初步规格。
规格如有
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三菱的LSI
MH4V724AWXJ -5，-6
快速页模式301989888 - BIT （ 4194304 - WORD 72 - BIT）动态RAM
引脚配置
描述
该MH4V724AWXJ是4194304字X 72位动态
内存模块。这包括四大行业标准4M x的
在SOJ 16动态RAM和两个行业标准4MX 4
在SOJ ，一个行业的EEPROM中动态RAM
TSSOP封装。
SOJs的卡上的双重优势的安装和TSSOP
列直插式封装提供了任何应用程序，其中高
密度和大的数量时存储器是必需的。
这是一个插座式存储器模块，适合于容易
交换或增加模块。
85pin
94pin
95pin
1pin
10pin
11pin
特点
型号名称
MH4V724AWXJ-5
MH4V724AWXJ-6
/ RAS
/ CAS地址/ OE
访问访问访问访问
时间
时间
时间
时间
周期
时间
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ）
50
60
13
15
25
30
13
15
90
110
采用业界标准的4M ×16的RAM的SOJ和行业
标准4M ×4的RAM在SOJ和行业标准的EEPROM
TSSOP
168针（ 84针的双双列直插式封装）
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源供电
低待机功耗
10.8mW （最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 LVCMOS输入电平
低操作功耗
MH4V724AWXJ -5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.82W （最大）
MH4V724AWXJ -6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.53W （最大）
所有的输入都是直接LVTTL兼容
所有输出三态，直接LVTTL兼容
包括（ 0.22uF ×8 ）去耦电容
4096刷新周期每64毫秒
快页模式下，读 - 修改 - 写，
/ CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新功能
JEDEC标准的引脚配置和SPD
镀金触点垫
行地址
A0 ~ A11
列地址A0 A9
124pin
背面
125pin
40pin
正面
41pin
168pin
84pin
应用
计算机主存储器单元，微机存储器
MIT-DS-0119-0.0
三菱
电
( 1 / 20 )
26/Feb./1997
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三菱的LSI
MH4V724AWXJ -5，-6
快速页模式301989888 - BIT （ 4194304 - WORD 72 - BIT）动态RAM
PIN号
引脚配置
PIN号
引脚名称
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
NC
NC
VSS
NC
NC
VCC
/WE0
/CAS0
/CAS1
/RAS0
/OE0
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
NC
VCC
VCC
DU
引脚名称
VSS
/OE2
/RAS2
/CAS2
/CAS3
/WE2
VCC
NC
NC
NC
NC
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
DU
NC
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
NC
NC
NC
SDA
SCL
VCC
PIN号
引脚名称
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
NC
NC
VSS
NC
NC
VCC
DU
/CAS4
/CAS5
NC
DU
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
A11
NC
VCC
DU
DU
PIN号
引脚名称
VSS
DU
NC
/CAS6
/CAS7
DU
VCC
NC
NC
NC
NC
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
DU
NC
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
NC
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
NC ：无连接
杜：不使用
MIT-DS-0119-0.0
三菱
电
( 2 / 20 )
26/Feb./1997
初步规格。
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三菱的LSI
MH4V724AWXJ -5，-6
快速页模式301989888 - BIT （ 4194304 - WORD 72 - BIT）动态RAM
/RAS2
/WE2
/OE2
框图
/RAS0
/WE0
/OE0
/ OE
/W
/ RAS
/CAS0
/ LCAS
DQ1
~DQ16
M5M465160AJ
/CAS1
/ UCAS
D1
/ OE
/W
/ RAS
/CAS2
/ LCAS
DQ1
~DQ16
M5M465160AJ
/CAS3
/ UCAS
D2
/ OE
/ CAS
/W
/ RAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
CB0
CB1
CB2
CB3
/ OE
/W
/ RAS
/CAS4
/ LCAS
DQ1
~DQ16
M5M465160AJ
/CAS5
/ UCAS
D3
/ OE
/W
/ RAS
DQ1
/CAS6
/ LCAS
~DQ16
M5M465160AJ
/CAS7
/ UCAS
D4
/ OE
/ CAS
/W
/ RAS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
CB4
CB5
CB6
CB7
M5M4V16400CJ
D5
M5M4V16400CJ
D6
A0 ~ A11
D1 ~ D6
VCC
VSS
SCL
C1 ~.C6
..
