MGP15N40CL ， MGB15N40CL ， MGC15N40CL
松开漏极至源雪崩特性（ TJ
特征
单脉冲集电极 - 发射极雪崩能量
VCC = 50 V ， VGE = 5 V ，PK IL = 14.2 A，L = 3 mH的，开始TJ = 25°C
VCC = 50 V ， VGE = 5 V ，PK IL = 10 A，L = 3 mH的，开始TJ = 150℃
t
150°C)
符号
EAS
300
150
价值
单位
mJ
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
TO–220
D2PAK
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
价值
1.0
62.5
50
275
°C
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极电压钳位
零栅极电压集电极电流
BVces
冰
IC = 2毫安
TJ = -40 ° C至175℃
VCE = 350 V，
VGE = 0 ， TJ = 25°C
VCE = 350 V，
VGE = 0 ， TJ = 150℃
反向集电极 - 发射极漏电流
栅极 - 射极电压钳位
栅极 - 射极漏泄电流
栅极电阻（可选）
门极电阻
IECS
BVGES
IGES
RG
RGE
VCE = 24 V
IG = 5毫安
VGE = 10V
–
–
380
–
–
–
17
384
–
10
410
1.0
10
0.35
20
550
70
18
440
40
200
1.0
22
1000
–
26
mA
VDC
A
DC
k
VDC
A
DC
基本特征*
栅极阈值电压
阈值温度系数（负）
集电极 - 发射极导通电压
集电极 - 发射极导通电压
VGE （ TH）
–
的VCE（on ）
的VCE（on ）
IC = 1毫安
VGE = VCE
–
IC = 6 A， VGE = 4 V
IC = 10 A，
VGE = 4.5 V ，
TJ = 150℃
VCE = 5V ， IC = 6的
1.0
–
–
–
1.6
4.4
1.25
1.45
2.1
–
1.8
1.8
VDC
毫伏/°C的
VDC
VDC
正向跨导
政府飞行服务队
8.0
15
–
姆欧
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
*脉冲测试：脉冲宽度
西塞
科斯
VCC = 15 V
VGE = 0 V
F = 1 MHz的
–
–
–
700
130
3.5
–
–
–
pF
v
300
S,
占空比
v
2%.
CRSS
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2
MGP15N40CL ， MGB15N40CL ， MGC15N40CL
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性*
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
栅极电荷
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
QT
Q1
*脉冲测试：脉冲宽度
VCC = 300 V ，
IC = 10 A
RG = 1千欧，
L = 300
H
VCC = 10 V ，
IC = 6.5
RG = 1千欧，
RL = 1
VCC = 350 V
IC = 15 A
VGE = 5 V
–
–
–
–
–
–
–
13
6.0
1.0
5.0
待定
待定
待定
–
–
–
–
–
–
–
nC
微秒
微秒
v
300
S,
占空比
v
2%.
Q2
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3
MGP15N40CL ， MGB15N40CL ， MGC15N40CL
I C ，集电极电流（ AMPS ）
I C ，集电极电流（ AMPS ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
TJ = 25°C
6
7
8
VGE = 3.0 V
VGE = 10.0 V
VGE = 5.0 V
VGE = 4.0 V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
TJ = 150℃
6
7
8
VGE = 3.0 V
VGE = 10.0 V
VGE = 5.0 V
VGE = 4.0 V
VCE ，集电极到发射极电压（伏）
VCE ，集电极到发射极电压（伏）
图1.输出特性
V CE ，集电极到发射极电压（伏）
图2.输出特性
I C ，集电极电流（ AMPS ）
30
VCE = 10 V
25
20
15
TJ = 150℃
TJ = 25°C
5
0
TJ = 40℃
10
2.0
1.8
IC = 15 A
IC = 10 A
IC = 5 A
1.5
1.3
1.0
0.8
VGE = 15 V
0.5
0.3
0.0
–50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
–25
0
25
50
75
100
125
150
VGE ，门到发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图3.传输特性
图4.集电极 - 发射极饱和电压
VERSUS结温
10000
阈值电压（伏）
2.5
意思+ 4
σ
意味着
1.5
意思是 - 4
σ
IC = 1毫安
C，电容（pF ）
1000
西塞
2.0
100
科斯
1.0
10
CRSS
1
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
VCE ，集电极到发射极电压（伏）
0.5
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
温度（℃）
图5.电容变化
图6.阈值电压随温度
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4
MGP15N40CL ， MGB15N40CL ， MGC15N40CL
20
18
切换时间（
m
