三菱的LSI
MH4M36CJD-5,-6,-7
快速页模式（ 4194304 - WORD 36 - BIT）动态RAM
描述
该MH4M36CJD是由36位动态的4M字
RAM模块和由8个工业标准
在TSOP和4行业4M ×4动态RAM
标准4M X采用TSOP 1动态RAM 。
在IC安装在小两侧
ceracom PC板，形成一个方便的64针
WDIP包。
引脚配置（顶视图）
特点
型号名称
RAS
CAS
访问访问
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ）
地址
OE
周期
动力
ACCESS
ACCESS
耗散
时间
时间
时间
化
（ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）
MH4M36CJD-5
MH4M36CJD-6
MH4M36CJD-7
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
7240
5920
5200
采用业界标准的4M ×4的DRAM的TSOP封装
和4M X 1的DRAM的TSOP封装
单5V ± 10 ％电源
低待机功耗
66MW （最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 CMOS lnput水平
低工作功耗
MH4M36CJD - 5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.15W （最大）
MH4M36CJD - 6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.48W （最大）
MH4M36CJD - 7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.51W （最大）
所有的输入，输出TTL兼容，低电容
2048刷新周期每32毫秒（A
0
~ A
10
)
包括12个0.22uF退耦电容
应用
计算机主存储器单元，微机存储器，
刷新内存CRT
DQ0 1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
DQ5 6
VSS 7
DQ6 8
DQ7 9
DQP0 10
/ CAS0 11
DQ8 12
DQ9 13
VCC 14
DQ10 15
DQ11 16
DQ12 17
DQ13 18
DQ14 19
DQ15 20
VSS 21
DQP1 22
/ CAS1 23
A0 24
A1 25
A2 26
A3 27
VCC
A4
A5
A6
A7
28
29
30
31
32
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQP2
/CAS2
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
VCC
DQ30
DQ31
DQP3
/CAS3
/RAS0
俄罗斯足协
VSS
/W
俄罗斯足协
俄罗斯足协
A10
A9
A8
MIT-DS-0035-0.0
三菱
电
( 1 / 14 )
Jun/17/1996
三菱的LSI
MH4M36CJD-5,-6,-7
快速页模式（ 4194304 - WORD 36 - BIT）动态RAM
功能
该MH4M36CJD提供，除了
正常读写了一些其他功能，
例如，快速页面模式， RAS-只刷新。
输入条件为每个列于表1中。
表1输入条件为每个模式
输入
手术
RAS
读
写（早期写）
RAS -ONLY刷新
隐藏刷新
CAS前RAS刷新
待机
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
CAS
法案
法案
NAC
法案
法案
DNC
W
NAC
法案
DNC
DNC
NAC
DNC
OE
法案
DNC
DNC
法案
DNC
DNC
ROW
地址
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
COLUMN
地址
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
输入/输出
刷新
输入
OPN
APD
DNC
OPN
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
OPN
VLD
OPN
OPN
是的
是的
是的
是的
是的
NO
快速页
模式
相同
备注
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
框图
添加
38
/W
41
/RAS0
11
/CAS0
24,25,26,27,29,30,31,32,33,34,35
54
/CAS2
CAS RAS我们添加的OE
M5M417400CTP
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
1
2
3
4
5
6
8
9
CAS RAS我们添加的OE
M5M417400CTP
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
64
63
62
61
59
58
57
56
CAS RAS我们添加的OE
CAS RAS我们添加的OE
M5M417400CTP
M5M417400CTP
CAS RAS我们添加的OE
CAS RAS我们添加的OE
M5M44100CTP
DQP0
10
M5M44100CTP
DQP2
55
23
/CAS1
CAS RAS我们添加的OE
42
/CAS3
M5M417400CTP
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
12
13
15
16
17
18
19
20
CAS RAS我们添加的OE
M5M417400CTP
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
52
51
50
49
48
47
45
44
CAS RAS我们添加的OE
CAS RAS我们添加的OE
M5M417400CTP
M5M417400CTP
