MH1RT QualPack

资质包

盖茨MH1RT海

耐辐射0.35微米CMOS

盖茨MH1RT海

0.35微米CMOS的空间环境

QualPack

Rev.2号文件 - 2002年1月

1

MH1RT QualPack

1.目录

1.

2.

3.

目录................................................................................................................................................ 2

一般信息........................................................................................................................................... 3

科技资讯.................................................................................................................................... 4

3.1

3.2

3.3

4.

4.1

4.2

晶圆制程技术........................................................................................................................ 4

产品设计...........................................................................................................................................五

交Section............................................................................................................................................... 6

资质方法论........................................................................................................................ 7

资格测试方法......................................................................................................................... 8

Qualification........................................................................................................................................................ 7

4.3

晶圆工艺Qualification...................................................................................................................... 9

4.3.1

晶圆级Reliability....................................................................................................................... 9

4.3.2

热载流子的资格....................................................................................................................... 9

4.3.3

Electromigration................................................................................................................................. 10

4.3.4

产品可靠性Results................................................................................................................. 12

4.4

产品Qualification............................................................................................................................... 13

4.4.1

设备reliability................................................................................................................................ 13

4.4.2

包装可靠性......................................................................................................................... 14

4.5

资格状态： ................................................................................................................................. 14

4.6

Irradiation................................................................................................................................................. 15

4.6.1

条件和年表............................................................................................................... 15

4.6.2

Results................................................................................................................................................ 16

4.6.3

照射汇总........................................................................................................................... 16

4.6.4

辐射测试records........................................................................................................................ 17

5.

6.

环境的Information.............................................................................................................................. 20

其他数据......................................................................................................................................................... 21

6.1

6.2

ISO9001和QS900证书............................................................................................................ 21

数据手册Reference................................................................................................................................ 22

2

第2版 - 2002年1月

MH1RT QualPack

2.一般信息

产品名称：

功能：

MH1RT

盖茨的ASIC海

160万门， 596引脚

200拉德总剂量能力

CMOS 0.35

米拉德宽容， 4金属水平

PQFP ， PowerQuad ，L / TQFP ， PLCC ， PBGA ，超级PBGA

CPGA ， CQFP ， MQFPF ， CLGA

晶圆工艺：

可用封装类型

其他形式：模具，晶圆

地点：

工艺开发

产品开发

晶片厂

质量责任

探针测试

装配

最终测试

很多发布

发货控制

质量保证

可靠性测试

故障分析

爱特梅尔法国Rousset

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国Rousset

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国格勒诺布尔（除塑料）

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

质量管理

爱特梅尔法国南特

签名：帕斯卡LECUYER

Rev.2号文件 - 2002年1月

3

MH1RT QualPack

3.技术信息

3.1晶圆制程技术

流程类型（名称） ：

CMOS 0.35

米拉德宽容

基础材料：

硅外延衬底

硅片厚度（不含背磨） 725

m

晶圆直径

200mm

口罩数量

栅氧化层

材料

厚度

15

二氧化硅

70A （光的3.3V ）

多晶硅

层数

厚度

金属

层数

材质：

层厚度的1/3

上层厚度

钝化

材料

厚度

1

3200A

最多4个

Ti

TIN

铝铜

400A + 800A + 5000A + 100A +钛TiN的1000A

400A + 800A + 8000A + 250A的TiN

SiO2/Si3N4

11000A / 10000A

4

第2版 - 2002年1月

MH1RT QualPack

3.2产品设计

垫尺寸开幕

逻辑有效沟道长度

多晶硅栅宽

多晶硅栅间距

金属1

金属1

金属2

金属2

金属3

金属3

金属4

金属4

宽度

间距

宽度

间距

宽度

间距

宽度

间距

80

m * 100

m

0.35

m

0.35

m

0.49

m

0.42

m

0.49

m

0.56

m

0.49

m

0.56

m

0.49

m

0.56

m

0.49

m

0.35

m

0.49

m

0.42

m

0.42

m

联系尺码

触点间距

通过1大小

通过2个尺寸

测试车辆：

芯片尺寸：

焊盘尺寸

代码：

面膜：

金属水平数：

芯片尺寸：

焊盘尺寸

代码：

面膜：

金属水平数：

芯片尺寸：

焊盘尺寸

代码：

面膜：

金属水平数：

5280*8130 (42.9mm)

80

m * 100

m

EV29

A5500

3

13097*13097 (169.78mm)

80

m * 100

m

DRAF （ MH242S ）

A5544

4

6601*6601 (30.9mm)

90

m * 90

m

65809E

A5552

3

Rev.2号文件 - 2002年1月

5

MH1RT QualPack

资质包

盖茨MH1RT海

耐辐射0.35微米CMOS

盖茨MH1RT海

0.35微米CMOS的空间环境

QualPack

Rev.2号文件 - 2002年1月

1

MH1RT QualPack

1.目录

1.

