摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MGY20N120D / D
数据表
绝缘栅双极晶体管
与反并联二极管
设计师
MGY20N120D
摩托罗拉的首选设备
N沟道增强型硅栅
此绝缘栅双极晶体管（IGBT ）是共同封装
用软恢复超快整流器和采用了先进的
终止方案，以提供更完善，更可靠的高
电压阻断能力。短路额定IGBT的是specifical-
LY适合需要保证短路的应用
经受住时间考验，如电机控制驱动器。快速开关
特性导致在高频下高效运行。
共同封装的IGBT的节省空间，减少组装时间和成本。
行业标准的高功率TO- 264封装（ TO- 3PBL ）
高速的Eoff ： 160
m
每个放大器的典型在125°C
高短路能力 - 10
m
的最低
软恢复续流二极管包含在套餐
强大的高压端子
强大的RBSOA
IGBT &二极管TO- 264
20 A @ 90℃
28 A @ 25℃
1200伏
额定短路
C
G
C
E
G
E
CASE 340G -02
风格5
TO–264
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压（ RGE = 1.0 MΩ ）
极 - 发射极电压 - 连续
连续集电极电流 - @ TC = 25°C
- 连续@ TC = 90℃
- 重复脉冲电流（1）
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
短路承受时间
（ VCC = 720伏， VGE = 15V直流电， TJ = 125°C ， RG = 20
)
热阻 - 结到外壳 - IGBT
- 结到外壳 - 二极管
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
（1）脉冲宽度由最大结点温度的限制。重复评价。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
符号
VCES
VCGR
VGE
IC25
IC90
ICM
PD
TJ ， TSTG
TSC
R
θJC
R
θJC
R
θJA
TL
价值
1200
1200
±20
28
20
56
174
1.39
- 55 150
10
0.7
1.1
35
260
10磅
S
在（ 1.13
S
m)
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
m
s
° C / W
°C
设计师的是Motorola，Inc.的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉IGBT器件
摩托罗拉1997年公司
数据
1
MGY20N120D
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ VGE = 0伏， IC = 25
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压集电极电流
（ VCE = 1200伏， VGE = 0伏）
（ VCE = 1200伏， VGE = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGE =
±
20伏直流电， VCE = 0伏）
基本特征（ 1 ）
集电极 - 发射极通态电压
（ VGE = 15 VDC ， IC = 10 ADC）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 10位ADC ， TJ = 125°C ）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 20 ADC）
栅极阈值电压
（ VCE = VGE ， IC = 1.0 MADC ）
阈值温度系数（负）
正向跨导（ VCE = 10 VDC ， IC = 20 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 1 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
导通开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
导通开关损耗
总开关损耗
栅极电荷
（ VCC = 720伏IC = 20 ADC
VDC ，
ADC ，
VGE = 15 VDC ）
二极管的特性
二极管的正向压降
（ IEC = 10 ADC）
（ IEC = 10位ADC ， TJ = 125°C ）
（ IEC = 20 ADC）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
VFEC
—
—
—
2.92
1.73
3.67
3.59
—
4.57
（续）
VDC
（ VCC = 720 Vd的IC = 20广告
VDC ，
ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
Vd
RG = 20
,
TJ = 125°C ）
125 C)
能源损失包括“尾巴”
（ VCC = 720 Vd的IC = 20广告
VDC ，
ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
Vd
RG = 20
)
能源损失包括“尾巴”
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
宙
ETS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
宙
ETS
QT
Q1
Q2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
88
103
190
284
1.65
2.42
4.07
83
107
216
494
3.19
4.26
7.45
63
20
27
—
—
—
—
2.75
3.75
6.50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nC
mJ
ns
mJ
ns
（ VCE = 25伏直流电， VGE = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
—
—
—
1876
208
31
—
—
—
pF
的VCE（on ）
—
—
—
VGE （ TH）
4.0
—
GFE
—
6.0
10
12
8.0
—
—
2.42
2.36
2.90
3.54
—
4.99
VDC
毫伏/°C的
姆欧
VDC
V（ BR ） CES
1200
—
冰
—
—
IGES
—
—
—
—
100
2500
250
NADC
—
870
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
2
摩托罗拉IGBT器件数据
MGY20N120D
电气特性 - 续
