初步规格。
规格如有
更改，恕不另行通知。
三菱的LSI
MH16V644AWJ -5，-6
快速页模式1073741824 - BIT （ 16777216 - WORD 64 - BIT）动态RAM
引脚配置
描述
该MH16V644AWJ为16777216字×64位动态
内存模块。这包括16行业标准16M
在SOJ ×4动态RAM和一个行业标准
EEPROM的TSSOP封装。
SOJs的卡上的双重优势的安装和TSSOP
列直插式封装提供了任何应用程序，其中高
密度和大的数量时存储器是必需的。
这是一个插座式存储器模块，适合于容易
交换或增加模块。
85pin
94pin
95pin
1pin
10pin
11pin
特点
型号名称
MH16V644AWJ-5
MH16V644AWJ-6
/ RAS
/ CAS地址/ OE
访问访问访问访问
时间
时间
时间
时间
周期
时间
动力
耗散
（ typ.W ）
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ）
50
60
13
15
25
30
13
15
90
110
6.24
5.20
采用业界标准的16M ×4的RAM在SOJ和行业
采用TSSOP标准EEPROM
168针（ 84针的双双列直插式封装）
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源供电
低待机功耗
17.28mW （最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 LVCMOS输入电平
低操作功耗
MH16V64AWJ -5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.49W （最大）
MH16V64AWJ -6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.92W （最大）
所有的输入都是直接LVTTL兼容
所有输出三态，直接LVTTL兼容
包括（ 0.22uF ×16 ）的去耦电容
4096刷新周期每64毫秒
快页模式下，读 - 修改 - 写，
/ CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新功能
镀金触点垫
124pin
背面
125pin
40pin
正面
41pin
行地址
A0 ~ A11
列地址A0 A11
168pin
84pin
应用
计算机主存储器单元，微机存储器
MIT-DS-0122-0.0
三菱
电
( 1 / 20 )
26/Feb./1997
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三菱的LSI
MH16V644AWJ -5，-6
快速页模式1073741824 - BIT （ 16777216 - WORD 64 - BIT）动态RAM
PIN号
引脚配置
PIN号
引脚名称
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
NC
NC
VSS
NC
NC
VCC
/WE0
/CAS0
/CAS1
/RAS0
/OE0
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
NC
VCC
VCC
DU
引脚名称
VSS
/OE2
/RAS2
/CAS2
/CAS3
/WE2
VCC
NC
NC
NC
NC
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
DU
NC
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
NC
NC
NC
SDA
SCL
VCC
PIN号
引脚名称
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
NC
NC
VSS
NC
NC
VCC
DU
/CAS4
/CAS5
NC
DU
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
A11
NC
VCC
DU
DU
PIN号
引脚名称
VSS
DU
NC
/CAS6
/CAS7
DU
VCC
NC
NC
NC
NC
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
DU
NC
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
NC
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
NC ：无连接
杜：不使用
MIT-DS-0122-0.0
三菱
电
( 2 / 20 )
26/Feb./1997
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三菱的LSI
MH16V644AWJ -5，-6
快速页模式1073741824 - BIT （ 16777216 - WORD 64 - BIT）动态RAM
/RAS2
/WE2
/OE2
框图
/RAS0
/WE0
/OE0
/ OE
/CAS0
/W
D1
/ RAS
M5M465400AJ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
/ OE
/CAS4
/W
M5M465400AJ
D9
/ RAS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
/ OE
/W
/ RAS
M5M465400AJ
D2
/ OE
/CAS1
/W
/ RAS
/ OE
/W
/ RAS
M5M465400AJ
D10
/ OE
/CAS5
/W
M5M465400AJ
D11
/ RAS
M5M465400AJ
D3
/ OE
/W
D4
/ OE
/W
/ RAS
M5M465400AJ
D5
/ OE
/W
D6
D1
/ OE
/W
/ RAS
/ RAS
/ RAS
/ OE
/W
M5M465400AJ
D12
/ RAS
M5M465400AJ
/ OE
/CAS6
/CAS2
/W
/ RAS
M5M465400AJ
D13
/ OE
/W
M5M465400AJ
D14
/ RAS
M5M4V17405CJ
M5M465400AJ
/ OE
/CAS7
/W
M5M465400AJ
D15
/ RAS
/CAS3
M5M465400AJ
D7
/ OE
/W
/ RAS
M5M465400AJ
D8
/ OE
/W
/ RAS
M5M465400AJ
D16
A0 ~ A11
VCC
C1 . .C16
.~
VSS
MIT-DS-0122-0.0
D1 ~ D16
SCL
D1 ~ D16
SA0 SA1 SA2
EEPROM
A0 A1 A2
SDA
三菱
电
( 3 / 20 )
26/Feb./1997
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三菱的LSI
MH16V644AWJ -5，-6
快速页模式1073741824 - BIT （ 16777216 - WORD 64 - BIT）动态RAM
串行存在检测表
字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
函数来描述
定义写入字节数为串行内存模块MFGR
总字节数SPD内存设备的
基本内存类型
在本届大会＃行地址
在本届大会＃列地址
在本次大会＃模块银行
本次大会的数据宽度...