CAS RAS我们添加的OE
CAS RAS我们添加的OE
M5M44100CTP
DQP1
22
M5M44100CTP
DQP3
43
MIT-DS-0035-0.0
三菱
电
( 2 / 14 )
Jun/17/1996
三菱的LSI
MH4M36CJD-5,-6,-7
快速页模式（ 4194304 - WORD 36 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
VI
V0
I0
Pd
TOPR
TSTG
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25℃
相对于VSS
参数
条件
评级
-1 ~ 7
-1 ~ 7
-1 ~ 7
50
12
0 ~ 70
-40 ~ 125
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
（注1 ）
范围
民
4.5
0
2.4
-1.0
喃
5
0
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
单位
V
V
V
mA
W
C
C
推荐工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
参数
注1：所有的电压值是相对于VSS
电气特性
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
I
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
平均电源电流
从Vcc
操作
（注3,4 ）
I
CC2
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ± 10％ ， VSS = 0V时，除非另有说明）
（注2 ）
测试条件
I
OH
=-5mA
I
OL
=4.2mA
Q浮动0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤
6.0V ，其他输入引脚= 0V
范围
民
2.4
0
-10
-120
典型值
最大
VCC
0.4
10
120
1660
1360
1180
RAS CAS = = V
IH ，
输出开路
RAS CAS =
≥
VCC -0.5
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
24
12
1660
1360
1180
1060
900
780
1580
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
1300
1140
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
V
uA
uA
MH4M36CJD-5
MH4M36CJD-6
MH4M36CJD-7
I
CC1 （ AV ）
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
=t
WC
=最小值。
输出开路
从Vcc电源电流，待机
平均电源电流
从Vcc
凉爽
（注3）
平均电源电流
从Vcc
快页模式
（注3,4 ）
平均电源电流
从Vcc
CAS前RAS刷新
（注3）
模式
MH4M36CJD-5
MH4M36CJD-6
MH4M36CJD-7
MH4M36CJD-5
MH4M36CJD-6
MH4M36CJD-7
MH4M36CJD-5
MH4M36CJD-6
MH4M36CJD-7
I
CC3 （ AV ）
I
CC4(AV)
RAS = V
白细胞介素，
CAS骑自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
I
CC6(AV)
注2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3 ： ICC1 （ AV ） ， ICC 3 （ AV ） ， ICC4 （ AV）和Icc6 （ AV）都依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4： ICC1 （AV）和ICC4 （AV）是依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
电容
符号
C
I（A ）
C
我（W）的
C
我（RAS）的
C
我（ CAS ）
C
I / O
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ± 10％ ， VSS = 0V时，除非另有说明）
范围
民
典型值
最大
90
130
130
35
20
参数
输入电容，输入地址
输入电容，写控制输入
输入电容，输入RAS
输入电容，输入CAS
输入/输出电容，数据端口
V
I
= VSS
测试条件
单位
pF
pF
pF
pF
pF
f=1MH
Z
Vi=25mVrms
MIT-DS-0035-0.0
三菱
电
( 3 / 14 )
Jun/17/1996
三菱的LSI
MH4M36CJD-5,-6,-7
快速页模式（ 4194304 - WORD 36 - BIT）动态RAM
开关特性
（大= 0 70°C ， VCC = 5V ± 10 ％ ， VSS = 0V ，除非另有说明，请参见注释5,12,13 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
CLZ
t
关闭
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
Columu地址访问时间
从CAS预充电时间访问
经过CAS高输出禁止时间
（注6,7 ）
（注6,8 ）
（注6,9 ）
（注6,10 ）
5
0
13
（注11 ）
MH4M36CJD-5
民
最大
13
50
25
30
5
0
15
MH4M36CJD-6
民
最大
15
60
30
35
5
0
15
MH4M36CJD-7
民
最大
20
70
35
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
中国科学院低输出阻抗低时（注6 ）