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
二极管的特性 - 续
反向恢复时间
(
（ IF = 20 ADC ， VR = 720 VD，
广告，
VDC ，
DIF / DT = 150 A / μs）内
反向恢复电荷存储
反向恢复时间
(
（ IF = 20 ADC ， VR = 720 VD，
广告，
VDC ，
DIF / DT = 150 A / μs的， TJ = 125°C ）
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内置发射器电感
（测量从发射极引线0.25“从包到发射极焊盘）
LE
—
13
—
nH
TRR
ta
tb
QRR
TRR
ta
tb
QRR
—
—
—
—
—
—
—
—
114
74
40
0.68
224
149
75
2.40
—
—
—
—
—
—
—
—
C
C
ns
ns
符号
民
典型值
最大
单位
典型电气特性
60
TJ = 25°C
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
40
12.5 V
30
20
10
0
10 V
VGE = 20 V
17.5 V
60
IC ，集电极电流（ AMPS ）
15 V
TJ = 125°C
50
40
12.5 V
30
20
10
0
10 V
VGE = 20 V
17.5 V
15 V
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图1.输出特性
60
IC ，集电极电流（ AMPS ）
VCE = 10 V
250
s
脉冲宽度
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
4
图2.输出特性
VGE = 15 V
250
s
脉冲宽度
IC = 20 A
3
15 A
10 A
2
40
20
TJ = 125°C
25°C
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
1
– 50
0
50
100
150
VGE ，栅极 - 发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图3.传输特性
图4.集电极 - 发射极饱和
电压与结温
摩托罗拉IGBT器件数据
3
MGY20N120D
IF ，正向电流（安培）
40
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
30
TJ = 125°C
20
25°C
10
10
1
VGE = 15 V
RGE = 20
TJ = 125°C
1
10
100
1000
10,000
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
0
0.1
0
1
2
3
4
5
VFEC ，发射极 - 集电极电压（伏）
图10.二极管的正向电压降
图11.反向偏置
安全工作区
1.0
D = 0.5
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
T，时间（S ）
1.0E–01
t1
P（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
1.0E+00
1.0E+01
图12.热响应
摩托罗拉IGBT器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MGY20N120D / D
数据表
绝缘栅双极晶体管
与反并联二极管
设计师
MGY20N120D
摩托罗拉的首选设备
N沟道增强型硅栅
此绝缘栅双极晶体管（IGBT ）是共同封装
用软恢复超快整流器和采用了先进的
终止方案，以提供更完善，更可靠的高
电压阻断能力。短路额定IGBT的是specifi-
美云适用于要求有保证的短路应用
经受住时间考验，如电机控制驱动器。快速开关
特性导致在高频下高效运行。
共同封装的IGBT的节省空间，减少组装时间和成本。
行业标准的高功率TO- 264封装（ TO- 3PBL ）
高速的Eoff ： 160
m
每个放大器的典型在125°C
高短路能力 - 10
m
的最低
软恢复续流二极管包含在套餐
强大的高压端子
强大的RBSOA
C
IGBT &二极管TO- 264
20 A @ 90℃
28 A @ 25℃
1200伏
额定短路
G
G
E
C
E
CASE 340G - 02型5
TO–264
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压（ RGE = 1.0 MΩ ）
极 - 发射极电压 - 连续
连续集电极电流 - @ TC = 25°C
- 连续@ TC = 90℃
- 重复脉冲电流（1）
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
短路承受时间
（ VCC = 720伏， VGE = 15V直流电， TJ = 125°C ， RG = 20
)
热阻 - 结到外壳 - IGBT
- 结到外壳 - 二极管
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
（1）脉冲宽度由最大结点温度的限制。重复评价。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
符号
VCES
VCGR
VGE
IC25
IC90
ICM
PD
TJ ， TSTG
TSC
R
θJC
R
θJC
R
θJA
TL
价值
1200
1200
±20
28
20
56
174
1.39
- 55 150
10
0.7
1.1
35
260
10磅
S
在（ 1.13
S
m)
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
m
s
° C / W
°C
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1996年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MGY20N120D
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ VGE = 0伏， IC = 25
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压集电极电流
（ VCE = 1200伏， VGE = 0伏）
（ VCE = 1200伏， VGE = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGE =
±
20伏直流电， VCE = 0伏）
基本特征（ 1 ）
集电极 - 发射极通态电压
