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三菱的LSI
MH1V36CAM-6,-7
快速页模式37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
描述
该MH1V36CAM是由36位动态的1M字
内存模块包括2个行业标准
在TSOP和1个行业1M ×16动态RAM
1609米×4 （ 4CAS ）的TSOP动态RAM 。
各IC被安装在一个小的两侧
ceracom PC板带闪光灯镀金，形成
方便的68引脚封装。
引脚配置（顶视图）
特点
型号名称
地址
OE
RAS
CAS
周期
ACCESS ACCESS ACCESS
ACCESS
时间
时间
时间
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ）
MH1V36CAM-6
MH1V36CAM-7
60
70
15
20
30
35
15
20
110
130
采用业界标准的1M ×16的DRAM在TSOP封装
和行业标准的1M ×4 （ 4CAS ） DRAM的TSOP
包
单3.3V +/- 0.3V供应
低待机功耗
9mW的（最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 CMOS lnput水平
低工作功耗
MH1V36CAM - 6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.37W （最大）
MH1V36CAM - 7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.20W （最大）
所有的输入，输出TTL兼容，低电容
1024刷新周期每16.4ms （A
0
~ A
9
)
包括2只0.22uF的去耦电容
应用
计算机主存储器单元，微机存储器，
刷新内存CRT
DQ1 1
DQ2 2
DQ3 3
DQ4 4
DQ5 5
VSS 6
DQ6 7
DQ7 8
DQ8 9
DQP1 10
DQ9 11
VCC 12
DQ10 13
DQ11 14
DQ12 15
DQ13 16
DQ14 17
VSS 18
DQ15 19
DQ16 20
DQP2 21
VCC 22
/ CAS0 23
/ CAS3 24
A0 25
A1 26
A2 27
VSS 28
A3 29
A4 30
A5 31
/ RAS 32
A6 33
VCC 34
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
DQP4
DQ32
DQ31
DQ30
DQ29
VSS
DQ28
DQ27
DQ26
DQ25
DQP3
VCC
DQ24
DQ23
DQ22
DQ21
DQ20
VSS
DQ19
DQ18
DQ17
VCC
/CAS2
/CAS1
/W
/ OE
RFU （ NC ）
VSS
RFU （ NC ）
RFU （ NC ）
A9
A8
A7
VCC
MIT-DS-0027-0.0
三菱
电
( 1 / 18 )
1996年5月21日
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MH1V36CAM-6,-7
快速页模式37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
功能
该MH1V36CAM提供，除了正常的读，
写和读 - 修改 - 写操作，一些
其他功能，如快速页面模式， RAS只刷新，
延迟写。输入conditionsfor各示于表1中。
表1输入条件为每个模式
输入
手术
RAS
读
写（早期写）
写（延迟写入）
读 - 修改 - 写
RAS -ONLY刷新
隐藏刷新
CAS前RAS刷新
待机
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
CAS
法案
法案
法案
法案
NAC
法案
法案
DNC
W
NAC
法案
法案
法案
DNC
DNC
NAC
DNC
OE
法案
DNC
DNC
法案
DNC
法案
DNC
DNC
ROW
地址
APD
APD
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
COLUMN
地址
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
输入/输出
刷新
输入
OPN
VLD
VLD
VLD
DNC
OPN
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
IVD
VLD
OPN
VLD
OPN
OPN
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
NO
快速页
模式
相同
备注
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
框图
添加
/W
/ OE
/CAS3
/CAS2
/CAS1
/CAS0
/ RAS
25,26,27,29,30,31,33,36,37,38
44
43
24
46
45
23
32
/ RAS / UCAS
/ LCAS
/ OE
/ W添加
/ RAS
/ UCAS
/ LCAS
/ OE
/ W添加
/ RAS / CAS 1
/CAS3
/ OE
/CAS2
/CAS4
DQ2 DQ3 DQ4
/W
添加
M5M4V18160C
M5MV18160C
M5M4V4500C
DQ1
68
58
21
10
DQP4
DQP3
DQP2
DQP1
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
11
13
14
15
16
17
19
20
48
49
50
52
53
54
55
56
01
02
03
04
05
07
08
09
59
60
61
62
64
65
66
67
C1到C2
0.22 uF的
12 22 34 35 47 57
6
18 28 41 51 63
VCC
VSS
MIT-DS-0027-0.0
三菱
电
( 2 / 18 )
1996年5月21日
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MH1V36CAM-6,-7
