MGSF1N02LT1
首选设备
功率MOSFET
750毫安， 20伏
N沟道SOT- 23
这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（on ）保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
低RDS（ON ） ，从而提高效率并延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
工作和存储温度
范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
20
±
20
750
2000
400
- 55
150
300
260
单位
VDC
VDC
1
mA
mW
°C
° C / W
°C
1
2
3
http://onsemi.com
750毫安
20伏
RDS （ ON）= 90毫瓦
N沟道
3
2
记号
图
SOT–23
CASE 318
21风格
N2
W
W
=工作周
引脚分配
漏
3
1
2
门
来源
订购信息
设备
MGSF1N02LT1
MGSF1N02LT3
包
SOT–23
SOT–23
航运
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第3版
出版订单号：
MGSF1N02LT1/D
MGSF1N02LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.2 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷（参见图6）
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压（注2 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
IS
ISM
VSD
–
–
–
–
–
0.8
0.6
0.75
–
V
A
（ VDD = 15 VDC ， ID = 1.0 ADC ，
RL = 50
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
–
–
–
–
–
2.5
1.0
16
8.0
6000
–
–
–
–
–
pC
ns
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDG = 5.0伏）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
125
120
45
–
–
–
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
–
–
0.075
0.115
0.090
0.130
1.0
1.7
2.4
VDC
欧
V（ BR ） DSS
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
20
–
–
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
典型电气特性
2.5
I D ，漏极电流（ AMPS ）
2
1.5
1
-55°C
TJ = 150℃
3
I D ，漏极电流（ AMPS ）
2.5
2
VGS = 3.0V，
1.5
1
0.5
3
3.5
0
2.75 V
2.5 V
2.25 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4V
3.5 V
3.25 V
VDS = 10V
0.5
0
25°C
1
1.5
2
2.5
VGS ，栅极至源极电压（伏）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图1.传热特性
图2.区域特征
http://onsemi.com
2
MGSF1N02LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度， TA 。使用所提供的数据的值
片的SOT-23封装， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下是416毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
300°C/W
= 416毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
为SOT- 23封装的300 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现416的功耗
毫瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热Cladt 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
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4
MGSF1N02LT1
首选设备
功率MOSFET
750毫安， 20伏
N沟道SOT- 23
这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（on ）保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
低RDS（ON ） ，从而提高效率并延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
工作和存储温度
范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
20
±
20
750
2000
400
- 55
150
300
260
单位
VDC
VDC
1
mA
mW
°C
° C / W
°C
1
2
3
http://onsemi.com
750毫安
20伏
RDS （ ON）= 90毫瓦
N沟道
3
2
记号
图
SOT–23
CASE 318
21风格
N2
W
W
=工作周
引脚分配
漏
3
1
2
门
来源
订购信息
设备
MGSF1N02LT1
MGSF1N02LT3
包
SOT–23
SOT–23
航运
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 第3版
出版订单号：
MGSF1N02LT1/D
MGSF1N02LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.2 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷（参见图6）
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压（注2 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
IS
ISM
VSD
–
–
–
–
–
0.8
0.6
0.75
–
V
A
（ VDD = 15 VDC ， ID = 1.0 ADC ，
RL = 50
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
–
–
–
–
–
2.5
1.0
16
8.0
6000
–
–
–
–
–
pC
ns
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDG = 5.0伏）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
125
120
45
–
–
–
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
–
–
0.075
0.115
0.090
0.130
1.0
1.7
2.4
VDC
欧
V（ BR ） DSS
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
20
–
–
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
典型电气特性
2.5
I D ，漏极电流（ AMPS ）
2
1.5
1
-55°C
TJ = 150℃
3
I D ，漏极电流（ AMPS ）
2.5
2
VGS = 3.0V，
1.5
1
0.5
3
3.5
0
2.75 V
2.5 V
2.25 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4V
3.5 V
3.25 V
VDS = 10V
0.5
0
25°C
1
1.5
2
2.5
VGS ，栅极至源极电压（伏）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图1.传热特性
图2.区域特征
http://onsemi.com
2
MGSF1N02LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度， TA 。使用所提供的数据的值
片的SOT-23封装， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下是416毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
300°C/W
= 416毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为25 °的环境温度TA ℃，
为SOT- 23封装的300 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现416的功耗
毫瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热Cladt 。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MGSF1N02LT1 / D
MGSF1N02LT1
摩托罗拉的首选设备
低RDS（ON ）小信号MOSFET
TMOS单N通道
场效应晶体管
部分设备商Greenline 产品组合与能源
保护特性。
这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉的
高细胞密度， HDTMOS过程。低RDS（ON ）保证
最小的功率损耗并节省能源，使该装置
