三菱半导体<GaAs FET>
MGFS45V2735
2.7 - 3.5GHz的波段30W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFS45V2735是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在2.7 - 3.5
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
ü TLIN ê
2 4 + /- 0 .3
ü尼特： M M
2M的
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 30W （典型值） @ F = 2.7 - 3.5 GHz的
高功率增益
GLP = 12分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.7 - 3.5GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 36 ％ （ TYP 。 ） @ F = 2.7 - 3.5GHz的
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （ TYP 。 ） @宝= 34.5dBm S.C.L.
(1 )
R 1 .2
0 .6 + /- 0 .1 5
17.4 +/- 0.2
8.0 +/- 0.2
(2 )
2M的
(3 )
2 0 .4 + /- 0 .2
应用
项目01 ： 2.7 - 3.5 GHz频段功率放大器
51项： 2.7 - 3.5 GHz频段数字无线通信
0.1 +/- 0.05
范围
典型值。
24
8
-
45
12
8
36
-45
0.8
马克斯。
-
-
-5
-
-
-
-
-
1
1 6 .7
质量等级
IG
VDS = 10 （V）的
ID = 8 （A ）
RG = 25 （欧姆）
1.4
推荐的偏置条件
4.3 +/- 0.4
G F - 38
(Ta=25deg.C)
评级
-15
-15
20
-80
168
150
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
（1）がて
（ 2 ） SOU RCE （ FLA NG五）
（3） DRA中
<保持安全第一在你的电路设计！ >
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT * 1
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
用它们。麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
* 1 ：TC = 25deg.C
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3 * 2
RTH （ CH-C ） * 3
(Ta=25deg.C)
测试条件
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 8A
VDS = 3V ，ID = 160毫安
分钟。
-
-
-2
44
VDS = 10V， ID（射频关闭）= 8A中，f = 2.7 - 3.5GHz的
11
-
-
-42
三角洲Vf的方法
-
单位
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
参数
饱和漏极电流
跨
饱和漏极电流
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
* 2 ：项目-51,2音测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 2.7,3.1,3.5GHz ，三角洲F = 10MHz时
* 3 ：信道情况下的
三菱
电
June-'04
2.4 +/- 0.2
三菱半导体<GaAs FET>
MGFS45V2735
2.7 - 3.5GHz的波段30W内部匹配的GaAs FET
典型特征
的P1dB ， GLP与F
47
VDS=10V
ID=8A
46
22
50
VDS=10V
ID=8A
f=3.1GHz
45
80
Po
40
60
宝， P.A.E 。与引脚
100
111
P1dB
20
输出功率的P1dB （ dBm的）
线性功率增益GLP （分贝）
输出功率Po （ DBM）
45
18
44
16
35
P.A.E.
40
43
GLP
14
42
12
30
20
41
2.6
2.7
2.8
2.9 3.0 3.1 3.2 3.3
频率f（ GHz）的
3.4 3.5
3.6
10
25
15
20
25
30
输入功率Pin （ DBM）
35
40
0
宝， IM3主场迎战针
42
40
VDS=10V
IDS=8A
f=3.5GHz
台达F = 10MHz时
2音测试
20
10
输出功率Po （ DBM） S.C.L.
38
36
34
Po
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
32
30
28
26
18
20
22
24
26
28
输入功率Pin （ DBM） S.C.L.
30
的S参数
f
（千兆赫）
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
3.30
3.40
3.50
3.60
（大= 25deg.C ， VDS = 10 （ V） ， IDS = 8 （ a）条）
S参数（ TYP 。 ）
S21
MAGN 。
角（度）
3.39
38
3.90
3
4.30
-31
4.52
-66
4.51
-101
4.33
-135
4.15
-168
4.04
159
3.92
117
3.60
76
2.86
33
S12
MAGN 。
角（度）
0.03
-17
0.04
-52
0.05
-86
0.06
-122
0.06
-157
0.06
166
0.05
134
0.06
100
0.06
49
0.06
8
0.05
-40
S22
MAGN 。
角（度）
0.59
26
0.49
-1
0.41
-30
0.32
-67
0.27
-106
0.24
-137
0.23
-165
0.21
174
0.15
149
0.05
165
0.16
-115
S11
MAGN 。
角（度）
0.63
88
0.58
47
0.51
1
0.47
-51
0.47
-105
0.50
-152
0.51
166
0.49
123
0.45
61
0.48
-11
0.64
-75
IM3 （ DBC）
IM3
三菱
电
June-'04
功率附加效率P.A.E. （％）
三菱半导体<GaAs FET>
MGFS45V2735
2.7 - 3.5GHz的波段30W内部匹配的GaAs FET
三菱
电
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