【MGP15N35CL,MGB15N35CL首选设备点火IGBT15安培， 350伏N沟道TO- 22】,IC型号MGP15N35CL_06,MGP15N35CL_06 PDF资料,MGP15N35CL

MGP15N35CL,

MGB15N35CL

首选设备

点火IGBT

15安培， 350伏

N沟道TO- 220和D

2

PAK

这种逻辑电平绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功能

单片电路集成ESD和过电压钳位

保护的感应线圈驱动器应用。主要用途

包括点火，直接燃油喷射，或是其他地方高电压和

高电流开关是必需的。

理想的线圈，在插头， IGBT - 盘管或分电器点火

系统应用

高脉冲电流能力可达50 A

栅极 - 射极ESD保护

温度补偿的门极 - 集电极电压钳位限制

施加的应力加载

集成ESD保护二极管

低阈值电压为接口电源负载或逻辑

微处理器设备

低饱和电压

可选的栅极电阻（R

G

)

最大额定值

(55°C

≤

T

J

≤

175℃ ，除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

极 - 发射极电压

集电极电流连续

@ T

C

= 25°C

脉冲

ESD（人体模型）

R = 1500

Ω,

C = 100 pF的

ESD（机器模型）， R = 0

Ω,

C = 200 pF的

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

CES

V

CER

V

GE

I

C

ESD

8.0

ESD

P

D

T

J

, T

英镑

800

150

1.0

55

to

175

V

瓦

W / ℃，

°C

G15N35CL

YWW

1

门

2

集热器

3

辐射源

G15N35CL

YWW

1

门

3

辐射源

价值

380

22

15

50

单位

V

DC

V

DC

V

DC

A

DC

A

AC

kV

1

2

3

TO220AB

CASE 221A

9风格

http://onsemi.com

15安培

350伏（钳位）

V

CE （ON）的

@ 10 A = 1.8 V最大

N沟道

C

G

R

GE

4

R

G

E

4

1

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式4

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

集热器

4

集热器

2

集热器

松开集电极到发射极雪崩

特征

(55°C

≤

T

J

≤

175°C)

特征

单脉冲集电极 - 发射极雪崩

能源

V

CC

= 50 V, V

GE

= 5.0 V ，PK我

L

= 17.4 A，L

= 2.0 mH为起始物为

J

= 25°C

V

CC

= 50 V, V

GE

= 5.0 V ，PK我

L

= 14.2 A，L

= 2.0 mH为起始物为

J

= 150°C

反向雪崩能量

V

CC

= 100 V, V

GE

= 20 V ， L = 3.0 mH的，

我的PK

L

= 25.8 A，起始物为

J

= 25°C

符号

E

AS

300

200

E

的AS （R） -

mJ

1000

价值

单位

mJ

G15N35CL =器件代码

Y

=年

WW

=工作周

订购信息

设备

MGP15N35CL

MGB15N35CLT4

包

TO220

D2PAK

航运

50单位/铁

800磁带&卷轴

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年7月

启5

1

出版订单号：

MGP15N35CL/D

MGP15N35CL ， MGB15N35CL

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

TO220

D

2

PAK （注1 ）

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

T

L

价值

1.0

62.5

50

275

°C

单位

° C / W

电气特性

特征

符号

测试条件

温度

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极电压钳位

BV

CES

I

C

= 2.0毫安

I

C

= 10毫安

零栅极电压集电极电流

I

CES

T

J

=

40°C

to

150°C

T

J

=

40°C

to

150°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

反向集电极 - 发射极电压钳位

B

VCES （R）的

I

C

=

75

mA

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

栅极 - 射极电压钳位

栅极 - 射极漏泄电流

栅极电阻（可选）

门极电阻

BV

GES

I

GES

R

G

R

GE

I

G

= 5.0毫安

V

GE

= 10 V

T

J

=

40°C

to

150°C

T

J

=

40°C

to

150°C

T

J

=

40°C

to

150°C

T

J

=

40°C

to

150°C

320

330

25

17

384

10

350

360

1.5

10

0.7

0.35

8.0

0.05

33

36

30

20

600

70

16

380

20

40*

1.5

1.0

15*

0.5

50

22

1000

26

V

DC

μA

DC

Ω

V

DC

V

CE

= 300 V,

V

GE

= 0 V

μA

DC

反向集电极 - 发射极漏电流

I

ECS

mA

V

CE

=

24

V

DC

kΩ

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

V

GE （日）

I

C

= 1.0毫安，

V

GE

= V

CE

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

1.4

0.75

1.6

1.7

1.1

1.9

4.4

2.0

1.4

2.1*

毫伏/°C的

V

DC

阈值温度系数

（负向）

1.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

μS,

占空比

v

2%.

