MGSF1P02LT1
首选设备
功率MOSFET
750毫安， 20伏
P沟道SOT- 23
这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（on ）保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
低RDS（ON ） ，从而提高效率并延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
工作和存储温度
范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
20
±
20
750
2000
400
- 55
150
300
260
mW
°C
° C / W
°C
1
2
3
http://onsemi.com
750毫安
20伏
RDS （ ON）= 350毫瓦
P- CHANNEL
3
单位
VDC
VDC
mA
1
2
记号
图
SOT–23
CASE 318
21风格
PC
W
W
=工作周
引脚分配
漏
3
1
2
门
来源
订购信息
设备
MGSF1P02LT1
MGSF1P02LT3
包
SOT–23
SOT–23
航运
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第3版
出版订单号：
MGSF1P02LT1/D
MGSF1P02LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 0.75 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷（参见图6）
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压（注2 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
IS
ISM
VSD
–
–
–
–
–
1.5
0.6
0.75
–
V
A
（ VDD = 15 VDC ， ID = 1.0 ADC ，
RL = 50
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
–
–
–
–
–
2.5
1.0
16
8.0
6000
–
–
–
–
–
pC
ns
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDG = 5.0伏）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
130
120
60
–
–
–
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
–
–
0.235
0.375
0.350
0.500
1.0
1.7
2.4
VDC
欧
V（ BR ） DSS
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
20
–
–
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
典型电气特性
1.5
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
1
1.5
2
2.5
-55°C
TJ = 150℃
25°C
1.5
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1.25
1
3.0 V
VDS = 10V
VGS = 3.5 V
3.25 V
0.75
0.5
2.75 V
2.5 V
2.25 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.25
3.5
0
3
VGS ，栅极至源极电压（伏）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图1.传热特性
图2.区域特征
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2
MGSF1P02LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度， TA 。使用所提供的数据的值
片的SOT-23封装， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下是416毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
300°C/W
= 416毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
为SOT- 23封装的300 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现416的功耗
毫瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热Cladt 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
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4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MGSF1P02LT1 / D
MGSF1P02LT1
摩托罗拉的首选设备
低RDS（ON ）小信号MOSFET
TMOS单P沟道
场效应晶体管
部分设备商Greenline 产品组合与能源
保护特性。
这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉的
高细胞密度， HDTMOS过程。低RDS（ON ）保证
最小的功率损耗并节省能源，使该装置
非常适用于空间敏感的电源管理电路使用。
典型的应用是DC-DC转换器和电源管理
精神疾病在便携式和电池供电产品，如
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳
电话。
低RDS（ON ）提供更高的效率和延长电池
生活
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
P- CHANNEL
增强型
TMOS MOSFET
3
3漏
1
2
1
门
2 SOURCE
CASE 318-08 ，风格21
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
漏电流
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
工作和存储温度范围
热电阻 - 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
20
±
20
750
2000
225
- 55 150
625
260
单位
VDC
VDC
mA
mW
°C
° C / W
°C
订购信息
设备
MGSF1P02LT1
MGSF1P02LT3
带尺寸
7″
13″
胶带宽度
8毫米压纹带
8毫米压纹带
QUANTITY
3000
10,000
绿线是摩托罗拉公司的一个商标。
HDTMOS是Motorola公司的商标TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉
公司1996年
摩托罗拉，
小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MGSF1P02LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏）
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 0.75 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷（参见图6）
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压（ 2 ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
IS
ISM
VSD
—
—
—
—
—
1.5
0.6
0.75
—
V
A
（ VDD = 15 VDC ， ID = 1.0 ADC ，
RL = 50
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
—
—
—
—
—
2.5
1.0
16
8.0
6000
—
—
—
—
—
pC
ns
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDG = 5.0伏）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
100
90
40
—
—
—
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
—
—
0.235
0.375
0.350
0.500
1.0
1.7
2.4
VDC
欧
V（ BR ） DSS
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
1.0
10
±100
NADC
20
—
—
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
典型电气特性
1.5
VDS = 10V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
– 55°C
TJ = 150℃
1.25
1
3.0 V
1.5
VGS = 3.5 V
3.25 V
0.75
0.5
2.75 V
2.5 V
2.25 V
25°C
0.25
0
1
1.5
2
2.5
3
VGS ，栅极至源极电压（伏）
3.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图1.传热特性
图2.区域特征
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MGSF1P02LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
QQ：2880707522 复制