S)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
250
500
750
1000
tf
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
TJ = 25°C
IC = 10 A
L = 300
H
20
18
开关速度（
m
S)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
250
500
750
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
TJ = 150℃
IC = 10 A
L = 300
H
1000
tf
TD （关闭）
TD （关闭）
RG ，栅极电阻（欧姆）
RG ，栅极电阻（欧姆）
图7.开关速度与栅极电阻
20
18
切换时间（
m
S)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
tf
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
RG = 1000
IC = 10 A
L = 300
H
图8.开关速度与栅极电阻
20
18
切换时间（
m
S)
TD （关闭）
TD （关闭）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
RG = 1000
TJ = 150℃
L = 300
H
2
4
6
tf
8
10
12
14
16
TC ，外壳温度（ ° C）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图9.开关速度与外壳温度
图10.总开关损耗
与集电极电流
30
I L ，锁存电流（安培）
25
25°C
150°C
20
15
VCC = 50 V
VGE = 5.0 V
RG = 1000
20
I L ，锁存电流（安培）
18
3.0 mH的
16
14
6.0 mH的
12
10
8
6
4
2
0
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
电感（MH ）
VCC = 50 V
VGE = 5.0 V
RG = 1000
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图11.锁存电流与电感器（典型值）
图12.锁存电流与温度（典型）
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5
MGP15N40CL,
MGB15N40CL
首选设备
点火IGBT
15安培， 410伏
N沟道TO- 220和D2PAK
这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能
单片电路集成ESD和过电压钳位
保护的感应线圈驱动器应用。主要用途
包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和
高电流开关是必需的。
理想的线圈，在插头， IGBT - 盘管或分电器点火
系统应用
高脉冲电流能力可达50 A
栅极 - 射极ESD保护
温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制
施加的应力加载
集成ESD保护二极管
低阈值电压为接口电源负载或逻辑
微处理器设备
低饱和电压
可选的栅极电阻（ RG ）
最大额定值
(–55°C
≤
TJ
≤
175℃ ，除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
极 - 发射极电压
集电极电流连续
@ TC = 25°C - 脉冲
ESD（人体模型）
R = 1500
,
C = 100 pF的
ESD（机器模型）， R = 0
,
C = 200 pF的
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VCES
VCER
VGE
IC
ESD
8.0
ESD
PD
TJ ， TSTG
800
150
1.0
-55
175
V
瓦
W / ℃，
°C
1
门
2
集热器
3
辐射源
G15N40CL
YWW
1
门
2
集热器
3
辐射源
G15N40CL
YWW
价值
440
440
22
15
50
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
AAC
kV
1
2
3
TO–220AB
CASE 221A
9风格
http://onsemi.com
15安培
410伏（钳位）
VCE （ ON） @ 10 A = 1.8 V最大
N沟道
C
G
RGE
4
RG
E
4
1
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式4
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
集热器
4
集热器
松开集电极到发射极雪崩
特征
(–55°C
≤
TJ
≤
175°C)
特征
单脉冲集电极 - 发射极雪崩
能源
VCC = 50 V ， VGE = 5.0 V ，PK IL = 17.4 A，
L = 2.0 mH的，开始TJ = 25°C
VCC = 50 V ， VGE = 5.0 V ，PK IL = 14.2 ，
L = 2.0 mH的，开始TJ = 150℃
反向雪崩能量
VCC = 100V ， VGE = 20 V ， L = 3.0 mH的，
PK IL = 25.8 A，开始TJ = 25°C
符号
EAS
300
价值
单位
mJ
G15N40CL =器件代码
Y
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
200
EAS （R）的
1000
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
包
TO–220
D2PAK
航运
50单位/铁
800磁带&卷轴
MGP15N40CL
mJ
MGB15N40CLT4
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
MGP15N40CL/D
MGP15N40CL,
MGB15N40CL