D1 ~ D6
EEPROM
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
SDA
MIT-DS-0119-0.0
三菱
电
( 3 / 20 )
26/Feb./1997
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三菱的LSI
MH4V724AWXJ -5，-6
快速页模式301989888 - BIT （ 4194304 - WORD 72 - BIT）动态RAM
函数来描述
SPD条目数据
128
256字节
FPM DRAM
A0-A11
A0-A9
1bank
x72
0
3.3V LVTTL
-5
-6
50ns
60ns
13ns
15ns
ECC
正常的刷新（ 15.625uS ）
x16
x4
开放
开放
REV 1
检查总和-5
检查总和-6
SPD数据录入（十六进制）
80
08
01
0C
0A
01
48
00
02
32
3C
0D
0F
02
00
10
04
00
00
01
40
4C
1CFFFFFFFFFFFFFF
01
02
03
04
4D4834563732344157584A2D352D352020202020
4D4834563732344157584A2D362D362020202020
rrrr
YY / WW
ssssssss
00
00
00
串行存在检测表
字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
定义写入字节数为串行内存模块MFGR
总字节数SPD内存设备的
基本内存类型
在本届大会＃行地址
在本届大会＃列地址
在本次大会＃模块银行
本次大会的数据宽度...
...数据宽度延续
本届大会的电压接口标准
本次大会的RAS ＃访问时间
10
本届大会CAS ＃访问时间
-5
-6
11
12
13
14
15-31
32-61
62
63
DIMM配置类型（无奇偶校验，奇偶校验， ECC ）
刷新率/类型
DRAM的宽度，主要DRAM
错误检查DRAM数据宽度
保留为将来之祭
（可能在将来使用）超内存类型
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0-62
64-71
72
每JEP - 106厂家JEDEC的ID代码
生产地点
三菱
三好，日本
田岛，日本
NC ， USA
德国
73-90
制造商零件编号
MH4V724AWXJ-5
MH4V724AWXJ-6
91-92
93-94
95-98
99-125
126-127
128-255
修改代码
生产日期
装配序列号
制造商的具体数据
版权所有
打开用户自由格式区域没有定义
PCB版本
年/星期代码
编号
开放
开放
开放
MIT-DS-0119-0.0
三菱
电
( 4 / 20 )
26/Feb./1997
初步规格。
规格如有
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三菱的LSI
MH4V724AWXJ -5，-6
快速页模式301989888 - BIT （ 4194304 - WORD 72 - BIT）动态RAM
一些其他的功能，例如，快速页面模式， / RAS-
只有刷新和延迟写。的输入条件
各示于表1中。
功能
该MH4V724AWXJ提供，除了正常
读，写和读 - 修改 - 写操作，
表1输入条件为每个模式
手术
读
写（早期写）
写（延迟写入）
读 - 修改 - 写
/ CAS前/ RAS刷新
输入
/ RAS
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
/ CAS
法案
法案
法案
法案
法案
DNC
/W
NAC
法案
法案
法案
NAC
DNC
/ OE
法案
DNC
DNC
法案
DNC
DNC
行列
地址地址
APD
APD
APD
APD
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
输入/输出
输入
OPN
VLD
VLD
VLD
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
IVD
VLD
OPN
OPN
刷新
是的
是的
是的
是的
是的
NO
备注
快速页
模式
相同
待机
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
MIT-DS-0119-0.0
三菱
电
( 5 / 20 )
26/Feb./1997
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