非常适用于空间敏感的电源管理电路使用。
典型的应用是DC-DC转换器和电源管理
精神疾病在便携式和电池供电产品，如
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳
电话。
低RDS（ON ）提供更高的效率和延长电池
生活
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板
空间
N沟道
增强型
TMOS MOSFET
3
3漏
1
2
CASE 318-08 ，风格21
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
1
门
2 SOURCE
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
漏电流
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
工作和存储温度范围
热电阻 - 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
20
±
20
750
2000
225
- 55 150
625
260
单位
VDC
VDC
mA
mW
°C
° C / W
°C
订购信息
设备
MGSF1N02LT1
MGSF1N02LT3
带尺寸
7″
13″
胶带宽度
8毫米压纹带
8毫米压纹带
QUANTITY
3000
10,000
绿线是摩托罗拉公司的一个商标。
HDTMOS是Motorola公司的商标TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉
公司1996年
摩托罗拉，
小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MGSF1N02LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏）
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.2 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷（参见图6）
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压（ 2 ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
IS
ISM
VSD
—
—
—
—
—
0.8
0.6
0.75
—
V
A
（ VDD = 15 VDC ， ID = 1.0 ADC ，
RL = 50
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
—
—
—
—
—
2.5
1.0
16
8.0
6000
—
—
—
—
—
pC
ns
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDG = 5.0伏）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
100
90
40
—
—
—
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
—
—
0.075
0.115
0.085
0.125
1.0
1.7
2.4
VDC
欧
V（ BR ） DSS
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
1.0
10
±100
NADC
20
—
—
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
典型电气特性
2.5
VDS = 10V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
I D ，漏极电流（ AMPS ）
2
– 55°C
2.5
2
VGS = 3.0V，
1.5
1
0.5
0
2.75 V
2.5 V
2.25 V
3.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
3
4V
3.5 V
3.25 V
1.5
1
TJ = 150℃
0.5
25°C
0
1
1.5
2
2.5
3
VGS ，栅极至源极电压（伏）
VDS ，漏极至源极电压（伏）
图1.传热特性
图2.区域特征
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MGSF1N02LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MGSF1N02LT1
首选设备
功率MOSFET
750毫安， 20伏
N沟道SOT- 23
这些微型表面贴装MOSFET的低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
特点
http://onsemi.com
750毫安， 20伏
R
DS （ ON）
= 90毫瓦
N沟道
3
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包可用
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
热阻，结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
20
±
20
750
2000
400
- 55 150
300
260
单位
VDC
VDC
mA
mW
°C
° C / W
°C
1
SOT23
CASE 318
21风格
N2 M
G
G
1
门
2
来源
2
标记图/
引脚分配
3
漏
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
N2
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和横线可能会有所不同
根据生产地点。
订购信息
设备
MGSF1N02LT1
MGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT3
MGSF1N02LT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
SOT- 23万/磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第4版
出版订单号：
MGSF1N02LT1/D
MGSF1N02LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，
新标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
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安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MGSF1N02LT1/D
产品speci fi cation
MGSF1N02LT1
功率MOSFET
750毫安， 20伏
N沟道SOT- 23
这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（on ）保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
低RDS （ON ）
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 漏电流脉冲（TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
工作和存储温度
范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10
秒
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
20
±
20
750
2000
400
- 55
150
300
260
单位
VDC
VDC
3
750毫安
20伏
RDS （ ON）= 90毫瓦
N沟道
3
1
2
记号
图
mA
1
SOT–23
CASE 318
21风格
2
N2
W
mW
°C
° C / W
°C
W
=工作周
引脚分配
漏
3
1
2
门
来源
订购信息
设备
MGSF1N02LT1
MGSF1N02LT3
包
SOT–23
SOT–23
航运
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
MGSF1N02LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 1.2 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 1.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷（参见图6）
源极 - 漏极二极管的特性
连续电流
脉冲电流
正向电压（注2 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
IS
ISM
VSD
–
–
–
–
–
0.8
0.6
0.75
–
V
A
（ VDD = 15 VDC ， ID = 1.0 ADC ，
RL = 50
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
–
–
–
–
–
2.5
1.0
16
8.0
6000
–
–
–
–
–
pC
ns
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDG = 5.0伏）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
125
120
45
–
–
–
pF
VGS （ TH）
RDS （ ON）
–
–
0.075
0.115
0.090
0.130
1.0
1.7
2.4
VDC
欧
V（ BR ） DSS
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
1.0
10
±100
NADC
20
–
–
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
QQ：2880707522 复制