注5： 500US初始暂停电后接着是最小八个初始化周期（周期的任意组合，需要
包含RAS时钟，如RAS仅刷新） 。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和任何8 RAS或RAS / CAS周期需要较长时间后，
（大于32毫秒）器件正常工作之前， RAS活动的实现。
6 ：衡量一个负载电路等效于2TTL负载和100pF的。
7 ：假设的tRCD
≥
的tRCD （ max）和TASC
≥
TASC （最大值）。
8 ：假设的tRCD
≤
的tRCD （ max）和TRAD
≤
TRAD （最大值） 。如果tRCD的或繁体大于本表中所示的最大建议值，
TRAC会由tRCD的超过显示的值量增加。
9 ：假设TRAD
≥
TRAD （ max）和TASC
≤
TASC （最大值）。
10 ：假设TCP
≤
TCP （ max）和TASC
≥
TASC （最大值）。
11： tOFF的（最大）和tOEZ （最大值）限定在其中的输出达到高阻抗状态（时间| IOUT |
≤
10微安） ，而不是引用
VOH （分钟）或VOL （最大值）。
时序要求（读，写，刷新，快速页模式周期）
（大= 0 70°C ， VCC = 5V ±10 ％ ， VSS = 0V ，除非另有说明见附注12,13）
范围
符号
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
CDD
t
T
刷新周期时间
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
参数
MH4M36CJD-5
民
30
(Note14)
18
10
0
10
(Note15)
(Note16)
13
0
0
8
13
(Note17)
(Note18)
(Note19)
0
13
1
50
10
25
37
最大
32
MH4M36CJD-6
民
40
20
10
0
10
15
0
0
10
15
0
15
1
50
10
30
45
最大
32
MH4M36CJD-7
民
50
20
10
0
10
15
0
0
10
15
0
15
1
50
10
35
50
最大
32
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，中国科学院高数据
转换时间
注12 ：时序要求假定TT =为5ns 。
13： VIH（分钟）和VIL （最大值）是参考电平，用于测量输入信号的定时。
14： tRCD的（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果tRCD的是小于tRCD的（最大） ，存取时间是TRAC 。如果tRCD的大于tRCD的（最大） ，访问
时间由TCAC或TAA独占控制。 tRCD的（分钟）被指定为tRCD的（分钟） = tRAH （分钟） + 2 + TASC （分钟）。
15： TRAD （最大）被指定为唯一的一个参考点。如果TRAD
≥
TRAD （ max）和TASC
≤
TASC （最大） ，存取时间由TAA独占控制。
16： TASC （最大）被指定为唯一的一个参考点。如果tRCD的
≥
的tRCD （ max）和TASC
≥
TASC （最大） ，存取时间由TCAC独占控制。
17 ：要么tDZC或tDZO必须得到满足。
18 ：要么TCDD或托德必须得到满足。
19 ： TT是VIH （MIN）和VIL （最大值）之间测量。
MIT-DS-0035-0.0
三菱
电
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Jun/17/1996
三菱的LSI
MH4M36CJD-5,-6,-7
快速页模式（ 4194304 - WORD 36 - BIT）动态RAM
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
读周期时间
RAS IOW脉冲宽度
CAS IOW脉冲宽度
RAS IOW后CAS保持时间
CAS IOW后， RAS保持时间
经过中科院读高建立时间
CAS IOW阅读后保持时间
阅读RAS IOW后保持时间
列地址到RAS保持时间
（注20 ）
（注20 ）
参数
MH4M36CJD-5
民
90
50
13
50
13
0
0
10
25
最大
10000
10000
MH4M36CJD-6
民
110
60
15
60
15
0
0
10
30
最大
10000
10000
MH4M36CJD-7
民
130
70
20
70
20
0
0
10
35
最大
ns
10000
10000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注20 ：要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
写周期
范围
符号
t
WC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
写周期时间
RAS IOW脉冲宽度
CAS IOW脉冲宽度
RAS IOW后CAS保持时间
CAS IOW后， RAS保持时间
写CAS低之前建立时间
写CAS IOW后保持时间
CAS W IOW后保持时间
RAS W IOW后保持时间
把脉冲宽度
CAS IOW或W IOW之前的数据建立时间
CAS IOW或W IOW后的数据保持时间
参数
MH4M36CJD-5
民
90
50
13
50
13
0
8
13
13
8
0
8
10000
10000
最大
MH4M36CJD-6
民
110
60
15
60
15
0
10
15
15
10
0
10
10000
10000
最大
MH4M36CJD-7
民
130
70
20
70
20
0
15
20
20
15
0
15
10000
10000
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
MIT-DS-0035-0.0
三菱
电
( 5 / 14 )
Jun/17/1996
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