MGSF1N03LT1
首选设备
功率MOSFET
30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23
这些微型表面贴装MOSFET的低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
静电放电能力（注3）
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
C = 100 pF的，
RS = 1500
W
P
D
I
DM
ESD
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.1
1.5
2.8
0.73
1.6
1.1
0.42
6.0
125
-55
150
2.1
260
W
A
V
°C
A
°C
N3
M
3
3
漏
1
2
N3
SOT23
CASE 318
21风格
M
2
来源
W
A
S
单位
V
V
A
G
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
80毫瓦@ 10 V
125毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
2.1 A
N沟道
D
标记图/
引脚分配
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
1
门
=具体设备守则
=日期代码
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨< 10秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
170
100
300
单位
° C / W
订购信息
设备
MGSF1N03LT1
MGSF1N03LT3
MGSF1N03LT3G
包
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
3. ESD额定值信息： HBM 0级。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 启示录7
出版订单号：
MGSF1N03LT1/D
MGSF1N03LT1
包装尺寸
SOT23
(TO236)
CASE 318-08
ISSUE AK
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，
新标准318-08 。
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MGSF1N03LT1/D
产品speci fi cation
MGSF1N03L ， MVGSF1N03L
功率MOSFET
30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
80毫瓦@ 10 V
125毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
2.1 A
这些微型表面贴装MOSFET的低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
特点
N沟道
D
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
MVGSF1N03LT1
这些器件是无铅和符合RoHS标准
参数
符号
V
DSS
V
GS
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
C = 100 pF的，
RS = 1500
W
P
D
I
DM
ESD
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
D
I
D
价值
30
±20
2.1
1.5
0.69
1.6
1.2
0.42
6.0
125
55
150
2.1
260
W
A
V
°C
A
°C
W
A
单位
V
V
A
1
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJL
功耗
R
qJL
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
ESD能力
（注3）
标记图/
引脚分配
3
漏
N3 M
G
G
1
门
2
来源
SOT23
CASE 318
21风格
N3
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT3G
MVGSF1N03LT1G
包
SOT23
无铅
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
10000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“案件从10秒）
热电阻额定值
参数
结到脚
稳定状态
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
吨< 10秒（注1 ）
结到环境
稳态（注2 ）
符号
R
qJL
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
180
300
250
400
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用650毫米
2
， 1盎司Cu焊盘尺寸。
2.表面安装上使用50毫米FR4板
2
， 1盎司Cu焊盘尺寸。
3. ESD额定值信息： HBM 0级。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
MGSF1N03L ， MVGSF1N03L
功率MOSFET
30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23
这些微型表面贴装MOSFET的低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
80毫瓦@ 10 V
125毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
2.1 A
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
MVGSF1N03LT1
这些器件是无铅和符合RoHS标准
参数
符号
V
DSS
V
GS
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
C = 100 pF的，
RS = 1500
W
P
D
I
DM
ESD
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
D
I
D
价值
30
±20
2.1
1.5
0.69
1.6
1.2
0.42
6.0
125
55
150
2.1
260
W
A
V
°C
A
°C
1
W
A
单位
V
V
A
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJL
功耗
R
qJL
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
ESD能力
（注3）
G
S
标记图/
引脚分配
3
漏
N3 M
G
G
1
门
2
来源
SOT23
CASE 318
21风格
N3
M
G
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“案件从10秒）
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
热电阻额定值
参数
结到脚
稳定状态
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
吨< 10秒（注1 ）
结到环境
稳态（注2 ）
符号
R
qJL
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
180
300
250
400
单位
° C / W
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT3G
MVGSF1N03LT1G
包
SOT23
无铅
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
10000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用650毫米
2
， 1盎司Cu焊盘尺寸。
2.表面安装上使用50毫米FR4板
2
， 1盎司Cu焊盘尺寸。
3. ESD额定值信息： HBM 0级。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
启示录10
1
出版订单号：
MGSF1N03LT1/D
MGSF1N03L ， MVGSF1N03L
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
ISSUE AP
D
SEE视图C
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ，
1982.
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模FLASH ，
突起，或毛刺。
MILLIMETERS
英寸
暗淡
民
喃
最大
民
喃
最大
A
0.89
1.00
1.11
0.035
0.040
0.044
A1
0.01
0.06
0.10
0.001
0.002
0.004
b
0.37
0.44
0.50
0.015
0.018
0.020
c
0.09
0.13
0.18
0.003
0.005
0.007
D
2.80
2.90
3.04
0.110
0.114
0.120
E
1.20
1.30
1.40
0.047
0.051
0.055
e
1.78
1.90
2.04
0.070
0.075
0.081
L
0.10
0.20
0.30
0.004
0.008
0.012
0.35
0.54
0.69
0.014
0.021
0.029
L1
H
E
2.10
2.40
2.64
0.083
0.094
0.104
q
0
°
10
°
0
°
10
°
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5817-1050
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MGSF1N03LT1/D
QQ：2880707522 复制
