摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MGSF3441VT1 / D
初步信息
MGSF3441VT1
摩托罗拉的首选设备
低RDS（ON ）小信号MOSFET
TMOS单P沟道
场效应晶体管
部分设备商Greenline 产品组合与能源
保护特性。
这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉公司的高
细胞密度， HDTMOS过程。低RDS（ON ） ，保证最小
功率损耗并节省能源，使该器件非常适用于使用
在小功率管理电路。典型的应用是
DC-DC转换器，电源管理在便携式和电池 -
供电的产品，如计算机，打印机，PCMCIA卡，
蜂窝和无绳电话。
低RDS（ON ） ，从而提高效率并延长电池寿命
微型TSOP 6表面贴装封装节省电路板空间
请访问我们的网站： http://www.mot-sps.com/ospd
4
P- CHANNEL
增强型
TMOS MOSFET
RDS（ON） = 78毫欧（典型值）
D
D
S
1 2 5 6
漏
D
D
G
CASE 318G -02 ，风格1
TSOP 6塑料
3
门
来源
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
漏电流
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25°C安装在FR4吨
工作和存储温度范围
热电阻 - 结到环境
最大的铅焊接温度的目的，持续10秒
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
20
±
8.0
3.3
20
2.0
- 55 150
128
260
单位
VDC
VDC
A
W
°C
° C / W
°C
5秒
订购信息
设备
MGSF3441VT1
MGSF3441VT3
带尺寸
7″
13″
胶带宽度
8毫米压纹带
8毫米压纹带
QUANTITY
3000
10,000
绿线是摩托罗拉公司的一个商标。
HDTMOS是Motorola公司的商标TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉
公司1997
摩托罗拉，
小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MGSF3441VT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 10
A)
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 70 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±
8.0伏， VDS = 0 ）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 4.5伏， ID = 3.3 A）
（ VGS = 2.5伏， ID = 2.9 A）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压（ 2 ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
IS
ISM
VSD
—
—
—
—
—
0.80
1.0
20
1.2
A
A
V
(
（ VDD = 15 VD， ID = 1 0 ，
VDC ，
1.0 A,
VGEN = 10 V ， RL = 10
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
—
—
—
—
—
27
17
52
45
3000
50
30
80
70
—
pC
ns
（ VDS = 5.0 V）
（ VDS = 5.0 V）
（ VDG = 5.0 V）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
90
50
10
—
—
—
pF
VGS （ TH）
0.45
RDS （ ON）
—
—
0.078
0.110
0.090
0.135
—
—
欧
VDC
V（ BR ） DSS
20
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
1.0
4.0
±100
NADC
—
—
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MGSF3441VT1
典型电气特性
20
TJ = 150℃
R DS （ ON） ，导通电阻（
W
)
IS ，源电流（ A）
10
TJ = 25°C
0.24
0.30
ID = 3.3
0.18
0.12
0.06
0
1.0
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
VSD ，源 - 漏极电压（V ）
0
2.0
4.0
6.0
8.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7.源极 - 漏极二极管正向电压
图8.导通电阻与
栅极 - 源极电压
0.4
0.3
V GS （ TH） ，方差（ V）
0.2
0.1
0
–0.1
–0.2
–50
20
16
功率（W）的
50
75
100
125
12
ID = 250
m
A
8.0
4.0
0
–25
0
25
150
0.01
0.1
1.0
时间（秒）
10
TJ ，温度（° C）
图9.阈值电压
图10.单脉冲电源
2.0
标准化的有效瞬态
热阻抗
1.0
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
30
t1
注意事项：
PDM
1.占空比D = T1 / T2
2.每单元基准=
2.
RthJA = 62.5 ° C / W
3. TJM - TA = PDMZthJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
t2
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗，结到环境
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MGSF3441VT1
对于采用TSOP- 6表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.094
2.4
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.074
1.9
0.037
0.95
0.028
0.7
0.039
1.0
英寸
mm
TSOP–6
TSOP - 6功耗
的TSOP- 6的功耗的函数
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的TSOP -6封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为2.0瓦。
PD =
150°C – 25°C
128°C/W
= 2.0瓦特
为TSOP -6封装的128 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板来实现的2.0瓦的功耗。有
其他的替代品，从实现更高的功率耗散
在TSOP -6封装。另一种替代方法是使用一个
陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
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