（ VGE = 15 VDC ， IC = 10 ADC）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 10位ADC ， TJ = 125°C ）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 20 ADC）
栅极阈值电压
（ VCE = VGE ， IC = 1.0 MADC ）
阈值温度系数（负）
正向跨导（ VCE = 10 VDC ， IC = 20 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 1 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
导通开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
导通开关损耗
总开关损耗
栅极电荷
（ VCC = 720伏， IC = 20 ADC ，
VGE = 15 VDC ）
二极管的特性
二极管的正向压降
（ IEC = 10 ADC）
（ IEC = 10位ADC ， TJ = 125°C ）
（ IEC = 20 ADC）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
VFEC
—
—
—
2.92
1.73
3.67
3.59
—
4.57
（续）
VDC
（ VCC = 720伏， IC = 20 ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
RG = 20
,
TJ = 125°C ）
能源损失包括“尾巴”
（ VCC = 720伏， IC = 20 ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
RG = 20
,
TJ = 25 ° C）
能源损失包括“尾巴”
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
宙
ETS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
宙
ETS
QT
Q1
Q2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
88
103
190
284
1.65
2.42
4.07
83
107
216
494
3.19
4.26
7.45
63
20
27
—
—
—
—
3.75
7.68
11.43
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nC
mJ
ns
mJ
ns
（ VCE = 25伏直流电， VGE = 0伏，
F = 1.0兆赫）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
—
—
—
1876
208
31
—
—
—
pF
的VCE（on ）
—
—
—
VGE （ TH）
4.0
—
GFE
—
6.0
10
12
8.0
—
—
3.00
2.36
2.90
3.54
—
4.99
VDC
毫伏/°C的
姆欧
VDC
BVces
1200
—
冰
—
—
IGES
—
—
—
—
100
2500
250
NADC
—
870
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MGY20N120D
电气特性 - 续
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
二极管的特性 - 续
反向恢复时间
（ IF = 20 ADC ， VR = 720伏，
DIF / DT = 150 A / μs）内
反向恢复电荷存储
反向恢复时间
（ IF = 20 ADC ， VR = 720伏，
DIF / DT = 150 A / μs的， TJ = 125°C ）
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内置发射器电感
（测量从发射极引线0.25“从包到发射极焊盘）
LE
—
13
—
nH
TRR
ta
tb
QRR
TRR
ta
tb
QRR
—
—
—
—
—
—
—
—
114
74
40
0.68
224
149
75
2.40
—
—
—
—
—
—
—
—
C
C
ns
ns
符号
民
典型值
最大
单位
典型电气特性
60
TJ = 25°C
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
40
12.5 V
30
20
10
0
10 V
VGE = 20 V
17.5 V
60
IC ，集电极电流（ AMPS ）
15 V
TJ = 125°C
50
40
12.5 V
30
20
10
0
10 V
VGE = 20 V
17.5 V
15 V
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图1.输出特性， TJ = 25°C
60
IC ，集电极电流（ AMPS ）
VCE = 10 V
250
s
脉冲宽度
TJ = 125°C
40
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
4
图2.输出特性， TJ = 125°C
VGE = 15 V
250
s
脉冲宽度
IC = 20 A
3
15 A
10 A
2
20
25°C
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
1
– 50
0
50
100
150
VGE ，栅极 - 发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图3.传输特性
图4.集电极 - 发射极饱和
电压与结温
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
我，正向电流（安培）
F
MGY20N120D
IC ，集电极 - 发射极电流（A ）
40
100
30
TJ = 125°C
20
TJ = 25°C
10
10
1
VGE = 15 V
RGE = 20
TJ = 125°C
1
10
100
1000
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
0
0
1
2
3
4
5
0.1
VFM ，正向压降（伏）
图10.最大正向压降随
正向电流
图11.反向偏置
安全工作区
1.0
D = 0.5
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
T，时间（S ）
1.0E–01
t1
P（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
1.0E+00
1.0E+01
图12.热响应
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
QQ：2881677436 复制
