初步规格。
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三菱的LSI
MH64S72AWJA -6 ， -7 ， -8
4831838208位（ 67108864 - WORD 72位）同步动态RAM
描述
该MH64S72AWJA是67108864 - 字X 72位
SY nchronous DRAM模块。这包括吨hirty -SiX
行业标准的32M ×4 SY nchronous中的DRAM
smalTSOP 。
卡上的SMAL TSOP边双列直插式封装
省IDES任何应用需要高密度和大
的数量的存储器是必需的。
这是一个socket - TY PE存储器M odule ，适合F或
方便的交换或添加米odule的。
85pin
1pin
特点
频率
-6
-7
-8
133MHz
100MHz
100MHz
CLK访问时间
（在锁存模式）
94pin
95pin
10pin
11pin
5.4ns(CL=4)
6.0ns(CL=3)
6.0ns(CL=4)
124pin
40pin
41pin
在采用行业标准的32M ×4同步DRAM
SMaL公司TSOP封装，行业标准的TSSOP反抗者
封装和行业标准的PLL采用TSSOP封装。
单3.3V +/- 0.3V供应
突发长度1/2/ 4/8 /全页（可编程）
突发型的顺序/交错（可编程）
列随机访问
突发W仪式/单W仪式（可编程）
自动预充电/自动预充电银行通过控制A10
自动刷新和自刷新
LVTTL接口
4096刷新周期EV红霉素64ms的
125pin
应用
计算机主存储器单元，微机存储器。
168pin
84pin
MIT-DS-372-0.2
三菱
电
17 /三月/ 2000
1
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三菱的LSI
MH64S72AWJA -6 ， -7 ， -8
4831838208位（ 67108864 - WORD 72位）同步动态RAM
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
引脚名称
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VDD
DQ14
DQ15
CB0
CB1
VSS
NC
NC
VDD
/WE0
DQMB0
DQMB1
/S0
NC
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1
VDD
VDD
CK0
PIN号
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
引脚名称
VSS
NC
/S2
DQMB2
DQMB3
NC
VDD
NC
NC
CB2
CB3
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VDD
DQ20
NC
NC
NC
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VDD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
CK2
NC
WP
SDA
SCL
VDD
PIN号
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
引脚名称
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VDD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VDD
DQ46
DQ47
CB4
CB5
VSS
NC
NC
VDD
/ CAS
DQMB4
DQMB5
/S1
/ RAS
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
VDD
CK1
NC
PIN号
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
引脚名称
VSS
CKE0
/S3
DQMB6
DQMB7
NC
VDD
NC
NC
CB6
CB7
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VDD
DQ52
NC
NC
雷杰
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VDD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
CK3
NC
SA0
SA1
SA2
VDD
NC =无连接
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MH64S72AWJA -6 ， -7 ， -8
4831838208位（ 67108864 - WORD 72位）同步动态RAM
添加
CKE0
/S0-3
DQM0-7
/W
/ RAS
/ CAS
雷杰
VDD
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
CB0
CB1
CB2
CB3
D6
D24
D4
D22
D3
D21
D0
RCKE0
R/S0-3
RDQM0-7
D18
D1
D19
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
CB4
CB5
CB6
CB7
D9
D27
D10
D28
D2
D20
D11
D29
D12
D30
D13
D31
D5
D23
D14
D32
D15
D33
D7
D25
D16
D34
D8
D26
D17
D35
从PLL
CK0
CK1 - CK3
RCKE0
R/S0
R/S1
R/S2
R/S3
PLL
终止
D0-35
D18-21,26-30
D0-3,8-12
D22-25,31-35
D4-713-17
串行PD
RDQM
RDQM
RDQM
RDQM
RDQM
RDQM
RDQM
RDQM
0
1
2
3
4
5
6
7
SCL
D0-1,D18-19
A0 A1 A2
D2-3,D8,D20-21,D26WP
47K
SA0 SA1 SA2
D4-5,D22-23
D6-7,D24-25
VDD
D9-10,D27-28
D11-12,D17,D29-30,D35
VSS
D13-14,D31-32
D15-16,D33-34
SDA
D0到D35
D0到D35
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引脚功能
CK0
输入
主时钟：所有其他输入参考上升
CK边缘
时钟使能： CKE控制内部clock.When CKE是
对于下一个周期的低，内部时钟就停止。 CKE是
也可用于选择自动/自刷新。自刷新后，
模式启动， CKE ê变成异步input.Self
只要CKE是低刷新保持。
芯片选择：当/ S为高电平时，任何命令方式
无操作。
中/ RAS组合， / CAS ， / W定义了基本的命令。
A0-11与指定相结合的行/列地址
BA.The行地址由A0-11.The指定栏
地址是由A0-10.A10指定也可用于指示
预充电option.When A10的高，在一个读/写
命令，自动预充电被执行。当A10是
在高预充电命令，两家银行预充电。
银行地址： BA0,1不是简单BA.BA0,1指定
向其中一个命令applied.BA必须设置的银行
与ACT ，预读，写命令
CKE0
输入
/S0 - 3
/ RAS ， / CAS ， / W
输入
输入
A0-11
输入
BA0-1
DQ0-63
CB0-7
DQM0-7
输入
输入/输出数据输入和数据输出参照的上升沿
CK的
嚣面膜/输出禁止：当DQMB是高爆
write.Din当前周期masked.When DQMB被
高在突发读取， Dout为下一个，但一个周期禁用。
输入
VDD，VSS
雷杰
供电电源的安装内存模块。
产量
注册启用：当雷杰为低电平时，所有控制信号和
地址缓冲。 （缓冲模式）当雷杰是
高，所有的控制和地址锁存。 （锁存模式）
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基本功能
该MH64S72AWJA提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，
银行（行）预充电和自动/自刷新。
每一个命令是由/ RAS ， / CAS控制信号，在CK的上升沿定义和/ WE 。
除了3个信号， / S， CKE和A10被用作芯片选择，刷新选项，并
预充电的选项，分别。
要知道的命令的详细定义请参阅命令真值表。
CK
/S
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
参考RESH选项@ref RESH命令
预充电选@precharge或读/写命令
高清INE基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA.First输出指示当前行读
后/ CAS延迟数据出现。当A10 = H在此命令中，该行
读取（自动预充电， READA ）突发后停用。
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据
要写入的长度是由脉冲串长度设置。当A10 = H在此命令中，该行
突发写入（自动预充电， WRITEA ）后停用。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还
终止脉冲串的读/写操作。当A10 = H在此命令中，两家银行
停用（预充电所有，
PREA ） 。
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行地址
在内部产生。该命令后，银行会自动预充电。
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17 /三月/ 2000
5
QQ：2881677436 复制