2.

3.

目录................................................................................................................................................ 2

一般信息........................................................................................................................................... 3

科技资讯.................................................................................................................................... 4

3.1

3.2

3.3

4.

4.1

4.2

晶圆制程技术........................................................................................................................ 4

产品设计...........................................................................................................................................五

交Section............................................................................................................................................... 6

资质方法论........................................................................................................................ 7

资格测试方法......................................................................................................................... 8

Qualification........................................................................................................................................................ 7

4.3

晶圆工艺Qualification...................................................................................................................... 9

4.3.1

晶圆级Reliability....................................................................................................................... 9

4.3.2

热载流子的资格....................................................................................................................... 9

4.3.3

Electromigration................................................................................................................................. 10

4.3.4

产品可靠性Results................................................................................................................. 12

4.4

产品Qualification............................................................................................................................... 13

4.4.1

设备reliability................................................................................................................................ 13

4.4.2

包装可靠性......................................................................................................................... 14

4.5

资格状态： ................................................................................................................................. 14

4.6

Irradiation................................................................................................................................................. 15

4.6.1

条件和年表............................................................................................................... 15

4.6.2

Results................................................................................................................................................ 16

4.6.3

照射汇总........................................................................................................................... 16

4.6.4

辐射测试records........................................................................................................................ 17

5.

6.

环境的Information.............................................................................................................................. 20

其他数据......................................................................................................................................................... 21

6.1

6.2

ISO9001和QS900证书............................................................................................................ 21

数据手册Reference................................................................................................................................ 22

2

第2版 - 2002年1月

MH1RT QualPack

2.一般信息

产品名称：

功能：

MH1RT

盖茨的ASIC海

160万门， 596引脚

200拉德总剂量能力

CMOS 0.35

米拉德宽容， 4金属水平

PQFP ， PowerQuad ，L / TQFP ， PLCC ， PBGA ，超级PBGA

CPGA ， CQFP ， MQFPF ， CLGA

晶圆工艺：

可用封装类型

其他形式：模具，晶圆

地点：

工艺开发

产品开发

晶片厂

质量责任

探针测试

装配

最终测试

很多发布

发货控制

质量保证

可靠性测试

故障分析

爱特梅尔法国Rousset

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国Rousset

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国格勒诺布尔（除塑料）

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔法国南特

质量管理

爱特梅尔法国南特

签名：帕斯卡LECUYER

Rev.2号文件 - 2002年1月

3

MH1RT QualPack

3.技术信息

3.1晶圆制程技术

流程类型（名称） ：

CMOS 0.35

米拉德宽容

基础材料：

硅外延衬底

硅片厚度（不含背磨） 725

m

晶圆直径

200mm

口罩数量

栅氧化层

材料

厚度

15

二氧化硅

70A （光的3.3V ）

多晶硅

层数

厚度

金属

层数

材质：

层厚度的1/3

上层厚度

钝化

材料

厚度

1

3200A

最多4个

Ti

TIN

铝铜

400A + 800A + 5000A + 100A +钛TiN的1000A

400A + 800A + 8000A + 250A的TiN

SiO2/Si3N4

11000A / 10000A

4

第2版 - 2002年1月

MH1RT QualPack

3.2产品设计

垫尺寸开幕

逻辑有效沟道长度

多晶硅栅宽

多晶硅栅间距

金属1

金属1

金属2

金属2

金属3

金属3

金属4

金属4

宽度

间距

宽度

间距

宽度

间距

宽度

间距

80

m * 100

m

0.35

m

0.35

m

0.49

m

0.42

m

0.49

m

0.56

m

0.49

m

0.56

m

0.49

m

0.56

m

0.49

m

0.35

m

0.49

m

0.42

m

0.42

m

联系尺码

触点间距

通过1大小

通过2个尺寸

测试车辆：

芯片尺寸：

焊盘尺寸

代码：

面膜：

金属水平数：

芯片尺寸：

焊盘尺寸

代码：

面膜：

金属水平数：

芯片尺寸：

焊盘尺寸

代码：

面膜：

金属水平数：

5280*8130 (42.9mm)

80

m * 100

m

EV29

A5500

3

13097*13097 (169.78mm)

80

m * 100

m

DRAF （ MH242S ）

A5544

4

6601*6601 (30.9mm)

90

m * 90

m

65809E

A5552

3

Rev.2号文件 - 2002年1月

5