围电路。
电源
输入
电源的防雷器
SSTL_2参考电压。
这是用于TRANSF ER数据移入或移出的SPD EEPROM的双向引脚。
这个信号被用于时钟数据移入和移出该SPD EEPROM中的。电阻
输入/输出
电阻必须连接到VDD作为上拉。
输入/输出
可以连接f光盘的SCL和Vdd作为一个上拉。
输入
产量
使用的地址引脚来选择串行存在检测。
VDD度为100 F滞后
MIT-DS-0419-0.1
三菱
17.May.2001
4
初步规格。
有些内容如有变更,恕不另行通知。
三菱的LSI
MH8D64AKQC-75,-10
536,870,912位( 8,388,608 - WORD 64位),双数据速率同步DRAM模组
基本功能
该MH8D64AKQC提供了基本的功能,银行(行)激活,突发读取/写入,银行(行)
预充电和自动/自刷新。每一个命令是由/ RAS , / CAS控制信号定义
和/ WE在CLK的上升沿。除了3个信号, / CS , CKE和A10被用作芯片
选择,分别刷新选项,和预充电的选项。要知道的详细定义
命令,请参见命令真值表。
/CK0
CK0
/S0
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE0
A10
芯片选择: L =选择, H =取消
命令
命令
命令
参考RESH选项@ref RESH命令
预充电选@precharge或读/写命令
高清INE基本命令
激活( ACT ) [ / RAS = L , / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读(READ ) [ / RAS = H , / CAS = L , / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一输出数据
后/ CAS延迟出现。当A10 = H在此命令中,该行后停用
突发读取(自动预充电, READA )
写( WRITE) [ / RAS = H, / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据长度为
笔试由突发长度设置。当A10 = H在此命令中,该行后停用
突发写入(自动预充电,
WRITEA ) 。
预充电(PRE ) / RAS = L , / CAS = H, / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还终止
突发读/写操作。当A10 = H在此命令,所有银行都取消
(全部预充电,
PREA ) 。
自动刷新( REFA ) / RAS = / CAS = L , / WE = CKE0 = H〕
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行地址
内部产生。该命令后,银行会自动预充电。
MIT-DS-0419-0.1
三菱
17.May.2001
5
查看更多MH8D64AKQC-75PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MH8D64AKQC-75
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MH8D64AKQC-75
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9986
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多MH8D64AKQC-75供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!