初步规格。
三菱的LSI
MH16V725BATJ -5，-6
HYPER页模式1207959552 - BIT （ 16777216 - WORD 72 - BIT）动态RAM
描述
该MH16V725BATJ为16777216字X 72位动态
内存模块。这包括18行业标准16M
在TSOP ×4动态RAM和三个行业标准输入
缓冲区的TSSOP封装。
TSOP的卡上的安装边缘的双列直插式封装
提供的任何应用程序，其中的高密度和大
量的存储器是必需的。
这是一个插座式存储器模块，适合于容易
交换或增加模块。
引脚配置
85pin
94pin
1pin
10pin
11pin
特点
型号名称
MH16V725BATJ-5
MH16V725BATJ-6
/ RAS
/ CAS地址/ OE
访问访问访问访问
时间
时间
时间
时间
周期
时间
动力
耗散
（ typ.W ）
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ）
95pin
50
60
18
20
30
35
18
20
84
104
5.50
4.60
采用业界标准的16M ×4的RAM TSOP和行业
采用TSSOP标准输入缓冲区
168针（ 84脚双列直插式pacege ）
单3.3V （ +/- 0.3V ）电源供电
低待机功耗。 。 。 。 。 。 。 。 121mW （最大）
低操作功耗
MH16V725BATJ -5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.58W （最大）
MH16V725BATJ -6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.94W （最大）
所有输入，输出的LVTTL兼容
包括（ 0.22uF ×20 ）的去耦电容
4096刷新周期每64毫秒（ A0 A12 ）
JEDEC标准引脚CONFIGRATION &缓冲PD引脚
缓冲输入除/ RAS和DQ
镀金触点垫
124pin
背面
125pin
40pin
正面
41pin
应用
计算机主存储器单元，微机存储器
168pin
84pin
PD&ID表
-5
-6
PD1 PD2 PD3 PD4 PD5 PD6 PD7 PD8 ID0 ID1
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
0
0
1
1
1
1
1
1
0
1 = NC ， 0 =开车到VOL
PD引脚。 。 。缓冲。当/ PDE低， PD信息可被读
ID引脚。 。 。非缓冲
MIT-DS-0271-0.0
三菱
电
( 1 / 22 )
Oct.1.1998
初步规格。
三菱的LSI
MH16V725BATJ -5，-6
HYPER页模式1207959552 - BIT （ 16777216 - WORD 72 - BIT）动态RAM
引脚配置
PIN号
引脚名称
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
VSS
版权所有
版权所有
VCC
/WE0
/CAS0
版权所有
/RAS0
/OE0
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
A12
VCC
俄罗斯足协
俄罗斯足协
PIN号
引脚名称
VSS
/OE2
/RAS2
/CAS4
版权所有
/WE2
VCC
版权所有
版权所有
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
DQ24
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VSS
PD1
PD3
PD5
PD7
ID0
VCC
PIN号
引脚名称
VSS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VCC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
VSS
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
VCC
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
VSS
版权所有
版权所有
VCC
俄罗斯足协
版权所有
版权所有
版权所有
俄罗斯足协
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
A11
版权所有
VCC
俄罗斯足协
B0
PIN号
引脚名称
VSS
俄罗斯足协
版权所有
版权所有
版权所有
/ PDE
VCC
版权所有
版权所有
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
VCC
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
VSS
PD2
PD4
PD6
PD8
ID1
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
保留：保留使用
RFU ：保留供以后使用
MIT-DS-0271-0.0
三菱
电
( 2 / 22 )
Oct.1.1998
初步规格。
三菱的LSI
MH16V725BATJ -5，-6
HYPER页模式1207959552 - BIT （ 16777216 - WORD 72 - BIT）动态RAM
框图
/RAS0
/CAS0
/WE0
/OE0
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/RAS2
/CAS4
/WE2
/OE2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
引脚名称
/ RAS0 ， / RAS2
/ CAS0 ， / CAS2
/ WE0 ， / WE2
/ OE0 ， / OE2
A0 A12 ， B0
DQ0~DQ71
VCC
VSS
/ OE
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
M5M467405B
D1
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D10
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D2
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D11
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D3
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D12
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D4
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D13
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D5
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D14
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D6
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D15
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D7
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D16
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D8
/ OE
/W
/ CAS
M5M467405B
D17
/ OE
/W
/ CAS
/ RAS
DQ1
~DQ4
/ RAS
DQ1
~DQ4
M5M467405B
D9
M5M467405B
D18
A0
B0
A1~A12
MIT-DS-0271-0.0
D1~D9
D10~D18
D1~D18
VCC
VSS
C
1
.~C
20
..