快速页模式37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
VI
V0
I0
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于VSS
评级
-0.5 ~ 4.6
-0.5 ~ 4.6
-0.5 ~ 4.6
50
3
0 ~ 70
-40 ~ 100
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
Ta=25°C
推荐工作条件
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
参数
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
（大= 0 70°C
中，除非另有说明）
（注1 ）
民
3.0
0
2.0
-0.3
范围
喃
3.3
0
最大
3.6
0
Vcc+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
注1：所有的电压值是相对于VSS
电气特性
符号
VOH
VOL
IOZ
II
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
-6
-7
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ，除非另有说明）
（注2 ）
测试条件
IOH=-2.0mA
IOL=2.0mA
Q浮动0V≤VOUT≤3.3V
0V≤VIN≤3.6V ，其他输入引脚= 0V
民
2.4
0
-10
-30
范围
典型值
最大
VCC
0.4
10
30
380
单位
V
V
平均供应
ICC1 （ AV ）电流
从Vcc操作
（注3,4 ，*）
ICC2
RAS ， CAS骑自行车
的tRC = TWC =分钟。
输出开路
RAS CAS = = VIH ，输出开路
RAS = CAS≥Vcc -0.2V ，输出开路
RAS骑自行车， CAS = VIH
的tRC =分钟。
输出开路
RAS = VIL ， CAS骑自行车
TPC =分钟。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
的tRC =分钟。
输出开路
mA
330
6
1.5
380
mA
330
210
mA
190
370
mA
320
mA
从Vcc电源电流，待机
-6
-7
-6
-7
-6
-7
平均供应
当前
ICC 3 （AV）从Vcc
凉爽
（注3 ，*）
平均电源电流
从Vcc
ICC4 （ AV ）快速页面模式
（注3,4 ，*）
平均电源电流
从Vcc
ICC6(AV)
CAS前RAS刷新
（注3,5 ，*）
模式
注2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3 ： ICC1 （ AV ） ， ICC 3 （ AV ） ， ICC4 （ AV）和Icc6 （ AV）都依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4： ICC1 （AV）和ICC4 （AV）是依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
*：列地址可以一次或更少的被channged而RAS = VIL和LCAS / UCAS = VIH
电容
符号
CI （ A）
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ，除非另有说明）
参数
测试条件
民
范围
典型值
最大
50
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
1996年5月21日
输入电容，
地址输入
CI （ OE ）输入电容， OE输入
CI为（W）的
输入电容，写控制输入
CI （ RAS ）的输入电容，输入RAS
CI （ CAS ）的输入电容，输入CAS
CI / O
输入/输出电容，数据端口
MIT-DS-0027-0.0
VI = VSS
f=1MHZ
Vi=25mVrms
55
55
55
50
40
三菱
电
( 3 / 18 )
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MH1V36CAM-6,-7
快速页模式37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
开关特性
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
参数
民
从CAS访问时间
从RAS访问时间
Columu地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
（注6,7 ）
（注6,8 ）
（注6,9 ）
（注6,10 ）
（注6 ）
（注11 ）
（注11 ）
5
0
0
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ，除非另有说明，请参见注释5,12,13 ）
范围
-6
最大
15
60
30
35
15
5
15
15
0
0
20
20
民
-7
最大
20
70
35
40
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
中国科学院低输出阻抗低时（注6 ）
注5： 500US初始暂停电后接着是最小八个初始化周期（周期的任意组合，需要
包含RAS时钟，如RAS仅刷新） 。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和任何8 RAS或RAS / CAS周期需要较长时间后，
（大于16.4毫秒）器件正常工作之前， RAS活动的实现。
6 ：测量用相当于VOH = 2.4V （ IOH = -2mA ） /VOL=0.4V （ IOL = 2毫安）负载100pF的负载电路。
参考电平，用于测量输出信号是2.0V （VOH ）和0.8V （ VOL） 。
7 ：假设吨
RCDD≥
t
RCD （最大）
和T
ASC
≥
t
ASC （最大值）。