...数据宽度延续
本届大会的电压接口标准
本次大会的RAS ＃访问时间
-5
-6
10
本届大会CAS ＃访问时间
-5
-6
11
12
13
14
15-31
32-61
62
63
DIMM配置类型（无奇偶校验，奇偶校验， ECC ）
刷新率/类型
DRAM的宽度，主要DRAM
错误检查DRAM数据宽度
保留为将来之祭
（可能在将来使用）超内存类型
SPD数据进行修订的代码
校验和字节0-62
SPD条目数据
128
256字节
FPM DRAM
A0-A11
A0-A11
1bank
x64
0
3.3V LVTTL
50ns
60ns
13ns
15ns
非奇偶校验
N/R(15.625uS)
x4
不适用
开放
开放
REV 1
检查总和-5
检查总和-6
64-71
72
每JEP - 106厂家JEDEC的ID代码
生产地点
三菱
三好，日本
田岛，日本
NC ， USA
德国
73-90
制造商零件编号
SPD数据录入（十六进制）
80
08
01
0C
0C
01
40
00
02
32
3C
0D
0F
00
00
04
00
00
00
01
28
34
1CFFFFFFFFFFFFFF
01
02
03
04
MH16V644AWJ - 5 4D4831365636343441574A2D352D352020202020
MH16V644AWJ - 6 4D4831365636343441574A2D362D362020202020
91-92
93-94
95-98
99-125
126-127
128-255
修改代码
生产日期
装配序列号
制造商的具体数据
版权所有
打开用户自由格式区域没有定义
PCB版本
年/星期代码
编号
开放
开放
开放
rrrr
YY / WW
ssssssss
00
00
00
MIT-DS-0122-0.0
三菱
电
( 4 / 20 )
26/Feb./1997
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三菱的LSI
MH16V644AWJ -5，-6
快速页模式1073741824 - BIT （ 16777216 - WORD 64 - BIT）动态RAM
一些其他的功能，例如， FSAT页模式，
/ CAS前/ RAS刷新，延迟写。该
输入条件为每个列于表1中。
功能
该MH16V644AWJ提供，除了正常
读，写和读 - 修改 - 写操作，
表1输入条件为每个模式
手术
读
写（早期写）
写（延迟写入）
读 - 修改 - 写
隐藏刷新
/ CAS前/ RAS刷新
待机
/ RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
/ CAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
DNC
输入
/W
/ OE
NAC
法案
法案
DNC
法案
DNC
法案
法案
DNC
法案
NAC
DNC
DNC
DNC
ROW
地址
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
COLUMN
地址
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
输入/输出
刷新
输入
产量
OPN
VLD
是的
VLD
OPN
是的
VLD
IVD
是的
VLD
VLD
是的
OPN
VLD
是的
DNC
OPN
是的
DNC
OPN
NO
备注
快速页
模式
相同
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
MIT-DS-0122-0.0
三菱
电
( 5 / 20 )
26/Feb./1997
QQ：2881677436 复制
