三菱半导体<GaAs FET>
MGFS48V2527
2.5 - 2.7GHz的波段60W的GaAs FET
描述
该MGFS48V2527是一个60W的推挽型GaAs功率场效应管
2.7GHz的频段放大器 - 用于2.5特别设计的。
气密密封的金属陶瓷封装保证高可靠性。
r
概要
r
特点
推挽结构
高输出功率
噘嘴= 60W （典型值） @ F = 2.5 - 2.7 GHz的
高功率增益
GLP = 10分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.5 - 2.7GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 45 ％ （ TYP 。 ） @ F = 2.5 - 2.7GHz的
r
r
r
r
质量等级
IG
r
ICVG
UQWTEG
FTCKP
推荐的偏置条件
VDS = 12 （ V）
ID = 4.0 （ A）
RG = 20 （欧姆）对每个栅
2.5-2.7GHz频带功率放大器
r
应用
WPKV ??? OO
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
PT * 1
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
总功耗
通道温度
储存温度
(Ta=25deg.C)
评级
-20
-10
107.1
175
-65 / +175
单位
V
V
W
℃保温
℃保温
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
与them.Trouble与半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
* 1 ：TC = 25deg.C
电气特性
符号
VGS （关闭）
P2dB
GLP
的ID（射频）
P.A.E.
RTH （ CH-C ）
参数
截止电压
输出功率2分贝增益
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
热阻
(Ta=25deg.C)
测试条件
分钟。
VDS = 3V ，ID = 17.3毫安
-1
47
VDS = 12V ， ID（ RF关闭） = 4.0A ， F = 2.5 - 2.7GHz的
9
-
-
渠道情况
-
范围
典型值。
马克斯。
-
48
10
11
45
1.0
-4
-
-
15
-
1.4
单位
V
DBM
dB
A
%
℃保温/ W
三菱
电
(1/6)
June-'04
MGFS48V2527
IMD与输出功率
测试条件：
VDS = 12V， ID（射频关闭） = 4.0A
2音测试，
Δf=5MHz
f=2.6GHz
f=2.7GHz
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
-42
-44
-46
-48
-50
-52
-54
-56
-58
-60
f=2.5GHz
IM3
IM5
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
-42
-44
-46
-48
-50
-52
-54
-56
-58
-60
IM3
IM5
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
-42
-44
-46
-48
-50
-52
-54
-56
-58
-60
IM3
IMD （ DBC）
IMD （ DBC）
IMD （ DBC）
IM5
28 30 32 34 36 38 40 42 44 46
输出功率（ 2TONE ） （ DBM）
28 30 32 34 36 38 40 42 44 46
输出功率（ 2TONE ） （ DBM）
28 30 32 34 36 38 40 42 44 46
输出功率（ 2TONE ） （ DBM）
三菱电机
June-'04
(3/6)
MGFS48V2527
测试条件： F = 2.0-3.0GHz ， VDS = 12V ， ID = 2.0A
S11,S22
史密斯圆图
Z=50Ω
1.0
2.0
4.0
5.0
3.0
2.0
0.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
量表| S12 |
0
-0.2
0.01
0.02
-0.5
-1.0
-2.0
0.03
0.04
1.0
量表| S21 |
S11
S22
S21,S12
极坐标图
S21
5.0
S12
0.2
-5.0
的S参数（大= 25deg.C ， VDS = 12V ， ID = 2.0A ）
的S参数（ TYP 。 ）
f
（千兆赫）
2.00
2.05
2.10
2.15
2.20
2.25
2.30
2.35
2.40
2.45
2.50
2.55
2.60
2.65
2.70
2.75
2.80
2.85
2.90
2.95
3.00
MAG 。
0.343
0.311
0.301
0.318
0.354
0.399
0.452
0.484
0.512
0.529
0.523
0.504
0.460
0.369
0.231
0.074
0.188
0.395
0.569
0.694
0.773
S11
昂（度）
30.9
11.3
-13.6
-37.2
-57.5
-78.1
-94.0
-107.7
-121.8
-134.1
-145.4
-159.0
-171.7
171.2
149.6
85.3
-26.1
-53.1
-72.1
-88.0
-99.3
MAG 。
2.394
2.448
2.529
2.575
2.594
2.620
2.597
2.603
2.558
2.569
2.573
2.629
2.665
2.734
2.731
2.623
2.380
2.085
1.730
1.389
1.108
S21
昂（度）
-124.1
-135.3
-147.0
-159.1
-170.4
176.5
164.9
153.3
141.8
130.9
119.6
106.5
92.9
78.3
59.9
41.6
22.2
4.0
-13.8
-28.6
-40.4
MAG 。
0.042
0.042
0.046
0.042
0.044
0.045
0.039
0.042
0.040
0.037
0.039
0.032
0.034
0.030
0.027
0.022
0.014
0.014
0.018
0.016
0.015
S12
昂（度）
-112.1
-129.0
-134.8
-148.3
-160.2
-167.5
176.5
164.3
161.2
147.6
135.6
121.1
100.6
78.4
58.1
31.9
-3.2
-39.0
-60.5
-111.6
-136.5
MAG 。
0.773
0.760
0.746
0.724
0.700
0.690
0.673
0.659
0.655
0.649
0.629
0.636
0.636
0.645
0.666
0.695
0.740
0.781
0.818
0.844
0.862
S22
昂（度）
164.4
163.0
163.3
162.9
163.5
164.1
165.6
166.6
167.8
169.7
170.7
172.5
175.1
177.6
-179.9
-177.4
-177.1
-177.8
-179.5
178.8
176.7
这个S参数数据显示测量每个单端FET进行。
三菱电机
June-'04
(5/6)
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