8 ：假设吨
RCD
≤
t
RCD （最大）
和T
拉德
≤t
RAD （最大值）。
如果T
RCD
或T
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了吨
RCD
超出显示的值。
9 ：假设吨
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和T
ASC
≤t
ASC （最大值）。
10 ：假设吨
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和T
ASC
≥t
ASC （最大值）。
11: t
关（ MAX）的
和T
OEZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
我+/- 10uAI ） ，而不是引用
V
OH （分钟）
或V
OL （最大值）。
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新，快速页模式周期）
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ，除非另有说明见附注12,13）
范围
符号
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
t
T
刷新周期时间
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
参数
民
40
(Note14)
20
10
0
10
(Note15)
(Note16)
15
0
0
10
15
(Note17)
(Note17)
(Note18)
(Note18)
(Note19)
0
0
15
15
1
-6
最大
16.4
50
45
20
10
0
10
30
10
15
0
0
10
15
0
0
20
20
50
1
民
-7
最大
16.4
50
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
35
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
50
ns
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间，中国科学院高数据
延迟时间， OE高到数据
转换时间
注12 ：时序要求假定吨
T
=5ns.
13: V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
14: t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
小于吨
RCD （最大） ，
存取时间为t
RAC 。
如果T
RCD
大于吨
RCD （最大） ，
ACCESS
时间为t独占控制
CAC
或T
AA.
t
RCD （分钟）
被指定为T
RCD （分钟）
=t
RAH （分钟）
+2t
H
+t
ASC （分钟） 。
15: t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RAD≥
t
RAD （最大值）
和T
ASCⅡ
t
ASC （最大值） ，
存取时间为t独占控制
AA.
16: t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD≥
t
RCD （最大）
和T
ASCⅡ
t
ASC （最大值） ，
存取时间为t独占控制
CAC 。
17 ：要么吨
DZC
或T
DZO
必须得到满足。
18 ：要么吨
CDD
或T
ODD
必须得到满足。
19: t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大值）。
MIT-DS-0027-0.0
三菱
电
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MH1V36CAM-6,-7
快速页模式37748736位（ 1048576 - WORD 36 - BIT）动态RAM
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OCH
t
ORH
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
经过中科院读高建立时间
经过CAS低阅读保持时间
后RAS低的阅读保持时间
列地址到RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
（注20 ）
（注20 ）
参数
民
110
60
15
60
15
0
0
10
30
15
15
10000
10000
-6
最大
民
130
70
20
70
20
0
0
10
35
20
20
10000
10000
-7
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注20 ：要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
写周期（早期写和延迟写入）
范围
符号
t
WC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OEH
写周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
写CAS低之前建立时间
写CAS低后保持时间
CAS后W低的保持时间
RAS后W低的保持时间
把脉冲宽度
数据建立时间之前CAS低或W低
CAS后低或W低数据保持时间
后W低OE保持时间
（注22 ）
参数
民
110
60
15
60
15
0
10
15
15
10
0
10
15
10000
10000
-6
最大
民
130
70
20
70
20
0
15
20
20
15
0
15
20
10000
10000
-7
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
MIT-DS-0027-0.0
三菱
电
( 5 / 18 )
1996年5月21日
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