首选设备
点火IGBT
15安培， 410伏
N沟道TO- 220和D
2
PAK
http://onsemi.com
这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能
单片电路集成ESD和过电压钳位
保护的感应线圈驱动器应用。主要用途
包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和
高电流开关是必需的。
特点
15安培
410伏（钳位）
V
CE （ON）的
@ 10 A = 1.8 V最大
N沟道
C
理想的线圈，在插头， IGBT - 盘管或分电器点火
系统应用
高脉冲电流能力可达50 A
栅极 - 射极ESD保护
温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制
施加的应力加载
集成ESD保护二极管
低阈值电压为接口电源负载或逻辑
微处理器设备
低饱和电压
可选的栅极电阻（R
G
)
无铅包装是否可用
G
R
GE
R
G
E
1
D
2
PAK
CASE 418B
方式4
TO220AB
CASE 221A -09
9风格
1
最大额定值
(55°C
≤
T
J
≤
175℃ ，除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
极 - 发射极电压
集电极电流连续
@ T
C
= 25°C - 脉冲
ESD（人体模型）R = 1500
W,
C = 100 pF的
ESD（机器模型）， R = 0
W,
C = 200 pF的
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CES
V
CER
V
GE
I
C
ESD
8.0
ESD
P
D
T
J
, T
英镑
800
150
1.0
-55至175
V
W
W / ℃，
°C
价值
440
440
22
15
50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
A
DC
A
AC
kV
1
门
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
集热器
4
集热器
G1
5N40CL
AYWW
3
但排放
2
收藏家之三
G15N40CLG
AYWW
1
门
G15N40CL
A
Y
WW
G
3
2
辐射源
集热器
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 修订版8
出版订单号：
MGP15N40CL/D
MGP15N40CL,
MGB15N40CL
首选设备
点火IGBT
15安培， 410伏
N沟道TO- 220和D2PAK
这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能
单片电路集成ESD和过电压钳位
保护的感应线圈驱动器应用。主要用途
包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和
高电流开关是必需的。
理想的线圈，在插头， IGBT - 盘管或分电器点火
系统应用
高脉冲电流能力可达50 A
栅极 - 射极ESD保护
温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制
施加的应力加载
集成ESD保护二极管
低阈值电压为接口电源负载或逻辑
微处理器设备
低饱和电压
可选的栅极电阻（ RG ）
最大额定值
(–55°C
≤
TJ
≤
175℃ ，除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
极 - 发射极电压
集电极电流连续
@ TC = 25°C - 脉冲
ESD（人体模型）
R = 1500
,
C = 100 pF的
ESD（机器模型）， R = 0
,
C = 200 pF的
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VCES
VCER
VGE
IC
ESD
8.0
ESD
PD
TJ ， TSTG
800
150
1.0
-55
175
V
瓦
W / ℃，
°C
1
门
2
集热器
3
辐射源
G15N40CL
YWW
1
门
2
集热器
3
辐射源
G15N40CL
YWW
价值
440
440
22
15
50
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
AAC
kV
1
2
3
TO–220AB
CASE 221A
9风格
http://onsemi.com
15安培
410伏（钳位）
VCE （ ON） @ 10 A = 1.8 V最大
N沟道
C
G
RGE
4
RG
E
4
1
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式4
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
集热器
4
集热器
松开集电极到发射极雪崩
特征
(–55°C
≤
TJ
≤
175°C)
特征
单脉冲集电极 - 发射极雪崩
能源
VCC = 50 V ， VGE = 5.0 V ，PK IL = 17.4 A，
L = 2.0 mH的，开始TJ = 25°C
VCC = 50 V ， VGE = 5.0 V ，PK IL = 14.2 ，
L = 2.0 mH的，开始TJ = 150℃
反向雪崩能量
VCC = 100V ， VGE = 20 V ， L = 3.0 mH的，
PK IL = 25.8 A，开始TJ = 25°C
符号
EAS
300
价值
单位
mJ
G15N40CL =器件代码
Y
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
200
EAS （R）的
1000
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
包
TO–220
D2PAK
航运
50单位/铁
800磁带&卷轴
MGP15N40CL
mJ
MGB15N40CLT4
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
MGP15N40CL/D
QQ：2880707522 复制
