MH202
高动态范围蜂窝频段MMIC混频器
通信EDGE
TM
高级产品信息
产品特点
+30 dBm的IIP3
RF 890 - 960兆赫
LO 640 - 760兆赫
IF 200 - 250兆赫
+17 dBm的驱动电平
低成本SOIC- 8封装
无需外部要求的偏置
产品说明
该MH202是一个被动的GaAs MESFET混频器
提供一种在低的高动态范围的性能
成本SOIC - 8封装。 WJ的MH202采用专利
技术实现+30 dBm的输入IP3以LO
在一个简单的使用时，推动+17 dBm的水平
应用电路的上变频的配置。
此单芯片集成电路不
不需要任何外部平衡 - 不平衡变换器或偏见的元素。
典型的应用包括频率上/下
转换，调制和解调
在2.5G和3G中使用的接收器和发射器
使用的GSM频带的系统。
工作原理图
1
8
7
6
5
2
3
4
功能
LO
IF & RF
*
GND
PIN号
2
5
1,3,4,6,8
* 4个外部元件（电感电容& ）
需要双工信号
特定网络阳离子
参数
1
频率范围：
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
输入IP3
2
输入P1dB为
隔离：
L-R
L-1
R-Ⅰ
回波损耗：
LO端口
LO驱动电平
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
最低
890
640
200
典型
最大
960
760
250
10
评论
9.5
10
+30
待定
30
55
待定
-5
+17
使用下面的页面上显示的应用电路板1.数据是，用一个低端LO在+17 dBm的在上变频应用在25 ℃。
2.输入IP3是衡量两个音调以-5 dBm的/音1 MHz的分离的输入功率。
绝对最大额定值
3
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率LO
4
应用电路
LO
L1
27 nH的
IF
等级
-40 ° + 85
°C
-65 °至+100°C
+21 dBm的
C2
5.6 pF的
RF
C1
12 pF的
3.操作该设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口供电的4总和不得超过+23 dBm的。
L2
15 nH的
所有的组件都是规模0402
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2002年4月
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