*在整个温度范围的最大特征值。

http://onsemi.com

2

MGP15N35CL ， MGB15N35CL

电气特性

（续）

特征

符号

测试条件

温度

民

典型值

最大

单位

ON特性（续）

（注3）

集电极 - 发射极导通电压

V

CE （ON）的

I

C

= 6.0 A,

V

GE

= 4.0 V

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

T

J

= 150°C

T

J

=

40°C

to

150°C

1.0

0.9

1.1

1.3

1.2

1.3

1.6

1.7

1.6

1.9

2.1

1.85

2.1

2.5

2.0

8.0

1.3

1.2

1.4

1.6

1.5

1.6

1.95

2.0

1.9

2.2

2.4

2.15

2.5

2.9

2.4

1.5

15

1.6

1.5

1.7*

1.9

1.8

1.9*

2.25

2.3*

2.2

2.5

2.7*

2.45

2.9

3.3*

2.8

1.8

25

V

DC

姆欧

V

DC

I

C

= 10 A,

V

GE

= 4.0 V

I

C

= 15 A,

V

GE

= 4.0 V

I

C

= 20 A,

V

GE

= 4.0 V

I

C

= 25 A,

V

GE

= 4.0 V

集电极 - 发射极导通电压

正向跨导

V

CE （ON）的

政府飞行服务队

I

C

= 10 A，V

GE

= 4.5 V

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 6.0 A

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

CC

= 25 V, V

GE

= 0 V

F = 1.0 MHz的

T

J

=

40°C

to

150°C

1000

100

5.0

1300

130

8.0

pF

开关特性

（注3）

关断延迟时间（感性）

t

D（关闭）

t

f

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

V

CC

= 300 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千欧，L = 300

μH

V

CC

= 300 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千欧，L = 300

μH

V

CC

= 300 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千欧，R

L

= 46

Ω,

V

CC

= 300 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千欧，R

L

= 46

Ω,

V

CC

= 10 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千欧，R

L

= 1.5

Ω

V

CC

= 10 V，I

C

= 6.5 A

R

G

= 1.0千欧，R

L

= 1.5

Ω

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

4.0

4.5

7.0

10

4.0

4.5

13

16

1.0

4.5

5.0

10

15*

10

20

1.5

6.0

微秒

下降时间（感性）

关断延迟时间（电阻）

下降时间（电阻）

导通延迟时间

上升时间

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

μS,

占空比

v

2%.

*在整个温度范围的最大特征值。

http://onsemi.com

3

MGP15N35CL ， MGB15N35CL

典型电气特性

（除非另有说明）

60

I

C,

集电极电流（安培）

I

C,

集电极电流（安培）

V

GE

= 10.0 V

50

40

30

20

V

GE

= 3.0 V

10

0

V

GE

= 2.5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

T

J

= 25°C

V

GE

= 5.0 V

V

GE

= 4.0 V

V

GE

= 4.5 V

60

V

GE

= 10.0 V

50

40

30

20

10

0

T

J

= 150°C

V

GE

= 5.0 V

V

GE

= 4.0 V

V

GE

= 3.5 V

V

GE

= 3.0 V

V

GE

= 2.5 V

V

GE

= 4.5 V

V

GE

= 3.5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

CE

，集电极到发射极电压（伏）

V

CE

，集电极到发射极电压（伏）

图1.输出特性

V

CE

，集电极到发射极电压（伏）

图2.输出特性

30

I

C,

集电极电流（安培）

25

20

15

T

J

= 150°C

10

T

J

= 25°C

5

0

T

J

=

40°C

V

CE

= 10 V

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

50

25

I

C

= 15 A

I

C

= 10 A

0

25

50

75

100

125

150

I

C

= 5 A

V

GE

= 5.0 V

I

C

= 20 A

I

C

= 25 A

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

V

GE

，门到发射极电压（伏）

T

J

，结温（ ° C）

图3.传输特性

图4.集电极 - 发射极饱和

电压与结温

2.5

阈值电压（伏）

意思+ 4

σ

2.0

1.5

意味着

4

σ

1.0

10000

C

国际空间站

意味着

I

C

= 1毫安

C，电容（pF ）

1000

100

C

OSS

10

C

RSS

0.5

0.0

50

1

0

20

40

60

80

100 120

140 160 180 200

25

0

25

50

75

100

125

150

V

CE

，集电极到发射极电压（伏）

温度（℃）

图5.电容变化

http://onsemi.com

4

图6.阈值电压随温度的变化

MGP15N35CL ， MGB15N35CL

30

I

L

， LATCH电流（安培）

I

L

， LATCH电流（安培）

25

20

中T = 25℃

15

10

5

0

V

CC

= 50 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

Ω

30

25

20

15

L = 3.0 mH的

10

5

0

50 25

L = 6.0 mH的

L = 2.0 mH的

V

CC

= 50 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

Ω

T = 150℃

0

2

4

6

8

10

0

25

50

75

100

125

150

175

电感（MH ）

温度（℃）

图7.最小开启辅助锁存器

电流与电感器

图8.最小开辅助锁存器

电流与温度的关系

30

I

L

， LATCH电流（安培）

I

L

， LATCH电流（安培）

25

20

15

10

5

0

T = 150℃

中T = 25℃

V

CC

= 50 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

Ω

30

25

20

15

10

5

0

50 25

L = 3.0 mH的

L = 6.0 mH的

L = 2.0 mH的

V

CC

= 50 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

Ω

0

2

4

6

8

10

0

25

50

75

100

125

150

175

电感（MH ）

温度（℃）

图9.典型的开放式辅助锁存器

电流与电感器

12

10

切换时间（ μS ）

8

6

4

2

0

50

V

CC

= 300 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

Ω

I

C

= 10 A

L = 300

μH

14

12

切换时间（ μS ）

t

f

10

8

6

4

2

25

0

25

50

75

100

125

150

0

图10.典型的开放式辅助锁存器

电流与温度的关系

t

f

V

CC

= 300 V

V

GE

= 5.0 V

R

G

= 1000

Ω

T

J

= 150°C

L = 300

μH

t

D（关闭）

t

D（关闭）

2

4

6

8

10

12

14

16

T

C

，外壳温度（ ° C）

I

C,

集电极电流（安培）

图11.开关速度与案例

温度

http://onsemi.com

5

图12.开关速度与收藏家

当前