D1~D18
&输入缓冲器
功能
行地址选通输入
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
地址输入
数据I / O
电源
地
三菱
电
( 3 / 22 )
Oct.1.1998
初步规格。
三菱的LSI
MH16V725BATJ -5，-6
HYPER页模式1207959552 - BIT （ 16777216 - WORD 72 - BIT）动态RAM
功能
该MH16V725BATJ提供，除了正常
读，写和读 - 修改 - 写操作，
一些其他的功能，例如，超级页面方式， / CAS
前/ RAS刷新，延迟写。输入条件
每个示于表1中。
表1输入条件为每个模式
/ RAS
法案
读
法案
写（早期写）
法案
写（延迟写入）
法案
读 - 修改 - 写
法案
隐藏刷新
/ CAS前/ RAS刷新ACT
NAC
待机
手术
/ CAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
DNC
输入
/W
/ OE
NAC
法案
法案
DNC
法案
DNC
法案
法案
DNC
法案
NAC
DNC
DNC
DNC
输入/输出
ROW
COLUMN
地址地址
APD
APD
APD
APD
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
输入
OPN
VLD
VLD
VLD
OPN
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
IVD
VLD
VLD
OPN
OPN
刷新
NO
NO
NO
NO
是的
是的
NO
备注
超页
模式
相同
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
MIT-DS-0271-0.0
三菱
电
( 4 / 22 )
Oct.1.1998
初步规格。
三菱的LSI
MH16V725BATJ -5，-6
HYPER页模式1207959552 - BIT （ 16777216 - WORD 72 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
VI
VO
IO
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于VSS
评级
-0.5~4.6
-0.5~ 4.6
-0.5~ 4.6
50
21.6
0~70
-40~100
单位
V
mA
W
°C
°C
Ta=25°C
推荐工作条件
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
参数
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低电平输入电压
民
3.0
0
2.0
-0.3
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明） （注1）
范围
喃
3.3
0
最大
3.6
0
Vcc+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
注1：所有的电压值是相对于VSS
电气特性
符号
VOH
VOL
IOZ
II
我本人（RAS）的
参数
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ，除非另有说明） （注2 ）
测试条件
IOH=-2mA
IOL=2mA
Q浮动0V≤VOUT≤Vcc
0V≤VIN≤Vcc + 0.3 ，其他输入引脚= 0V
0V≤VIN≤Vcc + 0.3 ，其他输入引脚= 0V
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流（除/ RAS ）
输入电流（ / RAS ）
平均供应
ICC1 （ AV ）电流
从Vcc操作（注3,4,5）
ICC2
从Vcc电源电流，待机
民
2.4
0
-10
-10
-90
范围
TYP MAX
VCC
0.4
10
10
90
1820
1640
38
29
1820
1640
2360
2180
单位
V
V
uA
uA
uA
mA
-5
-6
/ RAS ， / CAS自行车
的tRC = TWC =分钟。
输出开路
/ RAS = / CAS = VIH ，输出开路
/ RAS = / CAS = / WE
-vcc
-0.2 ，输出开路
mA
mA
平均电源电流
ICC4 （AV）从Vcc
超页模式（注3,4,5）
从VCC平均电源电流
ICC6 （ AV） / CAS前/ RAS刷新模式
（注3）
-5
-6
-5
-6
/ RAS = VIL ， / CAS骑自行车
TPC =分钟。
输出开路
/ CAS前/ RAS刷新循环
的tRC =分钟。
输出开路
mA
注2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3 ： ICC1 （ AV ） ， ICC 3 （ AV ） ， ICC4 （ AV）和Icc6 （ AV）都依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4： ICC1 （AV）和ICC4 （AV）是依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5 ：在colmun地址的条件被改变一次或更少，而/ RAS = VIL和/ CAS = VIH
电容
符号
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V +/- 0.3V ， VSS = 0V ，除非另有说明）
参数
测试条件
VI = VSS
f=1MHZ
Vi=25mVrms
民
CI （ / RAS ）输入电容， / RAS输入
CI
输入电容，除了/ RAS输入
C（ DQ ）
输入/输出电容， DATA
范围
TYP MAX
80
15
18
单位
pF
pF
pF
MIT-DS-0271-0.0
三菱
电
( 5 / 22 )
Oct.1.1998
QQ：2880707522 复制
